2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
5 AIR SHOWER 空气洗尘室 进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
6 ALIGNMENT 对准 1. 定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。2. 目的：在IC的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3. 方法：A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。
7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate)之接触有Ohmic特性，即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。
8 AL/SI 铝/硅 靶 此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子，让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为Al/Si (1%)，将此当作组件与外界导线连接。
9 AL/SI/CU 铝/硅 /铜 金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成分为0.5％铜，1％硅及98.5％铝，一般制程通常是使用99％铝1％硅，后来为了金属电荷迁移现象（ELEC TROMIGRATION）故渗加0.5％铜，以降低金属电荷迁移。
10 ALUMINUN 铝 此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线之连接。
11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是为了测量Junction的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle Lapping。公式为Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应。如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是应用Angle Lapping的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度，精确度远超过入射光干涉法。
12 ANGSTRON 埃 是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层（如SiO2，Poly，SiN….）厚度时用。
13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常压化学气相沉积 APCVD为Atmosphere(大气)，Pressure(压力)，Chemical(化学)，Vapor(气相)及Deposition(沉积)的缩写，也就是说，反应气体（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物（如BPSG）于芯片上。
14 AS75 砷 自然界元素之一；由33个质子，42个中子即75个电子所组成。半导体工业用的砷离子（As＋）可由AsH3气体分解得到。砷是N-TYPE DOPANT 常用作N-场区、空乏区及S/D植入。
15 ASHING，STRIPPING 电浆光阻去除 1. 电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除。2. 电浆光阻去除的原理，系利用氧气在电浆中所产生只自由基（Radical）与光阻（高分子的有机物）发生作用，产生挥发性的气体，再由帮浦抽走，达到光阻去除的目的。3. 电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去除为慢，但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后，表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻，无法将表面已变质之光阻加以去除，故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。
16 ASSEMBLY 晶粒封装 以树酯或陶瓷材料，将晶粒包在其中，以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的，而此一连串的加工过程，即称为晶粒封装（Assembly）。封装的材料不同，其封装的作法亦不同，本公司几乎都是以树酯材料作晶粒的封装，制程包括：芯片切割→晶粒目检→晶粒上「架」（导线架，即Lead frame）→焊线→模压封装→稳定烘烤（使树酯物性稳定）→切框、弯脚成型→脚沾锡→盖印→完成。以树酯为材料之IC，通常用于消费性产品，如计算机、计算器，而以陶瓷作封装材料之IC，属于高性赖度之组件，通常用于飞d、火箭等较精密的产品上。
17 BACK GRINDING 晶背研磨 利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装，着重的是厚度均匀度及背面之干净度。一般6吋芯片之厚度约20mil～30 mil左右，为了便于晶粒封装打线，故需将芯片厚度磨薄至10 mil ～15mil左右。
18 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤，软烤，预烤 烘烤（Bake）：在集成电路芯片上的制造过程中，将芯片至于稍高温（60℃～250℃）的烘箱内或热板上均可谓之烘烤，随其目的的不同，可区分微软烤（Soft bake）与预烤（Hard bake）。软烤（Soft bake）：其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片之附着力。预烤（Hard bake）：又称为蚀刻前烘烤（pre-etch bake），主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻（wet etching）更为重要，预烤不全长会造成过蚀刻。
19 BF2 二氟化硼 ·一种供做离子植入用之离子。·BF2 ＋是由BF3 ＋气体晶灯丝加热分解成：B10、B11、F19、B10F2、B11F2 。经Extract拉出及质谱磁场分析后而得到。·是一种P-type 离子，通常用作VT植入（闸层）及S/D植入。
20 BOAT 晶舟 Boat原意是单木舟，在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送、清洗及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为Boat。一般Boat有两种材质，一是石英、另一是铁氟龙。石英Boat用在温度较高（大于300℃）的场合。而铁氟龙Boat则用在传送或酸处理的场合。
21 B.O.E 缓冲蚀刻液 BOE是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蚀刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用。利用NH4F固定〔H＋〕的浓度，使之保持一定的蚀刻率。HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量水冲洗。
22 BONDING PAD 焊垫 焊垫－晶利用以连接金线或铝线的金属层。在晶粒封装（Assembly）的制程中，有一个步骤是作“焊线”，即是用金线（塑料包装体）或铝线（陶瓷包装体）将晶粒的线路与包装体之各个接脚依焊线图（Bonding Diagram）连接在一起，如此一来，晶粒的功能才能有效地应用。由于晶粒上的金属线路的宽度即间隙都非常窄小，（目前SIMC所致的产品约是微米左右的线宽或间隙），而用来连接用的金线或铝线其线径目前由于受到材料的延展性即对金属接线强度要求的限制，只能做到1.0～1.3mil（25.4～33j微米）左右，在此情况下，要把二、三十微米的金属线直接连接到金属线路间距只有3微米的晶粒上，一定会造成多条铝线的接桥，故晶粒上的铝路，在其末端皆设计成一个约4mil见方的金属层，此即为焊垫，以作为接线使用。焊垫通常分布再晶粒之四个外围上（以粒封装时的焊线作业），其形状多为正方形，亦有人将第一焊线点作成圆形，以资辨识。焊垫因为要作接线，其上得护层必须蚀刻掉，故可在焊垫上清楚地看到“开窗线”。而晶粒上有时亦可看到大块的金属层，位于晶粒内部而非四周，其上也看不到开窗线，是为电容。
