按照用途分类,二极管可以分为极多的,我们列出一些,给大家参教,单从字面上解析,就可以大约知道这种二极管的用途了这个.
二极管分类:
abrupt junction diode
突变结二极管
absorber diode
吸收二极管
alkali ion diode
碱离子二极管
alloy junction diode
合金结二极管
alloyed diode
合金(型)二极管
antilog diode
反对数二极管
back-to-back diode
背对背二极管
backward diode
反向二极管
band switching diode
波段转换开关二极管
barrier injection transit-time diode
势越二极管
base-collector diode
基极集电极二极管
biased diode
偏压二极管
bilateral diode
双向二极管
bonded NR diode
键合负阻二极管
booster diode
升压二极管
bootstrap diode
阴极负载二极管
breakdown diode
雪崩二极管, 击穿二极管
bulk diode
体效应二极管
by-pass diode
旁通二极管
catching diode
箝位二极管
centering diode
定心二极管
channelling diode
沟道(效应)二极管
charge storage diode
电荷存储二极管
charging diode
充电二极管
clamping diode
钳位二极管
clipper diode
削峰二极管
cold-cathode gas diode
冷阴极充气二极管
collector-base diode
集电极-基极二极管
commutation diode
整流二极管, 换向二极管
compound diode
复合二极管
constant voltage diode
稳压二极管
crystal diode
晶体二极管
damper diode
阻尼二极管
damping diode
阻尼二极管
delayed diode
阻尼二极管
demodulator diode
二极管解调器
detector diode
检波器二极管
dielectric diode
电介质二极管
difference diode
差分二极管
diffused type diode
扩散型二极管
diffused-junction varactor diode
扩散结变容二极管
discharge diode
放电二极管
double base diode
双基极二极管, 单结晶体管
double drift region avalanche diode
双漂移雪崩二极管
double heatsink diode
双重散热片二极管
dummy diode
仿真二极管
duo diode
双二极管
duplex diode
双二极管
efficiency diode
效率二极管(高压整流用)
阻尼二极管
emission limited diode
限幅发射二极管
energy recovery diode
能量恢复二极管, 升压二极管
epitaxial p-n junction diode
外延 p-n 结二极管
equivalent diode
等效二极管
field-effect diode
场效应二极管
fixed-pattern generator using a Au-Si diode
金-硅二极管固定模式信号发生器
fluid diode
射流二极管
four-layer diode
四层二极管
fuse diode
熔式二极管
gas diode
充气二极管
gas -filled diode
充气二极管
gate diode
门二极管
gate-controlled diode
闸控二极管
germanium diode
锗二极管
glass diode
玻璃二极管
gold bond type diode
金键二极管
gold-epitaxial silicon high-frequency diode
金-外延硅高频二极管
grid-cathode diode
栅-阴二极管
heavy-duty diode
大功率二极管
heterojunction diode
异质结二极管
high-frequency diode
高频二极管
high-pressure gas-filled diode
高压充气二极管
high-voltage diode
耐高压二极管
hold-off diode
闭锁二极管
hot carrier diode
热载流子二极管
hot-cathode gas filled diode
热阴极充气二极管
hypercap diode
变容二极管
idealized diode
理想二极管
impact avalanch transit time diode
碰撞雪崩渡越时间二极管
inductance diode
电感二极管
infrared detection diode
红外探测二极管
infrared-emitting diode
红外发射二极管
injection diode
注入二极管
injection luminescent diode
注入式发光二极管
intrinsic-barrier diode
本征势垒二极管
isolating diode
隔离二极管
junction diode
面结型二极管
Ketter diode
变容二极管
laser diode
激光器二极管
laser detector diode
激光检波二极管
level shift diode
电平移动二极管
light sensitive diode
光敏二极管
light-emitting diode
发光二极管
lighthouse diode
灯塔式二极管(电子管)
lighting diode
发光二极管
limited space-charge accumulation diode
限累二极管
limiter diode
限幅二极管
limiting-velocity diode
限速二极管
linear diode
线性二极管
locking diode
