SSD产品里的Flash 和晶源有什么区别？

Flash是闪存，在SSD里特指NAND型闪存（区别于NOR型），一般情况下我们能见到的都是闪存颗粒，也就是晶圆在封装检测之后的成品。晶圆是指半导体光刻阶段完成后的状态，晶圆上的小晶粒经过检测、封装，最后变成颗粒。晶圆并不一定是指闪存晶圆，CPU、GPU、任何电子芯片都是从晶圆过程走过来的。

进入3D时代之后，闪存从平面扩展变为垂直方向堆叠，相应的纳米工艺也发生一定回退。比如三星第一代3D闪存（32层堆叠）问世时从当时平面闪存的19nm直接退回到几年前的40nm工艺，单容量相比19nm平面闪存却有一定提升。

一方面，采取老的纳米制程有助于闪存耐久度提升，另一方面纳米工艺制程不再直接影响闪存容量和性能，所以现在闪存颗粒只讲堆叠层数和存储密度，不再将纳米制程放在明面上。不过相信很多朋友还是非常关心具体数值的。存储即可就来透露一下，除了三星之外，美光的第一代3D闪存（32层堆叠）使用的也是40nm工艺，第二代64层堆叠产品才降至20nm。

东芝最早提出了3D闪存结构，在应用推广上晚于三星一些，主要是为了等待技术的成熟。第一代48层堆叠3D闪存（东芝称BiCS2）就使用了19.5nm工艺，当代64层堆叠3D闪存（东芝称BiCS3）则使用当前领先的19nm工艺制造。

BiCS2主要见于手机等移动存储芯片，譬如iPhone7 256G中使用的就是编号为THGBX6T1T82LFXF的东芝闪存芯片。

BiCS23D闪存内部结构：

最新一代的BiCS3，也就是东芝64层3D闪存的存储密度相比2D TLC闪存提升2.8倍，达到每平方毫米面积的晶片可记忆3.4Gb数据。最早使用它的是东芝原厂TR200固态硬盘。由于2.5寸规格空间充裕，TR200的闪存采用了多颗TSOP封装的颗粒，容量不变价格更便宜。TR200也是当前最便宜的原厂3D闪存固态硬盘之一，稳定耐用价格实惠。

东芝BiCS3闪存的内部结构图，电子显微镜扫描：

相比NAND闪存，原本是半导体制程应用急先锋的内存已经落后不少，当前最新的内存芯片还停留在18nm 2D水平上。由于三星的垄断，内存价格始终居高不下，也迟迟没有迈向3D化的动作。

其实早在几年前就已经有3D内存理论被提出，基本原理与3D闪存类似，只不过推进3D化会增加短时内研发成本，而现在高度垄断之下躺着就能赚钱，又怎会积极推动技术跨越呢？

近期内存、固态硬盘价格都有所回落，但从降幅来说，现在固态硬盘显然要比内存更值得买。据市场研究机构分析，近几个月将是闪存价格本年度内的低谷，也就是入手固态硬盘的最佳时机。要不要上车，大家看着办咯。

skynix是现代海力士的英文商标，内存条的闪存颗粒是金士顿找现代海力士购买的。

一、海力士

SK海力士半导体公司（SK Hynix Semiconductor Inc.，谚文：SK하이닉스，KSE：000660）是一家韩国的电子公司，全球二十大半导体厂商之一。海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。在80及90年代 他们专注于销售DRAM，后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务，同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。2012年初，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。

二、内存颗粒

1.很多时候，常听人们说到"内存颗粒"，其实这是港台地区对内存芯片的一种称呼(仅对内存)，其他的芯片，港台则称为"晶片"，两者的意思是一样的，至于大家怎么称呼，看个人习惯了。

2.内存颗粒是内存条重要的组成部分，内存颗粒将直接关系到内存容量的大小和内存体制的好坏。因此，一个好的内存必须有良好的内存颗粒作保证。同时不同厂商生产的内存颗粒体制、性能都存在一定的差异，一般常见的内存颗粒厂商有镁光、英飞凌、三星、现代、南亚、茂矽等。

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