f4905s p925y是啥沟道

P沟道。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V。如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw。那么mos管不导通，D为0V。所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。

P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反，说白了给箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。场效应管的工作原理，在二极管加上正向电压时（P端接正极，N端接负极），二极管导通，其PN结有电流通过，这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。

对于N沟道场效应管，在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处于截止状态，当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，是的电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中，从而形成电流，使源极和漏极导通，我们也可以想象为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭建了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。

半导体应变片 在受到应力作用时，其电阻会发生相应的变化，因此可制做测力传感器，广泛应用于自动衡器及力、速度等的测量。

半导体应变片有以下几种类型：

1）体型半导体应变片

这是一种将半导体材料硅或锗晶体按一定方向切割成的片状小条，经腐蚀压焊粘贴在基片上而成的应变片。

2）薄膜型半导体应变片

这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上而制成。

3）扩散型半导体应变片

将P型杂质扩散到N型硅单晶基底上，形成一层极薄的P型导电层，再通过超声波和热压焊法接上引出线就形成了扩散型半导体应变片。图2.1.4为扩散型半导体应变片示意图。这是一种应用很广的半导体应变片

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