半导体4nm高端芯片直指高通，华为联发科即将再度合作？

全球大部分高端芯片技术一直被美国所掌握，而高通又是美国一家在全球知名的半导体领域的高 科技 公司，几乎全世界各个国家的高端芯片都是从高通这里购买的，高通负责业务拓展的副总裁孟朴，就曾经表示几乎大部分中国厂商，以及全球对高端芯片有需求的厂商都是高通的客户，比如华为就是高通在全球最大的客户之一，而如今则不一样了，联发科正式进军芯片高端市场，打造出4nm制程工艺的高端芯片，彻底让高通感受到了前所未有的压力，华为也许会因此而转向联发科，与联发科再次进行深度合作。

我们都知道，联发科早在之前就想进入高端市场，从而打造出寄予厚望的天玑1200系列芯片，然而无巧不成书，当年联发科旗下的旗舰芯片就被用在小米的低端手机之上，后来天玑1200系列芯片更是与高端市场无缘，被用在了华为的中端手机之上，导致联发科不得不降低芯片性能，推出天玑1100系列芯片，这是联发科专门为中端市场准备的芯片，可就在这个关键的时刻，美国突然宣布允许高通向华为供货，而华为为了使用更高端的芯片来满足市场需求从而与高通继续合作，导致联发科彻底失去了这个全球最大的客户。

然而如今联发科抢先高通一步，首发新一代天玑2000系列芯片，该芯片不仅基于4nm制程工艺进行支持，更是采用了X2核心以及全新的V9架构，可以说整体功耗表现十分稳健，并且在GPU性能和CPU性能上实现了再一次的突破，与高通的骁龙898芯片相比，完全可以说得上是有过之而无不及。更重要的是，这款芯片的价格，比高通的旗舰芯片还要更低，估计终端价格将会在3000左右浮动，也就是说用高通骁龙870芯片的价格就可以获得比骁龙898芯片还要更高的性能体验，这无疑可以称得上是当今世界上性价比最高的芯片之王。

骁龙898芯片的制程工艺是5nm级别的，而天玑2000系列芯片是基于4nm制程工艺，可以说这两者完全不在一个量级，众所周知，芯片的制程工艺主要取决于栅极的宽度，栅极的宽度每提升1nm，那其性能都有着飞越性的提升，如今用于生产高端芯片的半导体硅材料，其实早已经达到摩尔定律的极限，要想不断突破1nm的宽度可谓是难于登天，然而联发科这家全球半导体巨头却做到了，不仅超越了高通更是领先于台积电，不得不说联发科的实力真的越来越强大了。

确实如此，联发科早在5G技术诞生之初，就通过天玑1000系列芯片打开了全球市场，再加上当时华为芯片困境和国产手机的崛起，联发科收到了大量来自国内的订单，从而在芯片销量上一度超越了高通，虽然后来美国突然宣布允许高通向华为供货，导致联发科又有所落后，但是如今4nm高端芯片的横空出世，势必会抢占高通在高端芯片领域更多的订单，同时也会迎来与华为的再度合作，那联发科芯片再度打败高通，成为全球芯片销量第一的供应商，就不再是什么难事了。

然而却有人不认可这个说法，他们认为华为在高端手机领域并没有太多市场份额，一直以来华为走的都是中端发展路线，所以4nm对于华为来说实在是太奢侈了，如果华为采用4nm制程工艺的芯片，那手机的价格也势必会更高，消费者自然就买不起了，所以华为肯定会继续与高通合作，才能保持价格上的稳定性，从而在中端手机领域越走越好。但是有人却不这么认为，从2020年华为发布P40系列产品来看，正是为了抢夺5G新市场格局的高端手机产品，可以说华为内部高管抱有非常大的信心，早就进一步做好了冲击高端市场的战略布局，其中Pro PE版本正是面对全球高端机用户和数码发烧友量身制定的，更何况联发科4nm芯片的价格，比高通的旗舰芯片还要更低，其性价比也更具优势，那华为又有什么理由不与联发科再度合作呢？

在半导体芯片制造中，“光刻”和“刻蚀”是两个紧密相连的步骤，它们也是非常关键的步骤。 “光刻”等同于通过投影在晶片上“绘制”电路图。此时，电路图实际上并未绘制在晶圆上，而是绘制在晶圆表面的光刻胶上。光刻胶的表面层是光致抗蚀剂，光敏材料将在曝光后降解。 “蚀刻”是实际上沿着光致抗蚀剂的表面显影以在晶片上雕刻电路图的图案。