锁定二极管, 自保持二极管
log diode
对数二极管
logic diode
逻辑二极管
luminescence diode
发光二极管
luminescent diode
发光二极管
luminous diode
发光二极管
magneto diode
磁敏二极管
Matsushita pressure diode
压敏二极管, 松下压敏二极管
measuring diode
测量用二极管
mesa diode
台面二极管
metal-semiconductor diode
金属-半导体二极管
microminiature diode
超小型二极管
microwave diode
微波二极管
minitype voltage regulator diode
微型稳压二极管
mixer diode
混频器二极管
mott-barrier diode
莫特势垒二极管
multiple diode
复式二极管
negative resistance diode
负阻二极管
noise diode
噪声二极管
octupler diode
八倍频变容二极管
opposed diode
相对连接的二极管
optical diode
光二极管
optoelectronic diodes
光电子二极管
osaki diode
隧道二级管
oscillating diode
振荡二极管
parametric diode
参数二极管, 参量二极管
photosensitive diode
光敏二极管
photosensor diode
光传感二极管, 光敏感二极管
pick-off diode
截止二极管
p-i-n diode
正-本-负二极管
pin-photo diode
针形光电管, 细光束光电管
planar diode
平面(型)二极管
plane-parallel diode
平行板二极管
plasma diode
等离子体二极管
point-contact diode
点接触型二极管
press-fit diode
压装二极管
pressure-sensitive diode
压敏二极管
protecting diode
保护二极管
pulse damping diode
脉冲阻尼二极管
pulsed laser diode
脉冲激光二极管
Read diode
里德二极管
recovery diode
恢复二极管
reference diode
参考二极管, 恒压二极管
ring diode
环形二极管
saturated diode
饱和二极管
selenium diode
硒二极管
semiconductor diode
半导体二极管
series diode
串联二极管
series-efficiency diode
升压二极管(行扫描输出级用)
shunt diode
旁路二极管
silicon diode
硅二极管
silicon alloy diode
硅合金二极管
silicon junction diode
硅结二极管
silicon photoelectric diode
硅光电二极管
silicon punch through diode
硅穿通二极管
silicon reference diode
硅稳压二极管
silver-bond diode
银键二极管
snapback diode
阶跃恢复二极管
snap off diode
急变二极管, 阶跃恢复二极管
stacked laser diode
堆垛激光二极管
steering diode
控向二极管
step-recovery diode
阶跃恢复二极管, 急变二极管
storage diode
存储二极管
surface barrier diode
表面阻挡层二极管, 表面势垒二极管
switching diode
开关二极管
temperature limited diode
温度限制二极管
temperature-compensated Zener diode
温度补偿齐纳二极管
thermoelectric diode
温差电二极管
thin-film diode
薄膜二极管
three-contact diode
三接点二极管
three-layer diode
三层二极管
through diode
穿通二级管
transit-time microwave diode
渡越时间微波二极管
trigger diode
触发二极管
tunnel diode
隧道二极管
turbulent diode
紊流二极管
twin diode
双二极管
unilateral diode
单向二极管
valve action diode
二极管的阀作用
varactor diode
变容二极管, 参量二极管
variable capacitance diode
变容二极管
varicap diode
变容二极管
voltage regulator diode
稳压二极管
voltage variable brightness diode
随电压变化亮度的二极管
voltage variable capacitance diode
压控变容二极管
vortex diode
涡流二极管
Zener diode
齐纳二极管, 稳压二极管
本文首发于微信公众号新车一讲
一则「大众受到芯片产能影响，将被迫停产」的新闻，在 12 月 4 日刷屏全网，事件的主角是大众 汽车 ，而该事件深层次的问题是车载芯片的短缺。
虽然从网络报道的消息来看，此次芯片短缺涉及的范围是全球性的，并不是中国独有，但从事件的结果来看，这一系列的事件，对中国 汽车 的影响以及对中国半导体市场的影响可能比我们想象的要更大、更深。
因此，我们根据具体的事件，从以下几个方面来探究芯片短缺造成的深层次影响：
1. 涉及的晶圆、芯片、测封，从美国到中国地域跨度过大，地域风险如何控制？
2. 汽车 企业芯片自研，能否独善其身，车上其它的芯片能否自产？导致这次南北大众停产的 ESP 和 ECU 芯片？在特斯拉、蔚来、小鹏以及理想等新造车身上是否也有短缺风险？
3. 大众全球内唯有中国厂停产， 汽车 芯片 ESP、ECU 除了全球性的短缺外，是否有我们不敢直视的：制裁因素在？这一波是否从手机芯片波及到了 汽车 芯片了?