23 BORON 硼 自然元素之一。由五个质子及六个中子所组成。所以原子量是11。另外有同位素，是由五个质子及五个中子所组成原子量是10（B10）。自然界中这两种同位素之比例是4：1，可由磁场质谱分析中看出，是一种P-type的离子（B 11＋），用来作场区、井区、VT及S/D植入。
24 BPSG 含硼及磷的硅化物 BPSG乃介于Poly之上、Metal之下，可做为上下两层绝缘之用，加硼、磷主要目的在使回流后的Step较平缓，以防止Metal line溅镀上去后，造成断线。
25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩溃电压 反向P-N接面组件所加之电压为P接负而N接正，如为此种接法则当所加电压通在某个特定值以下时反向电流很小，而当所加电压值大于此特定值后，反向电流会急遽增加，此特定值也就是吾人所谓的崩溃电压（BREAKDOWN VOLTAGE）一般吾人所定义反向P＋ - N接面之反向电流为1UA时之电压为崩溃电压，在P＋ - N或 N＋-P之接回组件中崩溃电压，随着N（或者P）之浓度之增加而减小。
26 BURN IN 预烧试验 「预烧」（Burn in）为可靠性测试的一种，旨在检验出哪些在使用初期即损坏的产品，而在出货前予以剔除。预烧试验的作法，乃是将组件（产品）至于高温的环境下，加上指定的正向或反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与金属层之外来杂质离子或腐蚀性离子将容易游离而使故障模式（Failure Mode）提早显现出来，达到筛选、剔除「早期夭折」产品之目的。预烧试验分为「静态预烧」（Static Burn in）与「动态预烧」（Dynamic Burn in）两种，前者在试验时，只在组件上加上额定的工作电压即消耗额定的功率，而后者除此外并有仿真实际工作情况的讯号输入，故较接近实际状况，也较严格。基本上，每一批产品在出货前，皆须作百分之百的预烧试验，馾由于成本及交货其等因素，有些产品旧只作抽样（部分）的预烧试验，通过后才出货。另外对于一些我们认为它品质够稳定且够水准的产品，亦可以抽样的方式进行，当然，具有高信赖度的产品，皆须通过百分之百的预烧试验。
27 CAD 计算机辅助设计 CAD：Computer Aided Design计算机辅助设计，此名词所包含的范围很广，可泛称一切计算机为工具，所进行之设计；因此不仅在IC设计上用得到，建筑上之设计，飞机、船体之设计，都可能用到。在以往计算机尚未广泛应用时，设计者必须以有限之记忆、经验来进行设计，可是有了所谓CAD后，我们把一些常用之规则、经验存入计算机后，后面的设计者，变可节省不少从头摸索的工作，如此不仅大幅地提高了设计的准确度，使设计的领域进入另一新天地。
28 CD MEASUREMENT 微距测试 CD: Critical Dimension之简称。通常于某一个层次中，为了控制其最小线距，我们会制作一些代表性之量测图形于晶方中，通常置于晶方之边缘。简言之，微距测量长当作一个重要之制程指针，可代表黄光制程之控制好坏。量测CD之层次通常是对线距控制较重要之层次，如氮化硅、POLY、CONT、MET…等，而目前较常用于测量之图形有品字型，L-BAR等。
acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2.彩虹冰淇淋机系列 acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering煎药包装机 Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如M打浆机青饲料打浆机OS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy油炸大虾：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium flu08新款大型爆米花锅oride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphou钢筋切断机s silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstro2元斯贝斯冰淇淋m：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQ螺旋输送机图纸L(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95置信度通过质量标准（不同于水果分级机可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层双联过滤器（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 旋转式压片机20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22松下全热交换器. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（E双螺旋分级机TCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，七彩云南又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Basel高速离心机ine：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boa手动电动薯塔机t：扩散用（石英）舟 31. CD： （Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条胶囊包装机宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含石墨冷却器工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛袋装牛奶灌装机械光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化离心玻璃棉学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：com螺旋输送机 吊轴承puter-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 中国输送设备网37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Clea真空耙式干燥机nroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。 39. Compensation d阿法拉伐板式换热器oping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。 40. CMOS：complementar按分选大学y metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 外抽真空机墨龙. 41. Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。 42. Conducti美质原生乳木果vity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。 4浓缩器3. Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。 44. Control chart：控制图。一板式换热器价格种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。 45. Correlation：相关性。 46. C灿坤蛋糕机p：工艺能力，详见process capability。 47. Cpk：工艺能力指数，详见process ca多彩拉丝棉花糖机系列pability index。 48. