现代（HY）
个人认为，原厂现代和三星内存是目前兼容性和稳定性最好的内存条，其比许多广告吹得生猛的内存条要来得实在得多，此外，现代"Hynix（更专业的称呼是海力士半导体Hynix Semiconductor Inc.）"的D43等颗粒也是目前很多高频内存所普遍采用的内存芯片。目前，市场上超值的现代高频条有现代原厂DDR500内存，采用了TSOP封装的HY5DU56822CT-D5内存芯片，其性价比很不错。
金士顿（Kingston）
作为世界第一大内存生产厂商的Kingston，其金士顿内存产品在进入中国市场以来，就凭借优秀的产品质量和一流的售后服务，赢得了众多中国消费者的心。
不过Kingston虽然作为世界第一大内存生产厂商，然而Kingston品牌的内存产品，其使用的内存颗粒确是五花八门，既有Kingston自己颗粒的产品，更多的则是现代（Hynix）、三星（Samsung）、南亚（Nanya）、华邦（Winbond）、英飞凌（Infinoen）、美光（Micron）等等众多厂商的内存颗粒。
Kingston的高频内存有采用"Hynix"D43颗粒和Winbond的内存颗粒的金士顿DDR400、DDR433-DDR500内存等，其分属ValueRam系列（经济型）和HyperX系列。
Kingston的ValueRam系列，价格与普通的DDR400一样，但其可以超频到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超频性也不错，Kingston 500MHz的HyperX超频内存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB单片包装与容量512MB与1GB双片的包装上市，其电压为2.6伏特，采用铝制散热片加强散热，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值为2.5，DDR500下的CAS值为3，所以性能也一般。
利屏
利屏是进来新近崛起的一个内存新秀。利屏科技（深圳）有限公司总部设在美国西部风景如画的世界高科技重镇旧金山。公司致力于研发、生产和销售利屏LPT极限高端内存条产品。公司拥有一支技术过硬的产品研发团队和足迹遍及中、外的专业销售队伍。产品深受广大游戏玩家和超频爱好者的喜爱。同时被冠以“超频之神”的美誉。
“利屏”眼镜蛇DDR400系列内存也是专门为追求性能的玩家所设计，它采用的也是D43的颗粒，但是时序更高，为了加强散热更是加上了金属散热片，其超频能力相当强劲，在加0.1V左右的电压下可以超频到DDR520。而利屏的DDR466内存，它采用的是编号为K4H560838E-TCCC的三星颗粒，运行在DDR466的时候内存时序为3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的报价就显得太高了。
而利屏的高端极限内存DDR560，提供单片256MB和512MB包装，同时双片装的512MB和1024MB支持双通道架构，每条内存的表面均有铜质散热片进行散热及确保运行的稳定性，其CAS值均为3，只能说刚好能用而已。
勤茂（TwinMOS）
勤茂（TwinMOS）CAS为2的DDR433内存，采用CSP技术封装—这款，勤茂DDR433内存的CAS Latency控制在2，Burst Length控制在2、4、8，性能指数不错。此外，内存外面包裹着金黄色内存罩，能起到散热和屏蔽的作用，内存颗粒与散热片之间则填充了导热的垫片。价格在350元左右，其可超性也不含糊，性价比不错。
胜创（Kingmax）
成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国台湾省前200强的生产企业（Commonwealth Magazine，May 2000），同时也是内存模组的引领生产厂商。
通过严格的质量控制和完善的研发实力，胜创科技获得了ISO-9001证书，同时和IT行业中最优秀的企业建立了合作伙伴关系。公司以不断创新的设计工艺和追求完美的信念生产出了高性能的尖端科技产品，不断向移动计算领域提供价廉物美的最出色的内存模组。
在SDRAM时期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝国，开启了内存产品的高速时代，也奠定了Kingmax在内存领域领先的地位。而今DDR来了，从266到300，再到现在的500，Kingmax始终保持着领先的位置，继续引领着内存发展的方向。说到KingMax内存，就不能不说到它独特的 “TinyBGA”封装技术专利——作为全球领先的DRAM生产厂商，胜创科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封装技术的内存模组，这项屡获殊荣的封装技术能以同样的体积大小封装3倍于普通技术所达到的内存容量。同时，胜创科技还研制了为高端服务器和工作站应用设计的1GB StackBGA模组、为DDR应用设计的FBGA模组以及为Rambus RIMM应用设计的速度高达1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模组。
