温度、压力，还有什么外界因素对半导体的导电性能有很大影响？

温度升高可以加强半导体内部的本征激发强度，借以增大其内部载流子的浓度，此时半导体的导电能力增强；半导体有一种压阻效应，就是随着加载在半导体上的压力变化，半导体的电阻率会随之变化，且二者具有正比关系，此时表现为，压力越大，半导体的导电性能越弱；掺杂即在制作半导体时在其内部掺入相应的杂质元素，这个对半导体的导电能力是具有决定性作用的，如果掺入的是五价元素如磷或砷等，那么在形成共价键的时候就会有一个多余的自由电子，此时半导体内部就会有大量的电子作为载流子，故名n型半导体（negative），若是掺入三价元素，此时半导体内部的四价元素就会有一电子无法成键，形成空穴，空穴带正电性，所以名为p型半导体···目前改善半导体导电性的应该就是这几种方法吧···其余的即使有也是很偏的，用处很少的~

网上找到一下内容，个人感觉温度是需要考虑的最大问题，其他的影响较小。

对半导体性质影响最大的是温度：禁带宽度与温度有关；载流子浓度更是与温度有关；载流子迁移率也与温度有关；半导体的体积等也与温度有关（热膨胀）。

光照影响：可产生非平衡载流子，导致光电导。

压力影响：压阻效应。

接触影响：形成pn结、金属-半导体接触等。

电场影响：可产生场致发射等。

磁场影响：半导体的Hall效应远大于金属。

气氛影响：表面状态与气氛有很大关系。

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