金属半导体结的缺点

金属半导体结的缺点反向耐压低，反向漏电流大反向漏电流具有正温度特性。金属表面的负电荷密度增加，同时，靠近金属一侧的半导体表面的正电荷密度也随着增加。由于半导体自由电荷密度的限制，空间电荷层变宽。

硝特基二极管基本材料也是硅。普通的硅二极是利用P型和N型形成PN结的单向导电性制作的。而硝特基二极管是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结（简称金属结）原理制作的。

关于进一步了解硝特基二极管可参阅：

http://baike.baidu.com/view/178051.htm?fr=ala0_1_1

硝特基二极管具有正向压降低，开关速度快的优点。但反射耐压低，反向漏电流大。一般在低压高频电路中使用。因此它不能用其他二极管代替，只能用同型号或相近参数的硝特基二极管替代。

SR206是2A60V的硝特基二极管，可用代替型号：

SB260、SR260 2A60V

SB360、SR360、SR306 3A60V

等。

肖特基二极管利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的势垒二极管。普通的二极管是利用PN结原理的。肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急剧变大，用于高速、高频的场合。MBR60100PT-ASEMI肖特基二极管参数如下：

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