氧化铜的能带结构？

最低未占据导带态主要是Cu3d。铜氧化物中，铜与环绕的四个氧原子构成一个平面。卫星峰与铜氧化物中显露的结构类似，但在铜氧化物中其结构随顶端氧有一些变化。CuO和Bi2212中铜的2p3/2谱的结果，分辨率为0.285eV(Parmigiani等,1992)。Bi2212的主线具有一个小的特征，B峰，被指认是由于顶端氧的存在，这在CuO谱中是不出现的。他们还以另两种带与不带顶端氧的铜氧化物的谱线来进一步确认其解释。Parlebas等(1995)发现，铜的2p3/2主线的特征形状起因于尚未被理解的多重结构，与铜的3d和氧的2p能级杂化的各向异性有关。当在一个CuO4四方平面内添入顶端氧原子时，各向异性的情况会发生改变。

氧化铜是一种具有带隙较窄带隙(1.2—1.5eV)的p-型半导体材料。硅是目前使用最多的半导体材料，二氧化硅不是半导体。氧化铜和硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性

阴极：2H2O + 2e- = H2↑ + 2OH-，阳极：2Cu - 2e- + 2OH- = Cu2O + H2O

阴极是石墨，阳极是铜，石墨电极产生氢气，所以A对。

铜电极被氧化生成Cu2O，发生氧化反应，所以B错。

铜电极接直流电源的正极，所以C错。

当有0.1mol电子转移时，有0.05molCu2O生成，所以D错。

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