汽车 行业每一次的大热门新闻，好像都与「事故」相关，而如果因芯片短缺而可能导致的几十家车企上百万台车的停产，绝对属于一次大事故。
为了更好方便读者了解来龙去脉，我简单梳理一下相关媒体报道的事件原委：
据报道，此次问题的所在是 ESP 和 ECU 短缺导致大众停产，目前全球主流的 ESP 供应商有 7 家。
主要分为三个派系分别是：日系、韩系与德系，日、韩系基本的供应对象是本国车企或者集团内部车企，向外部供应的极少数。
日系 ESP 供应商包括：爱信、日立、日信。
韩系 ESP 供应商为：万都。
德系 ESP 供应商包括：博世、大陆和采埃孚。
而在几家供应商里，博世主要向自主品牌和奔驰、奥迪、凯迪拉克等配套；大陆集团主要供应大众、宝马、PSA、以及奔驰；采埃孚主要是美系。
而根据大众的「停产」情况来看，最有可能的就是大陆 汽车 ESC（就是 ESP，只是叫法不同）缺货。
据愉观车市的报道，「大陆 汽车 的库存仅为 1 万套左右，已经无法满足市场的需求，按照目前的状况看，中国 汽车 将近 15% 的产能将受到影响。2019 年中国 汽车 产能 268.3 万辆，按此计算，一旦不能恢复供货，一年将有 400 万辆产能受到影响。」
新车一讲从大众工厂的相关人士那里了解到「大众现在一周上三休四或者上二休五」，距离完全停产也差不多了，这里也可以反映出，大陆目前的芯片供应缺口确实不容乐观。
目前大众高尔夫、途观、途昂、帕萨特、奥迪 A3、斯柯达明锐、CC，都是使用了大陆 ESC 这也就意味着，不单是高端车型，ESC 的短缺将冲击产销规模更大的中低端车型。新车一讲从相关人士那里得到消息 「不单是高端车型，青岛工厂就单车型宝来也已经开始单班了，本来日产 1200 台左右，现在也就 400 - 500 台。」
当我问是否有季节性的影响，导致减产时，得到的答案是否定的。同时与大陆 汽车 合作比较紧密的沃尔沃和吉利也有可能受影响。而博世供应的车企特别是新能源车企，大部分都采用了和 iBooster 配套 ESP 9.0 系统。
而根据上周 Automotive News 的报道，大众集团、大陆集团和博世早在 9 月份就公开警告称： 「 汽车 生产所需的 汽车 芯片，由于疫情的影响导致生产困难，核心部件 ECU 和 ESP 可能会严重缺失」。
如果博世的 ESP 供应链紧缺，从商业上讲，博世更大可能优先照顾大众、奔驰、宝马这样的大客户，即使是特斯拉也存在元件储备不足的风险，那么国产新造车势必也将受到波及。
事实上，ESP 的短缺只是浮出水面的一个影子， 这次规模性风险的水面下，是电子元器件里的功率半导体，也就是芯片的供应出现了问题。 此次真正短缺的是电子元器件里的功率半导体，也就是芯片，因此并不是特定 ECU 短缺。
最近这一波芯片缺货潮涨价潮不仅是 汽车 领域，而是整体芯片领域都是如此。
而导致芯片产能不足的原因主要有以下几点：
1. 半导体企业可以满足 汽车 厂商制定的排产产能，但不能满足新增的额外产能，即使布设新产能，周期也会在 10 个月左右。
2. 年初因为疫情原因，导致芯片的上游制造商给出了较低预期，从而导致因为要节省成本而关闭产线。
3. 因为智能化 汽车 的快速起势，对 汽车 端芯片的需求扩大，而 制造上 正在淘汰老旧的产线，而新产线不能快速补充。
由此可见，ECU 或者 ESP 只是芯片短缺后产品上的一个缩影。对于中国 汽车 产业来说，芯片的设计与制造是未来中国自主品牌崛起的关键要素。
