
mos是半导体金属氧化物。
氧化物半导体具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体,是p型半导体。
电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体,是n型半导体;导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应(如金属氯化物与水的复分解反应)来制备。
mos的特点
氧化物半导体材料的平衡组成因氧的压力改变而改变,氧原子浓度决定其导电的类型。由于金属和氧之间的负电性差别较大,化学键离子性成分较强,破坏这样一个离子键要比共价键容易,使它含有的点缺陷浓度较大,所以化学计量比偏离对材料的电学性质影响也大。
如化学计量比偏离缺氧时(或金属过剩时),则此氧化物半导体材料即呈现n型,此时氧空位或间隙金属离子形成施主能级而提供电子。
属于此类半导体材料的有ZnO、CdO、TiO2、Al2O3、SnO:等。例如:ZnO化学计量比偏离缺氧时:与上相反则呈p型半导体,此时金属空位将形成能级而提供空穴,属于此类半导体材料的有:C u2O、NiO 、CoO、FeO、Cr2O3。等。
IC,integrated circuit,集成电路也叫芯片;LSI,Large-scale integrated circuit 大规模集成电路;
VLSI,Very Large Scale Integration,超大规模集成电路;
JFET,Junction Field-Effect Transistor,结型场效应晶体管;
CMOS,Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体;
VHSIC,Very High Speed Integrated Circuit,超高速集成电路;
TTL,Transistor-Transistor Logic, 晶体管-晶体管逻辑(电路);
这些都是数字电路里的专有名词。
pP型半导体是半导体按照载流子的来分的,同时还有n型半导体,本征半导体.p型半导体属于掺杂半导体,是受主接受半导体价电子,形成空穴为多子的结构.
普通的半导体没有什么特别的性质,如果是nm级的半导体(现在研究应用最多的还是nmTiO2),具有良好的光催化,光电转换特性.同时具有小尺寸效应,表面效应,量子尺寸效应,宏观量子隧道效应,介电限域效应等诸多性质.
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