Kingmax胜创推出的低价版的DDR433内存产品，该产品采用传统的TSOP封装内存芯片，工作频率433MHz。Kingmax推出的这个SuperRam PC3500系列的售价和PC3200处于同一档次，这为那些热衷超频又手头不宽裕的用户提供了一个不错的选择。此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500内存产品，其性能和其它厂家的同类产品大同小异。
海盗船（Corsair）
Corsair（海盗船）是一家较有特点的内存品牌，其内存条都包裹着一层黑色金属外壳，这层金属壳紧贴在内存颗粒上，一方面可以屏蔽其他的电磁干扰。其代表产品如Corsair TwinX PC3200（CMX512-3200XL）内存，其在DDR400下，可以稳定运行在CL2-2-2-5-T1下，将潜伏期和寻址时间缩短为原来的一半，这款内存并不比一些DDR500产品差，而且Corsair为这种内存提供终身保修。
而Corsair DDR500内存采用Hynix芯片，这款XMS4000能稳定运行在DDR500，并且可以超频到DDR530，在DDR500下其CAS值为2.5，性能还算不错。
宇瞻（Apacer）
在内存市场，Apacer一直以来都有着较好的声誉，其SDRAM时代的WBGA封装也响彻一时，在DDR内存上也树立了良好形象。宇瞻科技隶属宏碁集团，实力非常雄厚。初期专注于内存模组行销，并已经成为全球前四大内存模组供应商之一。据权威人士透露，在国际上，宇瞻的品牌知名度以及产品销量与目在前国内排名第一的品牌持平甚至超过，之所以在国内目前没有坐到龙头位置，是因为宇瞻对于品牌宣传一直比较低调，精力更多投入到产品研发生产而不是品牌推广当中。
最近，宇瞻相应推出的"宇瞻金牌内存"系列。宇瞻金牌内存产品线特别为追求高稳定性、高兼容性的内存用户而设计。宇瞻金牌内存坚持使用100％原厂测试颗粒（决不使用OEM颗粒）是基于现有最新的DDR内存技术标准设计而成，经过ISO 9002认证之工厂完整流程生产制造。采用20微米金手指高品质6层PCB板，每条内存都覆盖有美观精质的黄金色金属铭牌，而且通过了最高端的Advantest测试系统检测后，采用高速SMT机台打造，经过高低压、高低温、长时间的密封式空间严苛测试，并经过全球知名系统及主板大厂完全兼容性测试，品质与兼容性都得到最大限度的保证。
宇瞻的DDR500内存（PC4000内存）采用金黄色的散热片和绿色的PCB板搭配。金属散热片的材质相当不错，在手中有种沉甸甸的感觉，为了防止氧化，其表面被镀成了金色。内存颗粒方面，这款内存采用了三星的内存颗粒，具体型号为：K4H560838E-TCC5，为32Mx8规格DDR466@CL=3的TSOPII封装颗粒，标准工作电压2.6V+-0.1V，标准运行时序CL-tRCD-tRP为3-4-4。在DDR500下其CL值为3，性能将就。
金邦（Geil）
金邦科技股份有限公司是世界上专业的内存模块制造商之一。全球第一家也是唯一家以汉字注册的内存品牌，并以中文命名的产品"金邦金条"、"千禧条GL2000"迅速进入国内市场，在极短的时间内达到行业销量遥遥领先。第一支"量身订做，终身保固"记忆体模组的内存品牌，首推"量身订做"系列产品，使计算机进入最优化状态。在联合电子设备工程委员会JEDEC尚未通过DDR400标准的情况下，率先推出第一支"DDR400"并成功于美国上市。
金邦高性能、高品质和高可靠性的内存产品，引起业界和传媒的广泛关注。在过去几年中，金邦内存多次荣获国内权威杂志评为读者首选品牌和编辑选择奖，稳夺国内存储器市场占有率三强。
金邦的Geil Platinum系列的DDR500内存（PC4000），采用TSOPII封装，使用了纯铜内存散热片，可较妥善的解决内存的散热问题。采用六层低电磁干扰PCB板设计；单条容量256MB，在内存芯片上做了整体打磨并上打上了Geil的印记，"号称"使用了4ns的内存芯片，但仍可以看出其是采用Hynix的内存颗粒。额定工作频率可达500MHz，在内存参数方面这是默认为CL3，可达CL2.5。除此而外，其还有金条PC4200（DDR533）等款产品。
威刚（ADATA）
威刚的高频内存有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款价格适宜的DDR500产品，CAS值为3，其没有使用散热片，在芯片上的标签显示了Adata ID号。
八.图解内存的分类和命名方法
内存命名方法
内存命名方法
昱联 Asint
ASint记忆体颗粒从日系大厂尔必达(Elpida)严格的 Burn-In(烧机)测试中，严选出通过 Intel(英特尔)认证的特A级颗粒。
ASint记忆体模组针对超频速度及超频后的稳定度加以调适SPD，在提高记忆体性能与频率的极限值时，同时保有极佳相容性与高稳定度。重新解释系统DRAM的角色，并且加强其他系统元件表现，低电压高效能是ASint记忆体的一大特点。
ASint记忆体，圣殿骑士系列采用8层高压密集雷射电路板，用料布局整齐符合JEDEC规范，精细焊点与电镀金手指，有效提高抗氧化性。微型电容和绵密电阻皆经过严格认证，有效减少外来信号的干扰。载入滤波电路设计，滤除电磁杂波，增强抗扰能力。