汽车 芯片的短缺所造成的影响是长期性的，从供应商和主机厂两方面来说，会有三个方面的变化。
第一个是芯片供应链上下游的价格风险。
由于短时间内的需求过高，一级供应商虽然能够快速反应，但即使拉满整体的制造负荷，那问题至少要 6 - 7 个月才能逐步解决， 而上游芯片厂商的价格已经开始上涨，这里导致的问题是大的 Tier 1 是稳价还是涨价。
第二个是中低端 汽车 产品的芯片供应风险。
产能紧，会造成市场上供应商大量囤货， 而芯片的上游晶圆制造商一定会优先满足大客户，这是一个递进关系，就是大客户优先政策。 因此，二线供应商和国内中小供应商就会慢慢出现供应不足，自主 汽车 品牌中低端产品影响会加大。
第三个是自主品牌芯片需求供应风险。
合资品牌和自主品牌接下来都会受影响，而且自主品牌可能影响更大。
这样其实也引出了我们所要探究的第一个问题：「涉及的晶圆、芯片、测封，从美国到中国地域跨度过大，地域风险如何控制？」
了解这个问题，要先了解两个概念：一个是 汽车 产业链这个「链条」的具体组成状态；另一个是涉及芯片制造的流程和厂商。
首先是 汽车 电子行业上下游的供应链关系，晶圆代工厂如台积电为 Tier 2（IDM 芯片厂如：英飞凌、NXP）代工晶圆，Tier 2 再向下 Tier 1（系统集成商如：博世）提供芯片，Tier 1 则把芯片集成到电子系统内，最后是主机厂总装成车。
当然这只是简单的供应关系示意，而实际上的 汽车 供应链复杂且多变。
其次就是涉及到芯片制造的流程，一块完整的芯片要经过 「架构设计、晶圆生产、晶圆涂膜、晶圆光刻显影蚀刻、离子注入、测试、封装」。
芯片由集成电路经过设计、制造、封装等一系列 *** 作后形成。一般来说，集成电路更着重电路的设计和布局布线，而芯片更看重电路的集成、生产和封装这三大环节。但在日常生活中，「集成电路」和「芯片」两者常被当作同一概念使用。
复杂繁琐的芯片设计流程与芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样， 先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的 IC 芯片。
而根据麦肯锡的报告来看，上游的晶圆生产确实是芯片短缺主要因素，而从半导体的产业布局来看，全球超过 80% 的晶圆厂是建立在海外。
根据 SEMI 数据来看全球主要晶圆供应商的产能布局。
NXP 有 5 座 8 英寸晶圆厂，1 座位于新加坡，与台积电合资，持股比例 61.2%，其余 4 座都位于美国，当年 NXP 收购飞思卡尔带来的资产。
英飞凌主要制造基地有，马来西亚 Kulim（8 英寸厂）；Penang（8 英寸厂）；德国德累斯顿（8 英寸和 12 英寸厂）、Regensburg（8 英寸厂）；美国奥斯汀（8 英寸厂）、Temecula（6 英寸厂）；奥地利的 Villach 拥有 1 座 6 英寸，一座 8 英寸和一座 12 英寸厂。
ST（意法半导体）拥有 7 座 8 英寸厂，3 座 6 英寸厂，1 座 12 英寸厂。
而在晶圆里 8 英寸的应用领域最为广泛，涵盖了消费电子、通讯、工业、 汽车 等。 因此，从技术角度已难言先进的 8 英寸晶圆，随着智能 汽车 和电子产业的发展，又成了主流产品。
这里有个问题是，因为晶圆尺寸一直是往大发展的，12 英寸已经是主要方向，行业内没有预测到 8 英寸晶圆片的未来供需走势。
