关於半导体的电容

关於半导体的电容,第1张

首先, 电容的决定式为:C=εS/4πkd 。

其中,ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离,k则是静电力常量。

我们将你说的空气等效视为真空, 一半的空间置换为半导体, 实际改变的只有 d .

所以d减小为原来的1/2, 电容容值增大到原来的2倍。

这是纯微电子的东西,跟PCB没半毛钱关系。

芯片上不同MOS管之间是靠金属或者多晶硅互联的,越是复杂的芯片,这个互连线越是不可能在一层之内布完,于是就有好几层互连线,不同层互连线之间就要有ILD来隔离并支撑。

任意两根导线之间都有电容,ILD介质介电常数比较高,导线比较宽,距离比较近的时候层间电容就有比较大影响。


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址:https://54852.com/dianzi/9051703.html

(0)
打赏 微信扫一扫微信扫一扫 支付宝扫一扫支付宝扫一扫
上一篇 2023-04-24
下一篇2023-04-24

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

    保存