被炒上天的第三代半导体

近期半导体怎么就突然走强，要从下面这个政策说起：

一直以来美国依靠创始地位，在芯片设计、制造领域有巨大的优势。一个市场数据：美国设计的芯片占了54%的市场份额，中国仅仅占了3%。另外在芯片制造领域，美国EDA软件、材料、设备的优势更大。世界唯一的光刻机巨头荷兰ASML也受控于美国，所以此前中国采购最先进的EUV光刻机被迫中止。所以近年来芯片 科技 之战主要在于芯片，台积电、中芯国际都受到美国的影响。

随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日益增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视，国际上已形成完整的覆盖材料，器件，模块和应用等环节的产业链，全球新一轮的产业升级已经开始。

目前，我国集成电路产业和软件产业快速发展。中国是世界最大的集成电路产品消费市场，也是全球集成电路产业的发展的重要支撑。

半导体是计算机、通信、电子等产品的核心组成部分。中国大陆已是全球最大的半导体市场，大力发展半导体产业成为中国的电子信息产业稳定发展的关键。

据了解，半导体第一代材料是硅(Si)，如硅谷，是第一代产业园的代表；第二代材料是砷化镓(GaAs)，是目前绝大部分通信设备的材料；第三代材料是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，是未来5G时代的标配，同时在新能源 汽车 、消费电子、新一代显示、航空航天等领域也有重要应用。

针对基金分散投资的原则，部分公募会对投资全市场基金设置行业配置不超30%的上限要求。部分中小公司可能会在规模和业绩考核压力下，投资风格出现短期化和激进的表现。不过，从 历史 经验看，做行业轮动的基金长期业绩没有很好的。

还是建议投资者根据自身的风险偏好和投资偏好去选择市场上的投资工具，每个人的资产配置不一样，成长类基金面临高波动、高收益等特点，这很重要。

半导体材料是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。

自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而升高，这与金属导体恰好相反。

凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。

由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999%～99.9999999%) 的锗开始的。采用元素半导体硅（Si）以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。

半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。

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