甘肃中天半导体有限公司怎么样？

甘肃中天半导体有限公司是2002-05-24在甘肃省注册成立的有限责任公司，注册地址位于兰州市城关区皋兰路街道皋兰路105号。

甘肃中天半导体有限公司的统一社会信用代码/注册号是91620000720267889F，企业法人魏宝成，目前企业处于开业状态。

甘肃中天半导体有限公司的经营范围是：新型电子元器件的研发、设计、生产、销售；经营本企业自产产品及技术的出口业务；经营本企业生产所需的原辅材料、仪器仪表、机械设备、零配件及技术的进口业务（国家限定的除外）；经营来料加工和“三来一补”业务。本省范围内，当前企业的注册资本属于一般。

甘肃中天半导体有限公司对外投资1家公司，具有0处分支机构。

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行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)、三安光电(600703)、士兰微(600460)、闻泰科技(600745)、新洁能(605111)、露笑科技(002617)、斯达半导(603290)等。

本文核心数据：第三代半导体分类、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频产值、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频市场规模

行业概况

1、定义

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热频，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

第三代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO)，其中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)并称为第三代半导体材料的“双雄”，是第三代半导体材料的典型代表。

2、产业链剖析：产业链涉及多个环节

第三代半导体产业链分为上游原材料供应，中游第三代半导体制造和下游第三代半导体器件环节。上游原材料包括衬底和外延片中游包括第三代版奥体设计、晶圆制造和封装测试下游为第三代半导体器件应用，包括微波射频器件、电力电子器件和光电子器件等。中国第三代半导体行业产业链如下：

第三代产业链各个环节国内均有企业涉足。从事衬底片的国内厂商主要用露笑科技、三安光电、天科合达、山东天岳、维微科技、科恒晶体、镓铝光电等等从事外延片生产的厂商主要有瀚天天成、东莞天域、晶湛半导体、聚能晶源、英诺赛科等。苏州能讯、四川益丰电子、中科院苏州纳米所等从事第三代半导体器件的厂商较多，包括比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技、泰科天润等。

行业发展历程：兴起的时间较短

中国第三代半导体兴起的时间较短，2013年，科技部863计划首次阿静第三代半导体产业列为国战战略发展产业。

2016年，为第三代半导体发展元年，国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点，国内企业扩大第三半导体研发项目投资，行业进入快速发展期。

2018年1月，中车时代电气建成国内第一条6 英寸碳化硅生产线2018年，泰科天润建成了国内第一条碳化硅器件生产线2019年9月，三安集成已建成了国内第一条6英寸氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)外延芯片产线并投入量产。在2020年7月，华润微宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。

2020年9月，第三代半导体写入“十四五”规划，行业被推向风口。

行业发展现状

1、产值规模逆势增长

随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2020年我国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值超过100亿元，较2019年同比增长69.5%。

其中，SiC、GaN电子电力产值规模达44.7亿元，同比增长54%GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。

2、产能大幅增长但仍供应不足

根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。

GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算 6 英寸产能约为22万片/年。

但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品依赖进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。

3、电力电子器件市场规模接近50亿元

2017-2020年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长，2020年，SiC、GaN电力电子器件应用市场规模为46.8亿元，同比增长90%。

2020年，我国半导体分立器件的市场规模约3002.6亿元，SiC、GaN电力电子器件的应用渗透率约为1.56%。

目前，GaN主要应用在射频及快充领域。SiC重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车充电桩领域的渗透快于整车市场，占比达38%消费类电源(PFC)占22%光伏逆变器占了15%工业及商业电源、不间断电源UPS、快充电源、工业电机分别占6%、3%、3%、1%。

2020年，我国GaN微波射频器件市场规模约为66.1亿元，同比增长57.2%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。

国防军事与航天应用是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，2020年市场规模占整个GaN射频器件市场的53%其次是无线基础设施，下游市场占比为36%。

行业竞争格局

1、区域竞争格局：江苏省第三代半导体代表性企业分布最多

当前，我国第三代半导体初步形成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大重点发展区域。

从我国第三代半导体行业产业链企业区域分布来看，第三代半导体行业产业链企业在全国绝大多数省份均有分布。其中河南省第三代半导体企业数量分布最多，同时山东、江苏和甘肃等省份企业数量也相对集中。

从代表性企业分布情况来看，江苏省第三代半导体代表性企业分布最多，如苏州纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业分布。

2、企业竞争格局：主流企业加速扩张布局

经过初期的发展，第三代半导体迅速在新能源汽车、5G基站、PD快充等领域应用，市场规模增长迅速。同时，行业内的竞争也逐渐加剧。为了迎合市场需求，抢占市场地位，国内主流半导体企业均加强在第三代半导体产业的布局，扩充第三代半导体的产能。其中，代表性的主流企业有三安光电、中电科55所、泰科天润等。

行业发展前景及趋势预测

1、2025年行业规模有望超过500亿元

第三代半导体已经写入“十四五”规划。在国家政策的支持和下游需求增长的背景下，预计到2021-2025年，我国SiC、GaN电力电子器件应用市场将以45%的年复合增长率增长至2025年的近300亿元GaN微波射频器件市场规模将以25.4%的年均复合增长率增长至2025年的205亿元。2025年第三代半导体整体市场规模有望超过500亿元。

2、国产化进程将加速

未来，在市场竞争趋势方面，我国第三代半导体行业国产化率将会加深在细分产品发展趋势方面，SiC需求将会增长在技术发展趋势方面，大尺寸Si基GaN外延等问题将会有所进展。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》。

