
1、明阳电路(300739)
明阳电路(300739)近日发布2018年财报,公告显示,报告期内实现营收11.31亿元,同比增长7.35%;归属于上市公司股东的净利润1.21亿元,同比增长3.76%;
基本每股收益为0.67元,同比下滑11.84%。截至2018年12月31日,明阳电路归属于上市公司股东的净资产12.54亿元,较上年末增长137.9%。
2、泰晶科技(603738)
据悉,泰晶科技主营业务为石英晶体谐振器的研发、生产、销售。日前,泰晶科技发布了2018年年报,报告期内实现营收6.11亿元,同比增长13.21;实现净利润3635.87万元,同比下滑43.66%。其中,2018年第四季度实现营业收入1.44亿元,环比增长3.58%;但归属于上市公司股东的净利润-508.44万元。
3、顺络电子(002138)
顺络电子2019年一季度毛利率为34.78%,同比2018年一季度毛利率增长了1.47个百分点,环比2018年四季度毛利率增长了3.78个百分点,公司产品盈利能力平稳有升。
主要是高毛利产品的市场销售比重提升。对比2018年一季度同期,顺络电子工资和研发支出均大幅度增长,合计超过人民币2500万元。
4、汇顶科技(603160)
汇顶科技日前发布了2018年年报和2019年一季报。年报显示,公司2018年实现营业收入37.21亿元,同比增长1.08%;
归属于上市公司股东的净利润7.42亿元,同比减少16.29%。2019年一季度,公司实现营业收入12.25亿元,同比增长114.39%;归属于上市公司股东的净利润4.14亿元,同比大增2039.95%。
5、长电科技(600584)
长电科技2003年在上交所主板成功上市。历经四十余年发展,公司已成为全球知名的集成电路封装测试企业。
长电科技面向全球提供封装设计、产品开发及认证。长电科技致力于可持续发展战略,崇尚员工、企业、客户、股东和社会和谐发展,合作共赢之理念,先后被评定为国家重点高新技术企业等。
6、国科微(300672)
公司成立于2008年,总部位于长沙,并在成都、上海、深圳、北京、常州、日本、美国等地设有分子公司及研发中心。
公司是国家规划布局内的重点集成电路设计企业和首家获得国家集成电路产业投资基金注资的集成电路设计企业,国家知识产权优势企业,也是中南地区规模最大的集成电路设计企业之一。
7、中环股份(002129)
天津中环半导体股份有限公司致力于半导体节能产业和新能源产业,是一家集科研、生产、经营、创投于一体的国有控股高新技术企业,拥有独特的半导体材料-节能型半导体器件和新能源材料-高效光伏电站双产业链。
公司主导产品电力电子器件用半导体区熔单晶-硅片综合实力全球第三。
1 引言 高可靠半导体器件在降额条件(Tj=100℃)下的现场使用失效率可以小于10-8/h,即小于10FIT,按照偶然失效期的指数分布推算,其平均寿命 MTTF大于108h,即大于10000年。据文献报导,电子元器件的贮存失效率比工作失效率还要小 一个数量级4.2 特军级晶体管
JTX2N2405为硅npn开关晶体管, PCM为1W,TO-39封装,生产日期为1974年,已经贮存了32年。特军级晶体管的质量等级高于普军级(JAN),该批器件数量较大,共206支,管芯的图形较大,ICM为1A,内引线用金丝,在管芯处为球焊键合,为70年代的典型键合工艺。在贮存期间,对电参数进行过多次检测,全部符合规范要求,仅有1支管子,小电流hFE (1mA处)有退化迹象。管子的外引线镀金层质量良好,没有锈蚀现象,任抽10支样管做可焊性试验,全部合格,气密性经检测漏率小于10?9Pam3/s。
4.3 早期的宇航级晶体管
JANS2N2222A为硅小功率开关晶体管,TO-18封装,相当于国产管3DK3,该批产品共5支,生产日期为1971年,已经贮存了35年,是美国TI公司早期生产的宇航级晶体管。经电参数检测,全部符合规范要求,hFE在微电流下也没有退化。