ASint昱联科技源自矽统科技(SIS)晶片组的优异技术与测试平台，通过Intel官方指定认证机构(AVL)与JEDEC之认证。
ASint记忆体为确保整个系统的稳定与记忆体能长时间的运作，模组出厂皆经72hr的稳定性满载(Full-Loading)烧机测试与验证。
在愈来愈重视环保议题的社会，欧盟推出物质产品出货皆需符合绿色规范。 ASint对此更是不遗余力，坚持以无铅( Lead Free)BGA封装来制造符合RoHS的「环保导向」的「绿色」产品，为这环保绿色地球尽一份心力！
ASint记忆体与INTEL / AMD两大平台之间的相容性，符合全球一线品牌电脑商的工规要求.除了业界标准测试程式(Memtest / RST)与双通道测试外，出厂前还经高端游戏测试软体(Golden Memory)筛选，提供高阶3D游戏大赛解决方案。
选购内存条时除了要考虑前面介绍的引脚数、容量和存取速度之外，还要考虑以下几个因素：
(1) 奇偶性
为了保证内存存取数据的的准确性，有些内存条上有奇偶校验位，如3片或9片装的内存条。如果您对电脑运行的准确性要求很高，最好选择有奇偶校验功能的内存条。
(2) 价格
虽然现在的内存条和以前相比，价格已经大幅下降，但不同的品牌和性能，价格还是有一些差别，您可根据自己的需要和预算情况选择适合自己的价位。另外，购买内存时您还须注意品牌和质量，目前，生产内存的厂家较多，质量较为可靠的品牌有：南韩LG、金士顿,日本的东芝、日本精工、日本电气公司、日本松下。
内存在电脑中起着举足轻重的作用。内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。
通常所说的内存即指电脑系统中的RAM。
内存方面的东西，自己看吧AGP(Accelerated Graphics Port) －图形加速接口
Intel开发的用于提高图形处理速度的接口。它可以让图形的数据流直接在显卡主控芯片和内存之间通信，不必经过显存。
Access Time－存取时间
RAM 完成一次数据存取所用的平均时间（以纳秒为单位）。存取时间等于地址设置时间加延迟时间（初始化数据请求的时间和访问准备时间）。
Address-地址
就是内存每个字节的编号。目的是按照该编号准确地到该编号的内存去存取数据。
ANSI (American National Standards Institute)
美国国家标准协会 - 一个专门开发非官方标准的非赢利机构，其目的在于提高美国工业企业的生产率和国际竞争力。
ASCII （American Standard Code for Information Interchange）
美国信息互换标准代码--将文本编码为二进制数的一种方法。 ASCII 编码体系采用了8位二进制数的256种组合，来映射键盘的所有按键。用于数据处理系统，数据通讯系统及相应设备中进行信息交换。ASCII字符集由控制字符和图形字符组成。
Async SRAM-异步静态内存
一种较为陈旧的SRAM，通常用来做电脑上的Level 2 Cache。
BSB (Backside Bus)
后端总线- CPU 和 L2 cache 之间的数据通道。
Bandwidth－带宽
1、 传输数据信息的能力。信息交换的形式多种多样，可以通过但根电线，也可以通过总线或信道的并行线。一言以蔽之，就是单位时间内数据的移动量，通常用位/ 秒、字节/秒或赫兹（周/秒）表示。
2、 内存的数据带宽：一般指内存一次能处理的数据宽度，也就是一次能处理若干位的数据。30线内存条的数据带宽是8位，72线为32位，168线可达到64位。
Bank （参照memory bank）－内存库
在内存行业里，Bank至少有三种意思，所以一定要注意。
1、 在SDRAM内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。（等同于"行"/Row）
2、 Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。（现在通常是4个bank）。
3、 它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK，电脑才可以正常开机。举个例子，奔腾系列的主板上，1个168线槽为一个BANK，而2个72线槽才能构成一个BANK，所以72线内存必须成对上。原因是，168线内存的数据宽度是64位，而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽。
Bank Schema －存储体规划
一种图解内存配置的方法。存储体规划由若干用来表示电脑主板上的内存插槽的行或列组成。行表示独立的插槽；列代表bank数。
Base Rambus －初级的Rambus内存
第一代的Rambus内存技术，1995年面市。
Baud －波特
1、 表示通讯速率的一种单位，等于每秒传输一个码元。
2、 在异步传输中，表示调制速率的一种单位，相当于每秒一个单位间隔。
BGA (Ball Grid Array)－球状引脚栅格阵列封装技术
