
当然有影响,所以在测试结果中要注明测试温度。如果栅源
电压加得较大(比阈值电压大得多),则因为迁移率随着温度的上升而下降,将使得
电流有所降低--负温度系数相反,如果栅源电压加得较小(与阈值电压差不多),则因为阈值电压随着温度的上升而下降,将使得电流有所升高--正温度系数。只有在一定温度范围内,电流随温度变化不大。不管是静态电流还是动态电流,都是如此。
半导体应变片加热后电压降低。根据查询相关公开信息资料显示,当
半导体应变片温度升高时,电阻大伏下降,电阻下降,电流升高,电压下降。半导体应变片是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。半导体导电是通过载流子进行的,载流子数量越多,导电性能越好,也就是电阻率越低。
温度上升时,半导体电子热运动活动剧烈,能量增加,由价带顶跃迁到导带底所需要的外界能量降低(半导体载流子是由价带顶的空穴和导带底的电子确定的),所以半导体带隙降低,Eg降低。由于ni^2=Nc*Nvexp(-Eg/2K0T),所以Eg越低导致ni^2 越高,由于np = ni^2所以载流子随之升高。最后导致同样电压下,电流变大,反映出的是电阻率变低。
https://zhidao.baidu.com/question/1987779684801752987
我在这里也有较为详细的解释,敬请参考。
谢谢!
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