该管内引线采用当时典型的金丝球焊工艺,经过DPA检测,内引线键合拉力为2.9~6.5g,芯片剪切力为1.98kg。由于金丝和铝膜的键合在高温下会产生多种金铝化合物,严重时会产生开路失效,因此TI公司在80年代生产的宇航级晶体管2N2219中内引线使用铝丝超声键合工艺,消除了金铝化合物的失效模式。从DPA的数据来看,金丝球焊的键合拉力在贮存35年后,确有退化,2.9g数据为键合点脱开,6.5g为金丝拉断。该批器件的气密性良好,经检测漏率为10-9Pam3/s范围。
4.4 国产晶体管长期储存实例
国家半导体器件质量监督检验中心从1984年起对各种国产高频小功率晶体管进行了许可证确认试验,当时每个品种从工厂抽样150支,用60支分别进行高温储存、工作寿命和环境试验,其余留作仲裁用。全部样品在Ⅰ类贮存条件的试验室保存了20多年,从2006年开始进行了长期贮存器件可靠性研究,现报道其中一例。
3DG79晶体管为中放AGC专用管,生产时间为1983年,对库存100多支样管进行了常温电参数测试,全部符合规范要求,对其中5支标样进行了对比测试,发现hFE在贮存20年后平均下降了16% (年下降率0.8%),说明存在hFE退化机理,但未超出寿命试验失效判据(30%)。
5 结论
高可靠半导体器件的贮存寿命极长,对于气密性良好的金属或陶瓷封装器件,如果内部水汽含量小于5000×10-6,外引线镀层质量良好,在Ⅰ类条件的贮存期限可达到25年,甚至更长。
我国航天部门制订的超期复验标准中对于有效贮存期订的过严,建议参考俄罗斯标准作必要的修订,作为过渡方案,可以将半导体器件的有效贮存期先放宽到5年,这在某重点工程中已证明是可行的。
国内有关部门应加强电子元器件贮存可靠性及评估技术研究,制定相应统一的标准规范。
1、同方国芯-NAND闪存技术拥有西安华芯51%的所有权,拥有华芯自主品牌大容量DRAM内存产品2、国民技术-射频芯片移动支付限制域通信RCC技术3、景嘉微-军用GPU(JM5400型图形芯片)
3.全志科学技术-a股唯一独立IP核心芯片设计公司(类似大型ARM)
4.艾派克-通用印刷消耗品芯片。
5.大唐电信-子公司联芯科学技术(LC1860芯片-中低端产品)、恩智浦(灯调节器芯片、门驱动芯片、电池管理芯片)、大唐微电子(金融IC卡-国内唯一模块包装生产线的芯片公司)
6.欧元-SOC、芯片卫星等国内航空宇宙控制芯片(S698系列芯)8、北京君正-自主创新的XBurstCPU核心技术-MIPS结构M200芯片
7.汇兑技术-世界领先的单层多点触摸芯片,世界首个触摸屏近场通信技术GoodixLink,世界首个Android手机正面应用的指纹识别芯片,世界首个InvisibleFingerprintSensor(IFS)
8.士兰微-完全自主IP的单芯片MEMS高性能六轴惯性传感器。
拓展资料:
1.终端需求的爆发将来自于5G实现后的万物互联场景,而能够承接新一轮半导体转移的国家或地区需具备以下三个特点:一是具备成熟的5G技术基础;二是拥有广阔的终端应用市场以实现IoT;三是有强大的政府扶持力量。从这个角度出发,第三次半导体产业向我国转移将是必然趋势。
2.力源信息主营业务包括上游电子元器件的代理分销业务及自研芯片业务、下游解决方案和模块的研发、生产、销售以及泛在电力物联网终端产品的研发、生产及销售。公司是国内领先的电子元器件代理及分销商,主要从事电子元器件及相关成套产品方案的开发、设计、研制、推广、销售及技术服务。
3.帝科股份主要从事新型电子浆料等电子材料的研发、生产和销售,可广泛应用于新能源、半导体、显示照明等行业。目前,公司主要产品是晶硅太阳能电池正面银浆,并已积极研发和推广太阳能叠瓦组件导电胶、半导体及显示照明领域的封装和装联材料等多类别产品。
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