这是最近几年开始流行的高密度表面装配封装技术。在封装的底部，引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案，由此命名为BGA。目前的主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。
Binary －二进制
把数字或信息表示为若干bit的一种编码规则。二进制（也叫base 2）中，所有数字都是由1和0这两个数字的组合来表示。
BIOS (Basic Input-Output System) －基本输入/输出系统
启动时自动加载的例行程序，用来为计算机的各种 *** 作做准备。
Bit－位、比特
计算机所能处理信息的最小单位。因为是二进制，所以一个bit的值不是1就是0。
BLP－底部引出塑封技术
新一代内存芯片封装技术，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP封装规范。此类内存芯片不但高度和面积小，而且电气特性也得到了提高。
Buffer－缓冲区
一个用于存储速度不同步的设备或优先级不同的设备之间传输数据的区域。通过缓冲区，可以使进程之间的相互等待变少，从而使从速度慢的设备读入数据时，速度快的设备的 *** 作进程不发生间断。
Buffered Memory－带缓冲的内存
带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片，而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构，决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。
BEDO (Burst EDO RAM) －突发模式EDO随机存储器
BEDO内存能在一个脉冲下处理四个内存地址。形象地说，它一次可以传输一批数据。总线的速度范围从50MHz 到 66MHz (与此相比，EDO内存速度是33MHz，FPM内存的速度是25MHz)。
Burst Mode－突发模式
当处理器向一个独立的地址发出数据请求时，引发的数据区块（连续的一系列地址）高速传输现象
Bus－总线
计算机的数据通道，由各种各样的并行电线组成。CPU、内存、各种输入输出设备都是通过总线连接的。
Bus Cycle－总线周期
主存和CPU之间的一次数据交流。
Byte－字节
信息量的单位，每八位构成一个字节。字节是一个用于衡量电脑处理信息量的常用的基本单位；几乎电脑性能和技术规格的各个方面都用字节数或其若干倍数来衡量（例如KB，MB）。
Cacheability－高速缓存能力
主板芯片组的高速缓存能力，是指主存能够被L2 Cache所高速缓存的最大值。比方说，TX芯片组的主板由于L2 Cache对主存的映射（Mapping）的上限是64MB，所以当CPU读取64MB之后的内存时无法使用高速缓存，系统性能就无法提高了。
Cache Memory－高速缓存存储器
也叫cache RAM，在CPU旁边或附带在CPU上的一小块高速内存(一般少于 1M联系着CPU和系统内存。Cache memory 为处理器提供最常用的数据和指令。Level 1 cache也叫主高速缓存 (primary cache)， 是离CPU最近的高速缓存，容量只有8KB~6KB，但速度相当快。Level 2 cache 也叫次高速缓存(secondary cache)，是离CPU第二近的高速缓存，通常焊接在主板上，容量一般为64KB~1MB，速度稍慢。
CAS (Column Address Strobe)－列地址选通脉冲
在内存的寻址中，锁定数据地址需要提供行地址和列地址，行地址的选通由RAS控制，列地址的选通由CAS决定。
CL（CAS Latency ）－列地址选通脉冲时间延迟
CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。
CDRAM （Cache DRAM）－快取动态随机存储器
同EDRAM（Enhanced DRAM）
Checksum－检验和，校验和
在数据处理和数据通信领域中，用于校验目的的一组数据项的和。这些数据项可以是数字或在计算检验和过程中看作数字的其它字符串。
参考Parity（校验）
Chipset－芯片组
把主存、AGP插槽、PCI插槽、ISA插槽连接到CPU的外部控制逻辑电路，通常是两个或两个以上的微芯片，故称做芯片组。芯片组通常由几个控制器构成，这些控制器能够控制信息流在处理器和其他构件之间的流动方式。
Chip-Scale Package (CSP)－芯片级封装
薄芯片封装，其电路连接通常是采用BGA（球状引脚格状阵列）。这种封装形式一般用于RDRAM（总线式动态内存）和 flash memory（闪存）。
Compact Flash－紧凑式闪存
一种结构轻小的存储器，用于可拆卸的存储卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作电压低，掉电后数据不丢失。应用范围包括：数码相机、移动电话、打印机、掌上电脑、寻呼机，以及录音设备。
Concurrent Rambus－并发式总线式内存
