十八大以来我国科学技术创新取得哪些成果

1、我国TD－LTE产业链日趋成熟，2015年末4G用户数超过3．8亿；自主研发的新一代高速铁路技术世界领先，高铁运营总里程达1．9万公里，占世界的60％以上，并进军海外市场；

2、ARJ支线飞机成功实现商业销售和交付运营；油气开发专项再造一个西部大庆；半导体照明技术加快应用推广，2015年半导体照明产业整体规模达4245亿元，比上年增长21％；

3、第四期“超级稻”创造百亩连片平均亩产1026．7公斤的新纪录；全球首个生物工程角膜艾欣瞳以及阿帕替尼、西达本胺等抗肿瘤新药成功上市。

扩展资料：

十八大以来，京津冀协同创新共同体建设深入推进，长江经济带转型升级明显加快，北京、上海积极建设具有全球影响力的科技创新中心，创新型省份、创新型城市建设试点初见成效，区域创新改革试验全面启动。

2015年江苏、广东、山东和北京等地区研发经费超过1000亿元，北京、上海、天津、江苏、广东、浙江、山东和陕西等地区研发经费投入强度达到或超过全国平均水平。

2013－2014年，我国东部地区、中部地区、西部地区和东北地区的创新活动企业占比分别为44％、39．8％、37．9％和26．3％，天津、江苏、浙江、广东、陕西等地区位居前列。你追我赶、各具特色的区域创新格局正在逐步形成。

参考资料：中国网-【治国理政这三年】十八大以来我国科技创新状况

第三代半导体材料优势明显，实用性强。以碳化硅、氮化镓宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料凭借其高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，展现巨大的市场前景，正成为全球半导体市场争夺的焦点，国内外第三代半导体技术、产品、市场、投资均呈现较高增长态势。第三代半导体实现区域发展，也是大力扶持项目。中国半导体照明产业已经有20多年的发展历程，政府高度重视技术创新和产业发展，产业布局相对完善，已经成为全球最重要的半导体照明产品生产国。中国第三代半导体电力电子、射频及光电子产业发展时间相对较短，从中央到地方密集出台政策措施扶持产业发展，第三代半导体产业集聚态势正在形成。

LED灯的发展历程：

一：二十世纪60年代人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，第一个商用二极管产生于1960年。

二：发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。70年代中期，引入元素In和N，使LED产生绿光，黄光和橙光，光视效能也提高到1流明/瓦。

三：1989年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射，峰值550nm。

四：1993年，日本的中村修二成功开发出具高亮度的蓝光发光二极体。相较于传统的日光灯与炽灯泡，LED 不仅体积小、环保、省电，寿命更是长达10万小时，发光二极体已跃升为 21 世纪照明与显示器的新光源。

五：2018年10月13日，中国科学院院士黄维和该校王建浦教授团队将钙钛矿发光二极管（LED）外量子效率提高到20.7%，较国际同行提升近一半，成果近日在国际学术刊物《自然》正刊发表。

扩展资料：

第一只LED是1962年由Holonyak等人利用GaAsP材料制得的红光LED，因为其长寿命、抗电击、抗震等特点而作为指示灯，1968年实现了商业化。

1971年美国RCA实验室的Pankove研究发现了氮化物材料中形成高效蓝色发光中心的杂质原子，并研制出MIS(金属-绝缘体-半导体)结构的GaN蓝光LED器件，这是全球最先诞生的蓝色LED。

1989年GaN的p型掺杂成为发明蓝光LED另一项重大突破，赤崎勇和天野浩的研究小组在全球首次研制出了p-n结蓝色LED。

1997 年，Schlotter 等人和中村等人先后发明了用蓝光LED管芯加黄光YAG荧光粉实现白光LED。2001年Kafmann 等人用UV LED激发三基色荧光粉得到白光LED。

参考资料：百度百科—LED灯

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