为什么半导体中少子起主导作用

因为在PN结的两边由于存在一个耗尽层，多子已经在一定区域内耗尽了，从而形成从N区到P区的内建电场，所以这时候少子的在电场中的运动就变的很重要了．就比如N区的孔穴会在内建电场的作用下，向p区运动．形成电流．非平衡多数载流子的浓度和多数载流子浓度相比几乎可以忽略，所以常研究非平衡小数载流子的浓度

多子主要是靠半导体本身特性决定，即主要靠参杂浓度决定。温度升高虽然会使多子挣脱原子束缚，但多子数量已经很多了，这一点脱离对多子数目影响不大

少子顾名思义，在半导体中不占主导地位，那么参杂浓度对其影响就不大了，而温度的上升却可以使更多的少子脱离原子的束缚，因而少子数量主要由温度决定

在N型半导体中，自由电子多，空穴少，多子是自由电子，少子是空穴。

在P型半导体中，空穴多，自由电子少，多子是空穴，少子是自由电子。

不论是N型半导体中的自由电子，还是P型半导体中的空穴，它们都参与导电，统称为“载流子”，“载流子”导电是半导体所特有的。

扩展资料

载流子所处的能量状态

从晶体能带的角度来看，半导体的能量最高的几个能带分别是导带和价带，导带与价带之间隔着一个禁带。禁带中不具有公有化运动的状态——能级，但可存在杂质、缺陷等束缚能级。

自由电子就处于导带中，一般是在导带底附近（导带底就相当于电子的势能）；自由空穴就处于价带中，一般是在价带顶附近（价带顶就相当于空穴的势能）。价带中有大量的价电子，由于这些价电子是被价键束缚住的，不能自由运动，所以不把它们看成为载流子。

空穴就是由价带中的价电子跃迁到了导带之后所形成的（即留下的价键空位）；这种跃迁就称为本征激发，其特点是电子与空穴成对地产生。

参考资料来源：百度百科--载流子

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