Rambus内存的第二代技术产品。Concurrent Rambus内存一般用于图形工作站、数码电视、视频游戏机。
Continuity RIMM (C-RIMM)－连续性总线式内存模组
一种不带内存芯片的直接总线式内存模组（Direct Rambus）。C-RIMM 为信号提供了一个连续的通道。在直接总线式内存系统中，开放的连接器必须安装C-RIMM。
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semicomductor）－互补金属氧化物半导体
用于晶体管的一种半导体技术，结合了N型与P型晶体管的优势，现在主要用于电脑芯片，如存储器、 处理器等。
CPU (Central Processing Unit)－中央处理单元
计算机芯片的一种，其主要职能是解释命令和运行程序。CPU也叫处理器（processor）或微处理器（microprocessor）。
Credit Card Memory －xyk内存
主要用于膝上型电脑和笔记本电脑的一种内存。其外型尺寸犹如一个xyk，因此而得名。
CSRAM
同Pentium II Xeron匹配的一种高速缓存，容量为512KB。
DDR(Double Data Rate SDRAM)－ 双数据输出同步动态存储器。
DDR SDRAM 从理论上来讲，可以把RAM的速度提升一倍，它在时钟的上升沿和下降沿都可以读出数据。
Desktop－台式机，桌上型电脑
Die－模子，芯片颗粒
DIME （Direct Memory Execution）
直接内存执行功能
DIMM（Dual-In line Memory Module）－双边接触内存模组
形象的说：内存条正反两面金手指是不导通的，如常见的有100线、168线、200线内存（long Dimm）和72线、144线（SO-Dimm）。DIMM一般有64位带宽，并且正反面相同位置的引脚不同；而SIMM一般只有32位带宽，需要两条两条同时使用，一般通过72线金手指与主板相连。
Direct Rambus－直接总线式随机存储器
Rambus 技术的第三代产品，它为高性能的PC机提供了一种全新的DRAM 结构。现在的SDRAM在64-bit的宽带总线上速度只有100MHz；与此相对照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其数据传输速度可高达800MHz 。
DIP (Dual In-line Package)－双列直插式封装，双入线封装
DRAM 的一种元件封装形式。DIP封装的芯片可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷电路板的小孔上。在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。 DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高6六倍。
Direct RDRAM－直接总线式动态随机存储器
该设备的控制线和数据线分开，带有16位接口、带宽高达800 MHz，效率大于90% 。一条Direct RDRAM 使用两个8-bit 通道、工作电压2.5V ，数据传输率可达到1.6 GBps 。 它采用一个分离的8位总线（用于地址和控制信号），并拓宽了8到16位或9到18位数据通道，时钟达到400 MHz ，从而在每个针（pin）800Mbps的情况下（共计1.6 GBS）使可用数据带宽最大化。
DMA （Direct Memory Access）－直接内存存取
通常情况下，硬盘光驱等设备和内存之间的数据传输是由CPU来控制的。但在DMA模式下，CPU只须向DMA控制器下达指令，让DMA控制器来处理数的传送，数据传送完毕再把信息反馈给CPU。这样，CPU的负担减轻了，数据传输的效率也有所提高。
DRAM (Dynamic Random-Access Memory)－动态随机存储器
最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。
Dual Independent Bus (DI－双重独立总线
英特尔开发的一种总线结构，因为它通过两个分开的总线（前端总线和后端总线）访问处理器，所以DIB能提供更大的带宽。奔腾II电脑就有DIB总线。
ECC（Error Correcting Code）－错误更正码，纠错码
ECC是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。ECC在设计上比parity更精巧，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。通常ECC每个字节使用3个Bit来纠错，而parity只使用一个Bit。
ECC另有一种解释是Error Checking &Correction ,既错误检查与更正。
带ECC的内存比普通SDRAM内存多1、2个芯片，价格很昂贵，一般用在工作站或服务器上。
EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)－扩展数据输出动态存储器