集微网消息，11月9日，第十八届中国半导体封装测试技术与市场年会在甘肃天水举行，中国半导体行业协会副理事长、长电 科技 CEO郑力以《高精密芯片封测技术扛起后摩尔时代产业发展大旗》为主题发表了演讲。

郑力表示，后摩尔定律时代封装的技术，尤其是高精密封装技术，在今后的半导体产业发展中会越来越重要。在未来，封测技术和封测企业的发展与整个集成电路产业生态圈的发展将会是一脉相承、相辅相成的。

从应用端折射的未来

郑力指出，封测行业是整个集成电路产业中，与应用市场联系最紧密的一个环节。集成电路从一粒沙子经过成千上百道的工序，最后封装和测试完过后才能交付到应用场景去生产。芯片到了应用场景以后，出现最多的问题往往不是质量问题，而是后道紧密相关的封装和测试，所以要看封测产业未来的发展，首先应该从应用的角度再来观察。

近年来，新兴应用中被提及较多的就是5G和人工智能。但郑力认为，从真正落地的角度来看，5G和人工智能大规模落地的应用都不是很多，还以数据处理和高性能为主要应用场景。

郑力预测， 未来五年内运算能力至少成长1000倍，这是集成电路产业，尤其是封测行业实现高性能跨越性发展的坚实基础。 而在此发展过程中，半导体制造工艺从10nm制程开始，包含设计到流片在内的全过程所需要的资本投入也在节节高升。7nm总开发成本大约是10nm的2倍，5nm的成本则已高达5亿美元。

目前，台积电和三星是唯二能量产7nm和5nm工艺的厂商。郑力指出，到了7nm和5nm节点，台积电要8年的时间才能够回收资本投入。所以， 集成电路产业向前发展正面临一个巨大的资金成本障碍。

另外，万物智能的市场趋势大大提高了对芯片功能应用多元化的需求，One-SoC-Fits-All已不足以胜任。郑力强调，不同应用场景的芯片在性能、能耗、成本等方面必然侧重不同，因此异构集成不可或缺。异构集成可避免对多种类芯片工艺一刀切，节省时间成本，并在3D维度有效延续摩尔定律。

谈到摩尔定律的延续，郑力还认为，摩尔定律的核心并不单单只是18个月单位面积的晶体管数量提升，而是指半导体产业每在一个比较短的时间内，芯片的性能都会有大幅度的提高，这也是集成电路的魅力和活力所在。

高精密封测技术发展

魏少军教授在大会上指出，中国大陆集成电路封测业十五年间的年均复合增长率为15.23％，总体规模仅次于芯片设计业。销售额方面，封测业也高于IC制造业。郑力表示，封测业在中国大陆的集成电路领域的确起到了举足轻重的作用，但前几年封测行业还相对比较沉寂，外界普遍认为其高 科技 含量并不高。

集成电路的封测技术正在实现从先进封装到高精密封装的转变，这使得封测行业与生态链技术上的紧密合作愈发凸显，包括前道晶圆厂、IDM、材料与设备厂、EDA与IP厂商等。

郑力表示，高精密封装测试在设计封测结构和相关材料时，就可以发现封装行业与生态链的相关性已变得非常之强，包括对电磁屏蔽材料、胶粘材料、散热材料、塑膜材料、热导介质材料以及基板材料等生态链技术产品都提出了更高要求。因此，在后摩尔时代，实现高精密封测及异构集成标准化的首要条件就是一个涵盖晶圆制造、封测、材料、协同设计仿真等的行业生态圈。

显然，在对材料提出高要求的同时，高精密封测也顺势推动了本土高端材料工艺加速创新，例如高精密RDL电镀成型材料、高精密封装Bump塑膜材料、高精密封装基板材料工艺、高精密铜面增加光滑度材料等。

除了材料的技术革新，测试和仿真也在整个高精密封装环节中扮演重要角色。郑力指出，封装行业本身更多的元素是制造，设计的成分并不大。但随着高精密封装向前发展，协同设计也变得越来越重要。长电 科技 本身也在不断加大在设计方面的投入，确保客户在做高精密、高功效产品时，能够无缝连接。

更大的挑战 更高的上限

之所以说先进封装到高精密封装实现了跨越，国际上也有一个比较统一的共识，也就是高精密封装需要克服三大技术挑战。

郑力指出，第一大挑战就是I/O和Bump Pitch之间的间距越来越小，这对异构集成带来了更为精密的挑战。第二大挑战是由存储器带来的，由于存储器的异构集成相对于CPU而言比较慢，所以要将一快一慢一起封装，就会带来新的技术难题。第三大挑战就是解决高密度I/O与各个GPU之间如何实现互联的问题。

郑力表示，从市场数据来看，业界对高精密封装的定义还有两个硬性要求，即RDL要小于3μm，Bump Pitch小于50μm。在2019年以前，只有台积电和日月光能做到这两点， 但今年长电 科技 符合业界定义的高精密封装工艺也即将开始量产。

整体来看，高精密封装市场还非常小，2019年时总市场规模只有5亿美元，但其增长速度十分惊人。郑力预计， 到2025年时市场规模将达到15亿美元，届时长电 科技 有望拿下8%的市场份额。

“随着集成电路不断的向高精尖领域发展，集成电路的封装测试技术正在从定义模糊的先进封装时代，走进高精密封测这样一个崭新的时代。无论是设计还是封测技术，都会迎来一个更高的上限。”郑力说，“封测行业在向高精密封装时代发展的过程当中，通过不断的创新，与整个产业链的合作会变得越来越紧密。 相信集成电路封测技术将在后摩尔定律时代起到非常关键的作用。 ”

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