CPU的45纳米工艺是指什么？

概述：

英特尔45纳米高K半导体制程技术全称为英特尔45纳米高K金属栅硅制程技术。该技术突破性的采用金属铪制作具有高K特性的栅极绝缘层，是半导体行业近40年来的重要创新。英特尔的65纳米制程升级为45纳米制程技术并非以往升级所带来的量变，而是脱胎换骨的飞跃。凭借制程的创新，英特尔迈出TICK-TOCK产品发展战略稳健的又一步，并拉开了半导体行业发展的历史新篇章。这一创新再次延续了摩尔定律，使之在未来10年继续有效。

随着英特尔45纳米半导体制程技术揭开神秘面纱，一系列采用该技术的服务器、工作站及台式机处理器同期发布。较前代产品，新产品在性能、能耗比以及经济性方面有显著提高，并将在正式发布后向市场供货。

预览英特尔45纳米制程技术创新

英特尔45纳米高k金属栅极晶体管技术

英特尔45纳米高k金属栅极晶体管技术是英特尔制造晶体管的新方法，它以一种具有高k特性的新材料作为“栅极电介质”，并采用了一种新型金属材料作为晶体管的“栅极”。向这些新材料组合的转变，标志着40多年来晶体管制造方式最重大的变革。

采用英特尔45纳米高k晶体管的优势

全新英特尔45纳米高k晶体管方案通过缩小晶体管的体积解决了漏电率问题。它能降低晶体管的漏电率，帮助英特尔的工程师们在提供更高性能的同时降低处理器的能耗。同时，笔记本电脑用户也将发现，漏电率的降低使得能耗也随之减少，电池的使用时间更长了。

英特尔在新制程技术中采用的新材料

高k材料基于一种名为铪的元素，而不是以往的二氧化硅；而晶体管栅极则由两种金属元素组成，取代了硅。多数晶体管和芯片仍基于先进的英特尔硅制程技术制造。新的方案中结合了所有这些新材料，是英特尔提升处理器性能的独特手段。

采用金属铪的价值所在

铪是元素周期表中的72号元素，也是一种金属材料。它呈银灰色，具有很高的韧性和防腐性，化学特性类似于锆。英特尔之所以在45纳米晶体管中采用铪来代替二氧化硅，是因为铪是一种较厚（thicker）的材料，它能在显著降低漏电量的同时，保持高电容来实现晶体管的高性能。这项创新技术引导我们推出了新一代45纳米处理器，并为我们将来生产体积更小巧的处理器奠定了基础。

45nm和65nm指的是CPU制程中的线宽等级。

线宽的定义就是CPU核心集成电路中线路的宽度，从早期的0.18um，到后来的65nm(1um=1000nm)和45nm制程，相比起人头发的直径40um来说，已经是非常精细的等级了。在半导体生产上是通过光刻(litography)的工艺来实现的。

线宽越小，同样的芯片面积中就能容纳更多的线路，发热量也就越小。

45nm(1μm=1000nm，1nm为10亿分之一米)不是指的芯片上每个晶体管的大小，也不是指用于蚀刻芯片形成电路时采用的激光光源的波长，而是指芯片上晶体管的栅极宽度，衡量半导体制程的参数很多，比如芯片上晶体管和晶体管之间导线连线的宽度，简称线宽。

处理器性能的不断提高离不开优秀的核心微架构设计，而芯片生产工艺的更新换代是保证不断创新设计的处理器变为现实的基础。

每一次制作工艺的更新换代都给新一轮处理器高速发展铺平了大道。因为线宽越小，晶体管也越小，让晶体管工作需要的电压和电流就越低，晶体管开关的速度也就越快，这样新工艺的晶体管就可以工作在更高的频率下，随之而来的就是芯片性能的提升。

最新的注入了金属铪集成电路的

45纳米英特尔，即刻拥有超前的计算性能，智能内存访问，通过优化可用数据带宽的使用率来提高系统性能。高级智能高速缓存，提供性能更强效率更高的缓存子系统。专为多核处理器和双核处理器做了优化。

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