有的也叫Hyper Page Mode DRAM。 EDO的读取方式取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，从而提高了工作效率（约比传统的DRAM快15~30%）。
EDO内存一般为72线（SIMM），也有168线（DIMM），后者多用于苹果公司的Macintosh电脑上。
EDRAM (Enhanced DRAM)－增强型动态随机存储器
动态随机存储器的一种，内部集成2 或 8 Kbit静态随机存储器（SRAM，Static Random Access Memmory），用于缓存读取过的信息。如果下次读取的数据在SRAM内，则直接输出以加快读取速度，否则再到DRAM内寻找。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)
电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用（Plug &Play）接口卡中，用来存放硬件设置数据；防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面也能找到它。
EISA (Extended ISA)－扩展工业标准结构
将附加卡（例如视频卡、内置式MODEM等）连接到PC机主板的一种总线标准。EISA有一个32位的数据通道，使用能够接受ISA卡的连接器。不过，EISA卡只能与EISA系统匹配。EISA总线的 *** 作频率比ISA高得多，并且能够提供比ISA快得多的数据吞吐率。
EMI （Electron-Magnetic Interference）－电磁干扰
任何产生电磁场的电子设备都会或多或少地产生噪声场，干扰其附近的电子设备，这种现象就叫做电磁干扰。
EMS（Expanded Memory Specification）－扩充内存规范
这是由AST、Intel、微软公司共同开发的一种能让DOS突破640KB寻址范围的规范，可以让DOS对640KB甚至1M之间的地址进行页面式的访问。需要有专用的驱动管理程序支持，如EMM386.EXE
EOS (ECC on SIMM)
IBM公司的一种数据完整性检测技术，它的一个明显特征就是在SIMM（单边接触内存模组）上带有检测数据完整性的ECC（自动检错码）芯片。
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)－可擦可编程只读存储器
一种可以重复利用的可编程芯片。其内容始终不丢失，除非您用紫外线擦除它。一般给EPROM 编程或擦除内容时，需要用专用的设备。
ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增强型同步动态内存
Enhanced Memory Systems, Inc 公司开发的一种SDRAM，带有一个小型的静态存储器。在嵌入式系统中， ESDRAM代替了昂贵的SRAM （静态随机存储器），其速度与SRAM相当，但成本和耗电量却比后者低得多。
Even Parity－偶校验
一种来检测数据完整性的方法。与奇校验相反，8个数据位与校验位加起来有偶数个1。具体参考Odd Parity奇校验。
FCRAM (Fast-Cycle RAM)－快速周期随机存储器
东芝（Toshiba）和富士通（Fujitsu）公司正在开发的一种内存技术。开发FCRAM 的目的不是用来做PC机的主存，而是用在某些特殊的设备：例如一些高端服务器、打印机，还有一些远程通讯的交换系统。
Fast-Page Mode－快速翻页模式
一种比较老的DRAM。与比它还早的页面模式内存技术相比，它的优势是在访问同一行的数据时速度比较快。
Firmware－固件，韧件
简单地说，就是含有程序的存储器，负责管理所附装置的底层数据和资源。
Flash Memory－闪烁存储器，闪存
闪烁存储器在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，但是数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。区块大小一般由256K到20MB。FLASH这个词最初由东芝因为该芯片的瞬间清除能力而提出。源于EPROM，闪存芯片价格不高，存储容量大。闪存正在成为EPROM的替代品，因为它们很容易被升级。闪存被用于PCMCIA卡，PCMCIA闪存盘，其它形式硬盘，嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果闪存或其它相关的衍生技术能够在一定的时间内清除一个字节，那将导致永久性的（不易失）RAM的到来。
Form Factor－形态特征
用来描述硬件的一些技术规格，例如尺寸、配置等。比方说，内存的形态特征有：SIMM（单边）, DIMM（双边）, RIMM（总线式）, 30线, 72线, and 168线。
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)－快速翻页动态存储器
