
Common path 是指的两条时钟路径在分叉前一起走过的部分,起点由时序分析来定。
Pessismism 是指在分析建立保持时间的时候,我们取的都是最坏/悲观的情况。
那么为什么又要Removal呢?请看下图。
以建立时间分析为例,我们给Launch Path最长的延迟参数,而Capture Path最短的延迟参数。但是对于C1和C2,它们属于Common Path,那么就不太合理,因为运行的时候这两个器件的延迟一定是一样的。
所以我们计算出来的建立时间容限要比实际值小一点,在这里是小了0.2*2ns。
除此之外,还要考虑Capture Clock和Launch Clock有效沿不同以及Cross Talk(串扰)的问题。
OCV 模式和 CPPR 模式的技术层面解答:
OCV是on-chip variation. 是指在同一个芯片上, 由于制造工艺等原因造成的偏差. 具体表现在到两个ff的clk端的时钟路径. 本来时间应该是一样的. 但是因为制造工艺也就是OCV的原因, 造成工具无法计算的快慢偏差.
timing derate. 这个值就是告诉工具, OCV的影响有多大. 通常signoff的时候. derate会有5%到10%. 不同工艺不同设计, 由工程师的经验决定.
如果两个clk path 的长度都是1, 在OCV 分析模式下, 1.05和0.95的derate.
原本是0的 skew就变成了 1x1.05 - 1x0.95 = 0.1的skew.
以上就是OCV和timing derate的关系. 在.18um甚至.13um工艺下. ocv的影响很小, 基本可以不考虑. 但是90nm及以下,基本都会设.
cppr (clock path pessimism removal) 或者 crpr (clock reconveregence pessimism removal)是同一件事情的两种叫法. Cadence公司的叫前者, Synopsys公司的叫后者. 在开启OCV模式之后, 这个选项才有意义.
由于分析方式过于悲观了. 因为两个时钟可能有共同路径. 既然是共同路径, 逻辑上就不可能有偏差. cppr就是干这的. 去除共同路径上过于悲观的估计. 只计算不同路径的OCV影响.
为什么有 OCV 模式和 OCV-CPPR 模式?
首先因为有PVT,就是由于半导体器件的参数和很多因素有关,比如制造工艺/运行温度/电源电压等,相对于这些因素,工艺库就会针对不同的环境给出的不同的参数值,这些参数会影响线网和单元的时延delay值。
在不同温度工艺电压下,把时延相关信息分为三档:best,typical,worst
那么,为了保证时许验证的结果是保守的,会采取集中不同的分析模式。STA分析方式主要有三种:single,worst_best,OCV
Single:在单一的情况下进行分析,即在做setup/hold分析时用同一种PVT模式下的时延信息
Worst_best:在分析时同时读入worst和best情况下的延迟信息,用worst下的延迟信息计算
Setup constraints,用best下的PVT模式计算hold time constraints
OCV(on_chip_variation):在分析时同时读入worst情况下的PVT,在进行setup计算时,clock skew采用考虑到加工工艺的不确定性对时延的影响,用PVT中best(shortest)情况下计算,data delay用PVT中worst(longest)情况进行计算。计算Hold时相反。这种分析方式对芯片的timing非常严格。
【 我的理解 】
在EDA工具对这个STA问题的处理时,引入了derate的概念,来对应worst和best的PVT时延影响,在不同path计算时可设置derate取其best或worst的时延delay。(在实际 *** 作时,还可能只考虑一条路径上的悲观情况,另另一条路径derate=1,使约束条件更加乐观)
因为OCV模式过于严格,所以才用基于OCV分析方式下的CPPR模式来去除悲观路径的影响,而CPPR实际上还是保留了OCV模式的计算方法和原理, 因此我当初理解是认为他们的最大差异在于是否考虑 commom path 的影响 ,OCV模式下计算简单电路时共同路径会影响slack的值(乘derate后共同路径延迟相减为负),而采用时cppr不会(共同路径延迟相减为0)。
然而,理解不透彻的是
实际上在工具中ocv模式和cppr都是针对delay来说的,这种情况下二者delay肯定都考虑共同路径的影响,否则delay计算不准确,区别在于是否考虑悲观影响。
更准确地说: OCV 模式考虑共同路径的悲观影响,本身过于悲观,CPPR 不考虑common path 的悲观估计(计算偏差)。
原文链接: OCV与CPPR模式的理解_weixin_30929195的博客-CSDN博客
双通道和DDR请分开来理解:双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术,它依赖于芯片组的内存控制器发生作用,在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术,早就被应用于服务器和工作站系统中了,只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前,英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组,它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档,所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点,但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况,最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持,所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术,主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865、875系列,而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。
