半导体的电子迁移率的作用是什么？

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

一颗大功率3W白光的LED工作电流：0.75~0.9A；

3W白光的LED工作电压：3~3.6v。

LED 是英文 light emitting diode （发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳，所以 LED 灯的抗震性能好。运用领域涉及到到，手机，台灯，家电等日常家电和机械生产方面。

现在，科学家已开发出了当今性能最优异的碳纳米晶体管，它在某些方面的性能指标，已超过了世界上最先进的硅晶体管。这一发明，让未来半导体行业的主要材料碳纳米晶体管取代了硅晶体管，在创造发明的前进道路上又迈出了一大步。

这种新开发出的“单层碳纳米管场效应晶体管”，采用的结构与传统的“金属氧化物半导体场效应晶体管”非常相似。其单位宽度的跨导参数值是目前性能最好的“金属氧化物半导体场效应晶体管”的2倍以上。用这样的方法制造出来的碳纳米晶体管，和以前设计的碳纳米晶体管比较，在衡量晶体管电流载流量的跨导参数值上创造了新的最高纪录。载流量与晶体管的速度有着一定的关联性，跨导参数值越高，晶体管的运行速度就会越快，所制造成的集成电路的功能，也将会更加的强大。

现有的硅芯片在未来十几年将达到物理极限，能显著缩小晶体管尺寸的纳米电子技术，将会大有所为。其中，具有神奇性能的碳纳米晶体管替代硅材料将是一个发展的趋势。

科学家证实，碳纳米晶体管作为硅晶体管的替代品，可行性是非常大的。在目前看来，科学家无法找到通过缩小硅芯片的尺寸来提高芯片速度很好的办法，所以，碳纳米晶体管的作用将会显得更加突出。

科学家指出，碳纳米晶体管的电子器件真正的被商业化应用，从而投入使用，可能还需要十几年的时间。不过，从硅电子时代到纳米电子时代的过渡，是不会一蹴而就的，它将是一个循序渐进的过程。

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