一种改良型的DRAM，一般为30线或72线内存。
若CPU所需的地址在同一行内，在送出行地址后，就可以连续送出列地址，而不必再输出行地址。一般来讲，程序或数据在内存中排列的地址是连续的，那么输出行地址后连续输出列地址，就可以得到所需数据。这和以前DRAM存取方式相比要先进一些（必须送出行地址、列地址才可读写数据）。
FSB (Frontside Bus)-前端总线
在CPU和内存之间的数据通道。
Gigabyte /GB－吉(咖)字节
约为10亿字节，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) 字节。
Gigabit /Gb－吉(咖)比特，吉位
约为10亿位，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) bit。
Heat Spreader－散热片
覆盖在电子设备上的用于散热的外壳，多为铝制品。
Heat Sink－散热片
CPU上常用的散热部件，一般为锌合金制造。
HY （Hyundai）－韩国现代电子公司
Hyper Page Mode DRAM
同EDO DRAM
IC (Integrated Circuit)－集成电路
半导体芯片上的电路（有时也被称为芯片或微芯片）由成千上万个微小电阻、电容、晶体管组成。半导体芯片通常封装在塑料或者陶瓷的外壳中，导线引脚露在外面。
特殊的IC 根据其作用可以分为线性芯片和数字芯片。
主要的内存IC厂商代号：
代 号
厂商英文名
厂商中文名
代 号
厂商英文名
厂商中文名
KM
SamSung
三星
TC
Toshiba
东芝
LH
Sharp
夏普
MN
Panasonic
松下
HM
Hitachi
日立
HY
Hyundai
现代
M5M
Mitsubishi
三菱
GM
LG_Semicon
金星
MCM
Motorola
摩托罗拉
MSM
OKI
冲电子
MT
Micron
迈克龙
MB
Fujitsu
富士通
TMS
TI
德州仪器
AAA
NMB
1
uPD
NEC
日电
2
3
4
Interleaving －交叉存取技术
加快内存速度的一种技术。举例来说，将存储体的奇数地址和偶数地址部分分开，这样当前字节被刷新时，可以不影响下一个字节的访问。
IT (Information Technology)－信息技术
IT行业，指与计算机、网络和通信相关的技术。
JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council）
电子元件工业联合会。JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。
Kilobit －千位
约为一千位，准确数值是 210 (1,024) 位。
Kilobyte－千字节
约为一千字节，准确数值是 210 (1,024) 字节。
KingHorse－香港骏一电子公司
香港骏一电子集团有限公司始创于一九九四年一月，公司草创初期主要从事电脑机箱、电源、显示器、键盘、主机板等电脑配件在大陆的销售业务。经过几年的整合，香港骏一以Kinghorse为品牌，专业从事台式计算机、笔记本、服务器、工作站以及计算机外围设备特种内存产品的研发、生产、销售，在香港及大陆均设有OEM厂家，并致力于中国信息产业的发展而努力。
Kingmax－胜创公司
成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国台湾省前200强的生产企业（Commonwealth Magazine，May 2000），同时也是内存模组的引领生产厂商。除台湾省内的机构之外，胜创科技在全球四大洲拥有9个办事处，公司在美国、中国、澳大利亚和荷兰拥有超过390名员工。
Kingston－金仕顿科技公司
金仕顿科技公司是一家设计和生产用于PC机、服务器、工作站、笔记本、路由器、打印机、和其他一些电子设备内存、处理器的公司。该公司于1987年由杜纪川和孙大卫先生创立，现在已经发展成产品超过2000种、年销售额超过16亿美圆的公司。
Latch－锁存（数据）
锁存器：电子学中的一种电路,可维持所承担的位置或状态,直到由外部手段将其复位到它前一种状态。SRAM就是用锁存器制作的。
L1 (Level 1 Cache) －一级高速缓存
也叫 primary cache，L1 Cache是在处理器上或离处理器最近的一小块高速存储器。 L1 Cache 为处理器提供最常用的数据和指令。
L2(Level 2 Cache)－二级高速缓存
也叫 secondary cache，L2 Cache 是离处理器较近（通常在主板上）的一小块高速存储器。L2 Cache为处理器提供最常用的数据和指令。在主板上的Level 2 cache 可以刷新、升级。
LGS （Goldstar）－金星
主要内存生产厂家
Logic Board－主板
同 Motherboard。
Mask ROM
生产固件时，先制造一颗含有原始数据的ROM作为模板，然后大批生产内容完全相同的ROM。这种方法大批量生产的ROM就叫做Mask ROM
MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK动态内存