双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB(前端总线频率)越来越高,英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR(Quad Data Rate,四次数据传输)技术,其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400、533、800MHz,总线带宽分别是3.2GB/sec,4.2GB/sec和6.4GB/sec,而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec,2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下,DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下,双通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec,5.4GB/sec和6.4GB/sec,在这里可以看到,双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言,其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR(Double Data Rate,双倍数据传输)技术,FSB是外频的2倍,其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4平台,其FSB分别为266、333、400MHz,总线带宽分别是2.1GB/sec,2.7GB/sec和3.2GB/sec,使用单通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能满足其带宽需求,所以在AMD K7平台上使用双通道DDR内存技术,可说是收效不多,性能提高并不如英特尔平台那样明显,对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。
NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组,随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术,SiS和VIA也纷纷响应,积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是,由于种种原因,要实现这种双通道DDR(128 bit的并行内存接口)传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存完全不同,后者有着高延时的特性并且为串行传输方式,这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性,它本身是低延时特性的,采用的是并行传输模式,还有最重要的一点:当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时,其信号波形往往会出现失真问题,这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度,芯片组的制造成本也会相应地提高,这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。
普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器,而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器,在双通道模式下具有128bit的内存位宽,从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽,但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器,理论上来说,两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器,一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候,控制器A就在读/写主内存,反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的,并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条,此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽,允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。
支持双通道DDR内存技术的台式机芯片组,英特尔平台方面有英特尔的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的915、925系列;VIA的PT880,ATI的Radeon 9100 IGP系列,SIS的SIIS 655,SIS 655FX和SIS 655TX;AMD平台方面则有VIA的KT880,NVIDIA的nForce2 Ultra 400,nForce2 IGP,nForce2 SPP及其以后的芯片。
AMD的64位CPU,由于集成了内存控制器,因此是否支持内存双通道看CPU就可以。目前AMD的台式机CPU,只有939接口的才支持内存双通道,754接口的不支持内存双通道。除了AMD的64位CPU,其他计算机是否可以支持内存双通道主要取决于主板芯片组,支持双通道的芯片组上边有描述,也可以查看主板芯片组资料。此外有些芯片组在理论上支持不同容量的内存条实现双通道,不过实际还是建议尽量使用参数一致的两条内存条。
内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用,此外有些主板还要在BIOS做一下设置,一般主板说明书会有说明。当系统已经实现双通道后,有些主板在开机自检时会有提示,可以仔细看看。由于自检速度比较快,所以可能看不到。因此可以用一些软件查看,很多软件都可以检查,比如cpu-z,比较小巧。在“memory”这一项中有“channels”项目,如果这里显示“Dual”这样的字,就表示已经实现了双通道。两条256M的内存构成双通道效果会比一条512M的内存效果好,因为一条内存无法构成双通道。
DDR显存非为两种,一种是大家习惯上的DDR内存,严格的说DDR应该叫DDR SDRAM。另外一种则是DDR SGRAM,此类显存应用较少、不多见。
DDR SDRAM
人们习惯称DDR SDRAM为DDR。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR SDRAM是在SDRAM基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRA的两倍。DDR SDRAM是目前应用最为广泛的显存类型,90%以上的显卡都采用此类显存。
