半导体带隙问题

半导体掺杂之后会引入杂志能级，以目前主流的半导体Si进行掺杂为例： Si为4族元素，掺杂3族元素B，B元素电离后作为受主能级存在在半导体之中，形成P型半导体。

此时Si元素为杂志提供了电子，则半导体中载流子为空穴。

其实 ztjzds 说的第一条是有道理的，半导体随着温度的升高，电阻值会下降。因为温度升高时，半导体内部多子和少子都会增多，通电能力增强，电阻就会下降，这是原理。

至于温度为什么会升高，您排除了外部因素，那就只剩内部因素了。因为电阻表内部也是有电源的，它测试电阻的原理还是欧姆定律U=I*R。所以，随着通电时间的延长，肯定是要发热的，引起电阻变化，虽然这个温度变化我们可能无法直接感受到。

另外，半导体的电阻与电压电流的关系本身就不是线性的，大致呈指数关系。因此，测半导体电阻一般是要求输入电阻，都会记录温度，然后再转换到标准温度下。

如今，新兴产业的发展进一步证明了半导体测试的重要性。随着通信速度的加快，基带和射频前端都受到了挑战。由于需要支持多种模式，射频前端还将集成功率放大器、低噪声放大器(LNA)、双工器和天线开关等模块，并将它们封装在一个组件中。在设计和生产过程中，检测变得非常重要。只有准确地测量器件的参数，才能优化设计方案，提高产品生产的成功率。

对于半导体检测，虽然需要用于大规模生产、实验室、晶片等环节，但相关环节也比较复杂，但电气性能测试是基本环节，半导体器件或模块在研究开发、设计和生产过程中是必不可少的环节。

在电气性能测试环节中，电流测试方案是源测量单元(SMU)。SMU是一种具有电压输出和测量以及电流输出和测量功能的精密电源仪表。这种电压和电流的控制给你提供了通过欧姆定律计算电阻和功率的灵活性，它可以同时控制和测量电压和电流，主要为消费类电子产品、IC设计和验证以及其他实验室提供电气性能测试。

目前市场上有许多(SMU)厂家可以提供源测量单元，相关产品很多，但测试仪器越贵，测试精度越高，从某种意义上说，要掌握源测量单元(SMU)，就必须了解产生误差的原因和减小误差的方法。

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