MDRAM是MoSys公司开发的一种VRAM（视频内存），它把内存划分为32KB的一个个BANK（存储库），这些BANK可以单独访问，每个储存库之间以高于外部的数据速度相互连接。其最大特色是具有"高性能、低价位"特性，最大传输率高达666MB/S，一般用于高速显卡。
Megabit －兆位
约为一百万位，准确数值是1,0242 (1,048,576)位。
Megabyte－兆字节
约为一百万字节，准确数值是1,0242 (1,048,576)字节。
Memory －存储器，记忆体，内存
一般指电脑的RAM（random access memory）随机存储器，其主要用途是读取程序和临时保存数据；最为常见的内存芯片是DRAM。这一术语有时也用来指所有的用来存储数据的电子设备。
Memory Bank－存储体，〔记忆库〕
由一些地址相邻的存储单元组成的一种存储块，其大小由所在的计算机决定。比方说，32位的CPU必须使用一次能提供32位信息的memory bank。一个bank可能由一个或多个内存模组构成。
Memory Bus－内存总线
从CPU到内存扩展槽的数据总线。
Memory Controller Hub (MCH)－内存控制中心
Intel 8xx（例如820或840）芯片组中用于控制AGP、CPU、内存（RDRAM）等组件工作的芯片。
Memory Translator Hub (MTH)－内存转译中心
一种内存接口，通过它可以使Intel 820芯片组的主板的Direct Rambus 信道支持SDRAM内存。
Micro BGA (μBGA)－缩微型球状引脚栅格阵列封装
Tessera, Inc. 公司开发的的一种BGA 芯片封装技术，主要用于高频工作的RDRAM。这种技术能把芯片尺寸做得更小，提高了散热性，使内存条的数据密度增大了。
MIT （Mitsubishi）－日本三菱公司
Motherboard－主板
也叫logic board、main board或 computer board，是计算机系统的主体部分。电脑的CPU、内存、输入输出接口和扩展槽等大部分硬件都安装在主板上面。
Ms (millisecond) －毫秒
千分之一秒。
Multi-Way Interleaved
多重交错式内存存取结构，巫毒卡2代所采取的一种技术。
Nanosecond (ns)－纳秒,〔末秒,毫微秒〕
十亿分之一（10-9）秒。 内存的数据存取时间以纳秒为单位。
Nibble －半字节, 四位字节
Non-Composite
苹果电脑的内存术语，表示一种采用了新技术的内存条。该内存条上的芯片颗粒很少，但数据密度却非常高。Non-composite 内存条比 composite 内存条工作更可靠，但价格也相对很高。
Odd Parity－奇校验
校核数据完整性的一种方法，一个字节的8个数据位与校验位（parity bit ）加起来之和有奇数个1。校验线路在收到数后，通过发生器在校验位填上0或1，以保证和是奇数个1。因此，校验位是0时，数据位中应该有奇数个1；而校验位是1时，数据位应该有偶数个1。如果读取数据时发现与此规则不符，CPU会下令重新传输数据。
Page mode－页面模式
现在该技术已经被淘汰。在页面模式下，每次访问DRAM的同一行的每一列时，都会十分迅速。（参考FPM）
Parity：（Even / Odd）－奇偶校验
也叫Parity Check，在每个字节（Byte）上加一个数据位（Data Bit）对数据进行检查的一种冗余校验法。它是根据二进制字节中的"0"或"1"的数目是奇数还是偶数来进行校验的。在二进制字节中增加了一个附加位，用来表示该字节中的"0"或"1"的数目是奇数还是偶数。经过传输或存储后，再计算一次校验和（Checksum），如果与附加位一致，证明传输或存储中没有错误。
奇偶校验位主要用来检查其它8位（1 Byte）上的错误，但是它不象ECC（Error Correcting Code错误更正码），parity只能检查出错误而不能更正错误。奇偶校验的致命弱点是检查出错误后无法断定错在哪一位，容易死机，所以现在很少用了。取而代之的是ECC。
PB-SRAM （Pipelined Burst SRAM）－管道突发式静态内存
属于Level 2 Cache，多用于486后期及Pentium以上的主板。
PC100
JEDEC 和Intel制定的一种SDRA
中国目前内存颗粒生产厂主要有：现代(hynix) 也被称为海力士 三星(SAMSUNG) 内存工艺上要领先其他内存颗粒生产厂
南亚(elixir) 曾经的华邦winbond
奇梦达(Qimonda) 德国英飞凌拆分出来的子公司，已经倒闭但是市场上还有一些存货，特别是很多显卡都是用他们的颗粒
爱必达(elpida) 日本的内存生产厂，内存颗粒性能上一般
镁光(Micron) 曾经被叫做美凯龙，世界第二大内存颗粒制造商
胜创(KINGMAX) 只在自己的内存上用的内存颗粒
力晶(Powerchip) 和爱必达合作产销内存颗粒
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