
技术领域:
本发明涉及半导体布线形成方法及装置、半导体器件制造方法及装置以及晶片,尤其涉及以在晶片上形成的沟内埋入的方式形成布线。
背景技术:
在VLSI领域中,实现了称为波纹装饰工艺的布线形成方法。通过该波纹装饰工艺在层间绝缘膜中形成接触孔、通孔(连接孔)等之后,通过在这些孔中填充铜,实现埋入层间绝缘膜中的布线系统。由此,得到布线无台阶、表面平坦化的IC,同时,以低电阻实现高可靠性的金属布线系统。
因此,在波纹装饰工艺中,通常,采用仅在层间绝缘膜中的布线沟等中填充铜的湿式镀。通过湿式镀,具有能在高长宽比的布线沟中填充铜的优点。
FPGA中的布线资源是铜金属布线。最新的FPGA器件都是在半导体材料的表面覆盖12层左右的铜金属布线层。长线和半长线资源都是铜走线,只是驱动电流大一些,阻抗和延时比较小。延时最小的是全局信号走线,比如时钟,全局复位等信号。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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