下列金属可以作半导体材料的是（　　） A．Cu B．Ge C．S D．Zn

A．Cu为过渡金属元素，为电的良导体，不能作半导体材料，故A错误；

B．Ge在金属元素与非金属元素的分界线附近的元素，可作半导体材料，故B正确；

C．S为非金属，不导电，不能作半导体材料，故C错误；

D．Zn为过渡金属元素，为电的良导体，不能作半导体材料，故D错误．

故选B．

A．Cu活泼金属元素，为电的良导体，不能作半导体材料，故A错误；

B．Ge在金属元素与非金属元素的分界线附近的元素，可作半导体材料，故B正确；

C．Se为非金属，不导电，不能作半导体材料，故C错误；

D．Zn为活泼金属元素，为电的良导体，不能作半导体材料，故D错误；

故选B．

并不是只有单晶硅或锗才能制作半导体器件，只是因为这两个材料性能比较好一点，也容易制作一些。 例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999％～99.9999999％) 的锗开始的。采用元素半导体硅（Si）以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。

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