DDR SGRAM
DDR SGRAM是从SGRAM发展而来,同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。可以在不增加频率的情况下把数据传输率提高一倍。DDR SGRAM在性能上要强于DDR SDRAM,但其仍旧在成本上要高于DDR SDRAM,只在较少的产品上得到应用。而且其超频能力较弱,因其结构问题超频容易损坏。
不可以装DDR400的内存条只能插184PIN的SDRAM外观:SDRAM 金手指上有二个缺口,而DDR的的金手指上只有一个缺口。
现在使用的内存一般都是DDR内存了,以前老的系统一般是SD的,象P3级别的内存。这两种内存的插槽和引脚不同,不能够混用的。
下面是我找到的文章:
什么是DDR内存
作者:网络 文章来源:转载 点击数:432 更新时间:2005-4-10
DDR内存现在渐渐成为内存市场中新的宠儿,因其合理的性价比从其诞生以来一直受到人们热烈的期望,希望这一新的内存产品全面提升系统的处理速度和带宽,就连对Rambus抱有无限希望的Intel公司也向外界宣布将以最快的速度生产支持DDR内存的新一代P4系统。不难看出,DDR真的是大势所趋。
近来市场上已闻诸多厂商开始陆续推出自己的DDR内存产品,国际上少数内存生产商之一的金士顿公司(Kingston)其实在去年年底就已完成了批量生产DDR内存的生产线的建设,现在金士顿公司(Kingston)已准备开始向全球接受订单开始大量供货了。
那么究竟什么是DDR内存呢?其技术优势又在何处呢?请让我们先了解一下这样新的事物。
DDR是Double Data Rate SDRAM的缩写(双倍数据速率)。DDR SDRAM内存技术是从主流的PC66,PC100,PC133 SDRAM技术发展而来。这一新技术使新一代的高性能计算机系统成为可能,包括台式机、工作站、服务器、便携式,也包括新的通信产品,如路由器。DDR内存目前被广泛应用于高性能图形适配器。
DDR DIMMs与SDRAM DIMMs的物理元数相同,但两侧的线数不同,DDR应用184pins,而SDRAM则应用168pins。因此,DDR内存不向后兼容SDRAM,要求专为DDR设计的主板与系统。
DDR内存技术是成熟的PC100和PC133SDRAM技术的革命性进步。DDR内存芯片由半导体制造商用现有的晶圆片,程序及测试设备生产,从而降低了内存芯片的成本。Kingston能够利用其现有的制造与测试设备在全球范围内提供DDR模块。
主要的技术及芯片公司,包括Intel, AMD, Via Technology, Acer Labs (Ali), Silicon Integrated Systems (SiS), nVidia, ATI,及ServerWorks都已宣布支持DDR内存。主板及系统支持DDR内存在2000的Q4中已获引进,在2001年将被大量采用。
DDR DIMM的规范由JEDEC定案。JEDEC是电子行业联盟的半导体工业标准化组织。大约300家会员公司提交行业中每一环节的标准,积极合作来发展符合行业需求的标准体系。Kingston是JEDEC的长期会员,并且是JEDEC的理事会成员。
什么是DDR内存及与SDRAM内存的区别
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DDR SDRAM(Dual date rate SDRSM)又简称DDR,翻译成中文就是“双倍速率SDRAM”的意思。DDR SDRAM也可以说是目前广泛应用的 SDRAM的升级换代版本,在它的催生下,2000年下半年的内存止跌不稳已经彻底摧毁了SDRAM多年营造起来的价格市场。从技术上分析,DDR SDRAM最重要的改变是在界面数据传输上,其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据,这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍,由于仅多采用了下降缘信号,因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同,仅在时钟上升缘传输。另一个明显的改变是增加了一个双向的数据控制接脚(Data Strobe,DQS)。当系统中某个控制器发出一个写入命令时,一个DQS信号便会由内存控制器送出至内存。
此外,传统SDRAM的DQS接脚则用来在写入数据时(单向:内存控制器�DRAM)做数据遮罩(Data Mask)用。由于数据、数据控制信号(DQS)与DM同步传输,不会有某个数据传输较快,而另外的数据传输较慢的skew(时间差)以及Flight Time(控制信号从内存控制器出发,到数据传回内存控制器的时间)不相同的问题。此外,DDR的设计可让内存控制器每一组DQ/DQS/DM与DIMM 上的颗粒相接时,维持相同的负载,减少对主板的影响。在内存内部架构上,传统SDRAM属于×8组态(organization),表示内存核心中的 I/O寄存器有8位数据I/O,不过对于×8组态的DDR SDRAM而言,内存核心中的I/O寄存器却是16位的,一次可传输16位数据,在时钟信号上升缘时输出8位数据,在下降缘再输出8位数据。此外,为了保持较高的数据传输率,电气信号必须要求能较快改变,因此,DDR改为支持电压为2.5V的SSTL2信号标准。
DDR 内存从型号上看分为两种,一种叫做 PC 1600,每秒钟可传输 1.6GB 的数据,正好是目前100兆赫 SDRAM 内存的两倍;另一种叫做 PC 2600,峰值数据传输率可达每秒2.6GB。与价格昂贵的Rambus 相比,DDR有如下几个优势:一是由于它是在 SDRAM 内存技术的基础上开发的,因此不仅与目前的个人电脑体系架构有着很好的兼容性,而且开发生产成本低廉。二是DDR较少存在许可协议的问题。内存厂商要生产 Rambus 内存条,必须向 Rambus 公司缴纳一笔不菲的费用,以获得生产许可证,这无疑影响到厂家的利润。而DDR内存的规格是免费提供的。三是各大厂商的支持。2001年,包括IBM等在内的诸多IT巨头都宣布将支持 DDR 内存,特别是IBM 还专门设计了两组芯片组,既支持 DDR 内存,也能大幅提高系统总线的速度。而AMD 公司即将全面上市的760芯片组(支持单处理器电脑)和770芯片组(支持双处理器电脑)将全面支持200兆赫和266兆赫系统总线,也是为了满足 DDR 内存技术标准而设计的。
可能解释的不全面,你到网上去找能找到很多这方面的。现在主流的DDR,一般是DDR333、DDR400以及DDRII533。SD基本上属于被淘汰的产品,速度DDR比SD快了很多,而且价格也不错。现在的主板一般都只支持DDR了
希望能解决您的问题。
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