
电子
和
空穴
,即不是由掺杂所产生出来的载流子。也就是说,本征载流子是由热激发——本征激发所产生出来的,即是价电子从价带跃迁到导带而产生出来的;它们是成对产生的,所以电子和空穴的浓度始终相等。
本征半导体,从物理本质上来说,也就是两种载流子数量相等、都对导电起同样大小的半导体。因此,未掺杂的半导体是本征半导体,但是掺有杂质的半导体在一定条件下也可能成为本征半导体(只要两种载流子的浓度相等)。
对于掺有杂质的n型或p型半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的。因此,在杂质全电离情况下,多数载流子浓度基本上与温度无关,但少数载流子则随着温度将指数式增大。
本征载流子浓度ni=1.5*10*10cm-3
没有添加任何杂质到半导体材料里面的半导体就称为本征半导体。温度高于绝对零度后,本征半导体的导带和价带中就有部分电子或空穴。
n:代表导电带中电子的浓度; P:代表价电带中空穴的浓度。
定义:ni为本征载子浓度对于本征半导体而言,n=p=ni
对给定的某一个半导体,只要在某一个固定的温度下,那么这个半导体里面导电带里的电子浓度n与价电带里的空穴浓度p的乘积是某个固定常数,即乘积为定值,上述式子称为质量作用定律。
成立本征载流子是无杂质时半导体的载流子浓度,且n=p=ni,且np=ni平方。
而有杂质时np=ni平方仍成立,以n为多子,注,此时无本征载流子ni,都是热平衡载流子n0,p0。它们乘积=无杂质时ni平方。
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