半导体的发展史

半导体的发展史,第1张

1、1833年,英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属,一般情况下,金属的电阻随温度升高而增加,但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

2、1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结,在光照下会产生一个电压,这就是后来人们熟知的光生伏特效应,这是被发现的半导体的第二个特性。

3、1873年,英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应,这是半导体的第三种特性。

4、1874年德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关,即它的导电有方向性,在它两端加一个正向电压,它是导通的;如果把电压极性反过来,它就不导电,这就是半导体的整流效应,也是半导体所特有的第四种特性。同年,舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

5、半导体的这四个特性,虽在1880年以前就先后被发现了,但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

扩展资料:

最早的实用“半导体”是「电晶体(Transistor)/二极体(Diode)」。

1、在无线电收音机(Radio)及电视机(Television)中,作为“讯号放大器/整流器”用。

2、发展「太阳能(Solar Power)」,也用在「光电池(Solar Cell)」中。

3、半导体可以用来测量温度,测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域,有较高的准确度和稳定性,分辨率可达0.1℃,甚至达到0.01℃也不是不可能,线性度0.2%,测温范围-100~+300℃,是性价比极高的一种测温元件。

4、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.

参考资料来源:百度百科——半导体

1、高士廉:本名高俭,字士廉,渤海蓨县(今河北景县)人。唐朝初年宰相,北齐清河王高岳之孙,隋朝洮州刺史高劢之子,唐太宗文德皇后舅父。少有器量,涉猎经史,事母至孝。初仕隋朝治礼郎,受斛斯政牵连,贬为交趾郡朱鸢县主簿,成为交趾太守丘和司法书佐。

武德五年(622年),归顺唐朝,授雍州治中。武德九年(626年),参谋玄武门之变,拜太子右庶子。唐太宗即位,拜侍中,封义兴郡公,贬为益州长史,入为吏部尚书,封许国公。

2、高季辅:本名高冯(ping),字季辅,渤海蓚县(今河北景县)人。唐朝初年宰相,北魏光禄大夫高祐四世孙。出身渤海高氏,勤学好武,事母至孝,隋末跟随李密起义。武德元年,归顺唐朝,授陟州户曹参军。

唐太宗即位,拜监察御史,d劾大臣;迁中书舍人,指陈时政;检校吏部侍郎,铨选人才,颇得唐太宗赞许。晋王李治立为皇太子,选为东宫属官,辅佐监国理政。唐高宗即位,拜中书令、检校吏部尚书、监修国史,封蓚县公,迁侍中、太子少保。

3、高智周:常州晋陵人。少好学,举进士。初补越王府参军。迁费县令,与丞尉均分俸钱,政化大行。人吏刻石颂其美。寻授秘书郎,弘文馆直学士,预撰瑶山玉彩、文馆辞林三迁兰台大夫,以儒学为东宫侍读。总章元年,(公元六六八年)请假归葬父母,因称疾去职。

4、高适:字达夫,一字仲武,渤海蓨(今河北沧州)人,后迁居宋州宋城(今河南商丘睢阳)。安东都护高侃之孙,唐代大臣、诗人。曾任刑部侍郎、散骑常侍,封渤海县侯,世称高常侍。于永泰元年正月病逝,卒赠礼部尚书,谥号忠。

作为著名边塞诗人,高适与岑参并称“高岑”,与岑参、王昌龄、王之涣合称“边塞四诗人”。其诗笔力雄健,气势奔放,洋溢着盛唐时期所特有的奋发进取、蓬勃向上的时代精神。

5、高崇文:字崇文,幽州(今北京一带)人,祖籍渤海蓚县(今河北景县)。唐朝名将。高崇文出身渤海高氏,早年曾在平卢军从军。唐德宗时,随韩全义镇守长武城,累官金吾将军。

贞元五年(789年),于佛堂原大破进犯的吐蕃,封渤海郡王。贞元十四年(798年),平定军士哗变,获授长武城都知兵马使,后更代掌夏、绥、银、宥四州行营节度留务。

参考资料来源:百度百科-高士廉

参考资料来源:百度百科-高季辅

参考资料来源:百度百科-高智周

参考资料来源:百度百科-高适

参考资料来源:百度百科-高崇文

半导体的四个特性:电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。

1833年,法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。通常情况下,金属的电阻随温度升高而增加,法拉第发现硫化银的电阻随着温度的上升而降低。这是人类首次发现的半导体现象。

1839年,法国科学家亚历山大·贝克雷尔(Alexandre Edmond Becquerel)发现了光伏现象。那是一个半导体和电解质接触形成的结,在光照下会产生电压,这是半导体的第二个特征。

1873年,英国科学家史密斯(W.Smith)发现了硒晶体材料在光照下电阻减弱的现象,这是半导体第三个特性。

1880年,半导体的霍尔效应被发现。

1874年,德国的布劳恩(Ferdinand Braun)发现了硫化物半导体的整流效应。同年,氧化铜的整流效应也被发现。


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