为什么纳米半导体材料的带隙要比其对应的块体材料要大

要理解这个现象，你先得知道能带的成因：晶体是由大量的原子有序堆积而成的。由原子的电子轨道的数量非常之大，使得原子能级发生简并，在能级两边扩展，原子数越多扩展越厉害，使得原来两能级间距离即带隙减小。然而在纳米材料，原子数少，则原子的电子轨道的数量就很少，后面你懂的。

带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙超过3ev的被认为是宽带隙半导体，例如GaN、SiN和ZnO，小于3ev的就是窄带隙。带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低。

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