
型号:STW8NB100
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:D/变频换流
封装外形:CHIP/小型片状
材料:N-FET硅N沟道
最大漏极电流:5
开启电压:3
夹断电压:3
最大耗散功率:5
美国福斯特半导体为你提供
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

型号:STW8NB100
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:D/变频换流
封装外形:CHIP/小型片状
材料:N-FET硅N沟道
最大漏极电流:5
开启电压:3
夹断电压:3
最大耗散功率:5
美国福斯特半导体为你提供
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表(0条)