砷化镓的介电常数，电子迁移率分别是多少

吉林大学《半导体器件物理》附录，介电常量砷化镓13.1，硅11.8，锗16.0。迁移率砷化镓8500、400，硅1350、480，锗3900、1900，大的是电子的迁移率，电子有效质量小比较瘦跑得快嘛←_←

砷化镓 GaAs

Gallium arsenide。

是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作磊晶片。

由於传送讯号的射频元件需要工作频率高、低功率消耗、低杂讯等特色，而砷化镓本身具有光电特性与高速，因此砷化镓多用於光电元件和高频通讯用元件。砷化镓可应用在WLAN、WLL、光纤通讯、卫星通讯、LMDS、VSAT等微波通讯上。不过，砷化镓材料成本较高，使用的制程设备也与一般IC业者常用的矽制程设备不同。

---