8 英寸的晶圆制造厂一度开始减少，从 2008 年到 2016 年，有超过 30 座 8 英寸晶圆厂被关闭，10 座改线为 12 英寸。到 2015 年，全球 8 英寸的晶圆产线只剩下 178 条。
过去几年来，随着 8 英寸晶圆的供应紧张程度愈演愈烈，各大晶圆代工厂包括三星、台积电、联电等也一直在扩充产能。但从扩充到投产需要至少 3 年。 直到 2019 年，全球 8 英寸晶圆厂总体仍低于 180 座。
还这只是晶圆部分的产业分布情况，如果 在 加上新加坡这马来西亚的半导体联盟来看，全球整个芯片制造产业存在过度集中的风险。
新加坡的半导体产业自 1960 年代开始崛起，坐拥当时世界第三大半导体制造商特许半导体，世界第三大和第十大封测厂：星科金朋和 UTAC（优特半导体）。
1968 年，英特尔在美国开办了第一家工厂，4 年后，就在槟城开设子公司，直到今天，英特尔在槟城依然拥有 10 座现代化组装厂，是其在全球最大的组装厂、实验基地和设计研发中心。马来西亚的槟城也被称为「东方硅谷」。
英特尔的入驻带动了大批西方公司，AMD、惠普、歌乐、美国国家半导体、日立、和博世等公司纷至沓来。鼎盛时代，全球有 1/3 的半导体封测在此进行，即使到今天，马来西亚一地的封装产业，依然占据了全球 13% 的市场，使其成为世界第七大半导体出口国。
也就是说芯片制造里面的两大核心环节「晶圆和封测」，都集中在北美或者新、马，而国内仅有的产能还需要照顾消费电子等产品， 因此，这次 汽车 芯片的短缺，可能会造成一个产业契机是「 汽车 芯片需要本土化」，加强「自研」和「自造」，这是摆在国产芯片产业面前的挑战和机遇。
虽然这次短缺是全球性的，不是针对中国品牌的一次围剿，但这也给自主品牌敲响了警钟，那就是断供随时可能存在。
那么自研 汽车 芯片能否解决自主品牌的困境，这要分两个方面来看：
1. 目前 汽车 领域的芯片缺口还只是特定电子系统，在这个方面，不管是特斯拉、蔚来、小鹏以及传统厂商都是差不多的（特斯拉自研了自动驾驶芯片，但并未涉及车上所有的芯片。）
2. 即使是自研，是否会受制造端的影响。
这就是我们说的「自研不等于自造」，自研芯片讲的还是设计端的包括特斯拉，华为等，简单理解就是建筑设计师拥有美学、力学等工程能力，但要施工还得找施工队。
很遗憾，目前我们国家没有建设高端芯片的「施工队」，这也是此前华为芯片断供的主要原因，华为设计出了顶尖的芯片，却没有能力生产。
目前全球掌握 7 nm 工艺节点的只有三星、台积电，和马上要突破的 intel。中国的中芯国际还停留在 28 nm 向 14 nm 的研发，而联电、格罗方德等明确表示放弃 7 nm。
也就是说，即使中国品牌选择自研，并且成功了，但也会卡在制造这一步，而对于整车来说，除了特定电子系统芯片，最重要的是自动驾驶芯片会不会面临制裁风险。
但如果制裁断供从手机芯片波及到了 汽车 芯片，那么最先受影响的还只能是华为，华为的 MDC 将会面临装车的考验。
目前全球三大自动驾驶芯片，特斯拉的 FSD、英伟达、Mobileye EyQ 系列的工艺制程分别是 14 nm、EQ4 28 nm、Xavier 12 nm。而华为的升腾 310 12 nm 制程相比之下属于同一水平。
但是根据特斯拉、英伟达和 Mobileye 的计划，到了 2021 年三者将会大步跨入 7 nm 制程时代，制程工艺越高带来的好处是芯片单位体积内可放入的晶体管越多，运算能力越强，同时功耗还低。
