
1986年获吉林大学半导体系半导体物理与器件物理专业理学学士学位,1989年获同专业理学硕士学位;同年进入中国科学院长春物理研究所从事III-V族半导体材料的MOCVD生长研究及器件研究工作,1999年于中国科学院长春物理所获凝聚态物理专业理学博士学位;1999年-2000年获英国皇家学会The Royal Society Royal Fellowships, 在英国牛津大学物理系做博士后,从事中红外锑化物半导体材料低维结构的MOCVD生长研究及其光电特性研究;2001年-2003年在新加坡南洋理工大学从事大功率半导体量子阱激光器阵列结构的MOCVD生长和器件研究工作。2003年9月到吉林大学电子科学与工程学院工作。
我们看到的能带图,有导带底、价带顶,杂质半导体中还有施主能级和受主能级。所谓能带图就是用水平横线表示各个能带的能量极值及定义值,可以直观的看到不同能级的能量的大小的一种表示方法。
如果你希望了解更深入的理论或者对一些定义不太了解,建议你看刘恩科版《半导体物理》。
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