本征半导体变成N型P型半导体

通过向本征半导体参入各种类型的杂质，可获得X型半导体。比如硅材料中参入3价元素杂质（如硼），杂质原子贡献一个空穴，使得原本征半导体成为P型半导体，参入5价元素（如砷）可使得杂质原子贡献1个自由价电子，使得原本征半导体成为N型半导体。

一、N型半导体

N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

形成原理

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用，因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度。

二、P型半导体

P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

形成

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

扩展资料

特点：

（一）、N型半导体

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

（二）、P型半导体

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

参考资料来源：百度百科-N型半导体

参考资料来源：百度百科-P型半导体

不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。 在纯净的硅晶体(本征半导体)中掺入五价元素（如磷）， 使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。补充： http://kemaoic.com/shownews.asp?id=90 杂质半导体的导电特性, 本征半导体的导电能力很弱， 热稳定性 也很差，因此，不宜直接用它制造 半导体器件 。半导体器件多数是用含有一定数量的某种杂质的半导体制成。根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种。 一、N型半导体 在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素，例如磷，则磷原子就取代了 硅晶体 中少量的 硅原子 ，占据 晶格 上的某些位置。如图Z0103所示。 由图可见，磷原子最外层有5个 价电子 ，其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成 共价键 结构，多余的1个价电子在共价键之外，只受到磷原子对它微弱的束缚，因此在室温下，即可获得挣脱束缚所需要的能量而成为自由电子，游离于晶格之间。失去电子的磷原子则成为不能移动的 正离子 。磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子 ，又称施主杂质 。 在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子，而本征激发产生的 空穴 的数目不变。这样，在掺入磷的半导体中，自由电子的数目就远远超过了空穴数目，成为多数 载流子 （简称多子 ），空穴则为少数载流子 （简称少子 ）。显然，参与导电的主要是电子，故这种半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。

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