如果美国不批准华为的 MDC 采用台积电和三星的 7 nm 工艺，那么华为只能用国内最先进的 28 nm 的工艺， 目前中芯的 14 nm 虽说已经完成量产，但能不能支撑车规级需求还要观察。
这就带来了一个大问题： 华为的 MDC 实现装车在全球市场竞争中会存在一定的不确定性。
因此，实现本土化，对国内外 汽车 厂商来说，确实可以规避一些 社会 性不稳定因为带来的供应安全。 但对于中国自主品牌而言，想要突破高端芯片特别是自动驾驶芯片的的供应链安全，自主的设计与制造将是绕不开的两大工程。
不管怎么样，这次的芯片供应不足，会引起自主车企、半导体企业、通讯企业之间的合作加强，芯片不只是在手机等消费电子领域，在 汽车 、家电、家居等领域都是强需求产品，供应安全将会是重中之重。 中国芯片不仅要向上突破，也要向主流应用领域突破。
在 汽车 的智能化时代， 汽车 与芯片的从属关系正在发生改变。
本文首发于微信公众号新车一讲
供货商福田机电
目前宁德时代和LG化学主要是向国产特斯拉Model3和ModelY供应电池，其中宁德时代装机量占比达70%，而LG化学则有30%，松下电池则主要供应海外的特斯拉ModelS和ModelX，而据比亚迪高层透露，后续比亚迪也将会为特斯拉提供电池。
2、AMD
美国AMD半导体公司专门为计算机、通信和消费电子行业设计和制造各种创新的微处理器，以及提供闪存和低功率处理器解决方案，目前主要为特斯拉提供AMD锐龙处理器芯片。
3、英伟达
英伟达是一家人工智能计算公司，总部位于美国，公司的创始人是美籍华人黄仁勋，企业主要专注于打造增强人机交互体验的产品，特斯拉的视觉运算处理器、虚拟仪表等部件都是来自于英伟达。
4、均胜电子
均胜电子是中国优秀的成长型汽车零部件供应商之一，企业产品包括传感器、电池管理系统、电子控制单元等，在中国和德国都设有生产基地，主要为特斯拉提供传感器原件、人车交互原件、自动驾驶系统电子控制单元等。
5、旭升股份
旭升股份是特斯拉的一级供应商，而特斯拉也是旭升股份的第一大客户，公司主要的业务是汽车模具以及配件的研发制造，从2013年开始就为特斯拉提供变速箱箱体、电机驱动模块以及电池组保护壳。
6、拓普集团
拓普集团是一家技术领先的汽车零部件企业，主要致力于汽车动力底盘系统、饰件系统、智能驾驶系统等领域的研发与制造，2016年开始向特斯拉供应底盘结构件和NVH减震系统。
7、三花智控
三花智控是一家从事制冷空调控制元器件制造的公司，目前所涉及的领域包括制冷空调控制元器件、汽车零部件、房地产，特斯拉的空调系统总成以及电池热管理系统组件就是来自三花智控。
8、洛阳钼业
洛阳钼业的主要产品包括黄金、白银、钨等稀有稀贵金属，拥有采矿、选矿、焙烧、钼化工和钼金属加工上下游一体化的完整产业链条，特斯拉三元锂电池的原材料镍、钴、铝正是来自于洛阳钼业。
9、中科三环
中科三环是一家以钕铁硼永磁材料及其他新型材料为主营业务的公司，从2016年开始就与特斯拉展开合作，主要负责供应制造电机所需的钕铁硼永磁材料。
10、福田机电
福田机电是一家台湾的电机生产公司，在特斯拉还没有进入中国市场之前双方就已经开始了合作，提供的产品是感应异步电机，主要搭载在特斯拉的高性能车型以及ModelS和ModelX这样的高端车型上
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