半导体中铝湿法腐蚀铝残留的原因是什么

半导体中铝湿法腐蚀铝残留的原因有：

1、掩膜材料（主要指光刻胶）显影不清和曝光强度不够，会使显影时留有残胶，通常会使腐蚀不净。

2、须腐蚀膜的类型（指如SIO2，POLY，SILICON等）。

3、腐蚀速率。腐蚀速率的变化会使腐蚀效果发生改变，经常会导致腐蚀不净或严重过腐蚀，从而造成异常，影响腐蚀速率的因素可见下面的影响因素。

4、浸润与否。由于在湿法腐蚀时由于腐蚀液与膜间存在表面张力，从而使腐蚀液难于到达或进入被腐蚀表面和孔，难于实现腐蚀的目的。

铝箔或电解纸上会出现斑点状腐蚀,铝箔边缘呈锯齿状,产品漏电流大,多次重复老化仍然降不下来,回升快,经过使用后会出现析出物,逐渐转移,聚集至引线,该处发热,电荷运作频繁,产品提前寿命终结!

---