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来卧式拌面机hm衡量流通速度的快慢。 49. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可馋嘴佬彩色面条机8以叫做损伤。 50. Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。 51. Deplet快速成型机ion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流胶囊包装机过的晶体管。） 52. Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区喷雾干燥设备域。 53. Depletion width：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。 54. De果蔬清洗机position：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。 55. Dept电子分选机h of focus（DOF）：焦深。 56. design of experiments (DOE)：为了达到斯贝斯冰淇淋费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。 57. develo喷雾干燥机工作原理p：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程） 58. developer：Ⅰ）显影设备； Ⅱ筋饼如何做）显影液 59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产反冲洗过滤器中的硼源 60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。 <胶囊装瓶机BR>61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，蛋糕柜常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。 62. die：硅片中一个很小的单位，薯塔机价格包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。 63. dielectric：Ⅰ）介质，卧式混合机一种绝缘材料； Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。 64. diffused layer：扩灌装封口机散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。 65. disil冷藏设备ane (Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元全自动油炸锅时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。 66. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。 67. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺电加热锅炉过程。 68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定麦当劳双层吉士汉堡范围内的硅锭前端的深度。 69. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿反渗透原理铝条连线进行的自扩散过程。 70. epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上非油炸方便面生长一层单晶半导 体材料，这一单晶半导体层即为外延层。 71. equipment downtime：设备状态异中国浓缩果汁网常以及不能完成预定功能的时间。 72. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。 73冰淇淋机. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。 74. fab：常指半导体生产的制造工厂pet清洗设备。 75. feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。 76. field-effe塑料封口机ct transistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横真空干燥机向电场控制。 77. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。 78. flat：平边 7香怡丽舍手机加香9. flatband capacitanse：平带电容 80. flatband voltage：平带电压 <冷柜价格BR>81. flow coefficicent：流动系数 82. flow velocity：流速计 爱宁电饼铛83. flow volume：流量计 84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数 85. for离心力bidden energy gap：禁带 86. four-point probe：四点探针台 87. 棉花糖z7functional area：功能区 88. gate oxide：栅氧 89. glass tran单冲压片机sition temperature：玻璃态转换温度 90. gowning：净化服 91. gray 小灵通机卡分离area：灰区 92. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪 93. hard bake：后烘 94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法 95. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产 96. hi真空干燥机gn-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.9旋转式压片机7于0.3um的颗粒 97. host：主机 98. hot carriers：热载流子 超市冷藏柜99. hydrophilic：亲水性 100. hydrophobic：疏水性 101. impuri油炸花生米ty：杂质 102. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体 103.微波杀菌机 inert gas：惰性气体 104. initial oxide：一氧 105. insulator玉米膨化机系列：绝缘 106. isolated line：隔离线 107. implant : 注入 108祥云氢气球机刘杰. impurity n : 掺杂 109. junction : 结 110. junction sp陶瓷过滤机iking n :铝穿刺 111. kerf :划片槽 112. landing pad n :PAD 制药设备网 113. lithography n 制版涂胶，曝光，显影。
涂胶又分HMDS，Coat，Softbake三步，显影分PEB，Develop，Hardbake三步。
连续喷雾显影/自动旋转显影。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面，同时硅片低速旋转（100～500rpm）。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。
扩展资料：
决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；
影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。
一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。
参考资料来源：百度百科-光刻
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