半导体芯片设备蚀刻机在芯片制造领域处于国内替代的最前沿。有三个核心环节，分别是薄膜沉积，光刻和刻蚀。刻蚀是通过化学或物理方法选择性地蚀刻或剥离基板或表面覆盖膜的表面以形成由光刻法限定的电路图案的过程。

其中，光刻是最复杂，最关键，最昂贵和最耗时的环节。刻蚀的成本仅次于光刻，其重要性正在提高。薄膜沉积也是必不可少的重要过程。为了实现大型集成电路的分层结构，需要重复沉积-蚀刻-沉积的过程。

随着国际高端量产芯片从14nm到10nm到7nm，5nm甚至更小芯片的发展，当前市场上普遍使用的浸没式光刻机受到光波长的限制，密钥尺寸无法满足要求，因此必须采用多个模板过程。 使用蚀刻工艺来达到较小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提高。

刻蚀机是芯片制造和微处理的最重要设备之一。它使用等离子蚀刻技术，并使用活性化学物质在硅晶圆上蚀刻微电路。 7nm工艺相当于人发直径的千分之一，这是人在大型生产线上可以制造的最小集成电路布线间距，接近微观加工的极限。尽管我国的半导体设备行业与国际巨头之间仍然存在差距，但我们可以看到，无论是受环境，下游需求还是研发能力的驱动，国内半导体设备行业都发生了质的飞跃。

中微公司主要从事高端半导体芯片设备，包括半导体芯片集成电路制造，先进封装，LED生产，MEMS制造以及其他具有微工艺的高端设备。该 公司的等离子蚀刻设备已专门用于国际一线客户的集成电路和65nm至14nm，7nm和5nm先进封装的加工和制造。其中，7nm / 5nm蚀刻技术是国内稀缺性的技术。 该公司的MOCVD设备已在行业领先客户的生产线上投入批量生产，已成为基于GaN的LED的全球领先制造商。

公司的客户包括国内外的主流晶圆厂和LED制造商。随着公司产品性能的不断提高，客户的认可度和丰富度也在不断提高。公司生产的蚀刻设备的主要客户包括 全球代工领导者台积电，大陆代工领导者中芯国际，联电，海力士，长江存储等，光电厂商华灿光电、璨扬光电、三安光电 等。随着中微股份在半导体芯片设备领域的不断发展，公司在IC制造，IC封装和测试以及LED行业中的渗透率不断提高，并且越来越多国际厂商已成为公司的主要客户。公司开发的5nm蚀刻机已通过台积电的验证。 Prismo A7设备在全球基于氮化镓的LED MOCVD市场中处于领先地位，成功超过了传统的领先企业Veeco和Aixtron。

中微公司的主要业务是蚀刻设备和MOCVD设备的生产和销售，并处于国内半导体设备市场的前列。与公司有可比性的公司包括领先的国际蚀刻设备LAM和MOCVD设备领先的Veeco，以及国内两级半导体设备公司北方华创和精测电子。 在蚀刻设备市场上，中微公司与LAM之间存在很大差距，在MOCVD设备领域，中微公司具有与Veeco相近的实力。从国内来看，中微公司和精测电子处于同一水平，仅次于北华创，主要是因为公司是半导体芯片设备的后起之秀。总体而言，中微公司处于国内半导体芯片设备的第一梯队。

2020年前三季度，营业收入为14.8亿元，同比增长21.3％，归属于母公司所有者的净利润为2.8亿元，同比大幅增长105.3％。扣非净利润-4547.3万元，同比下降138.1％。其中，前三季度非经常性损益为2.44亿元。剔除政府补贴，确认的公允价值变动损益为1.55亿元，这主要是由于公司对中芯国际A股股权价值变动的投资以及LED芯片的供过于求。随着价格持续下降，下游企业面临毛利率和库存的双重压力。

A股上市公司半导体芯片刻蚀设备黑马股中微公司自2020年7月见顶后保持中期下降趋势，主力筹码相对较少控盘不足，据大数据统计，主力筹码约为21%，主力控盘比率约为31%； 趋势研判与多空研判方面，可以参考15日与45日均线的排列关系，中短期以15日均线作为多空参考，中期以45日均线作为多空参考。

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