锗硅工艺外延主机台原理

嵌入式锗硅工艺的原理是在pfet源/漏区形成凹槽，然后在源/漏区凹槽内部外延生长sige层，利用sige晶格常数与si的不匹配来引入对沟道的压应力，这种应力使得半导体晶体晶格发生畸变，生成沟道区域内的单轴应力(uniaxialstress)，进而影响能带排列和半导体的电荷输送性能，通过控制在最终器件中的应力的大小和分布，提高空穴的迁移率，从而改善器件的性能。

生产三极管的设备可能有MOCVD，光刻机，离子注入，金丝球焊机，封帽机，测试设备等。

这些设备大多是自动化设备，尤其是MOCVD和离子注入。控制部分是PLC+数字电路，非常复杂。其他的设备电路部分常见的是数字电路控制。但也不排除简单的PLC。

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