填空题p型半导体中空穴为什么载流子

首先空穴不是真实存在的，是人们虚拟。当一个电子有价带跃迁到导带的同时，价带中就产生了一个空量子态，人们虚拟为空穴。且空穴（空位）也不能移动的，只是因为空位相邻的共价键上的电子很容易跑到这个空位上，这样其相邻的共价键上就形成了一个新的空位，其效果就好像空位在移动。 下面来回答您的问题： P型半导体之所以空穴为多子的原因是：受主杂质原子（如3价硼）能在价带中产生空穴，但不在导带中产生电子（P表示带正电的空穴）。具体的描述：硼的三个价电子与硅都形成了共价键，而有个共价键是空的。如果有一个电子填充这个“空”位，因为此时的硼原子带负电，它的能量必须比价电子的能量高。但是，占据这个“空”位的电子并不具有足够的能量进入导带，它的能量远小于导带底能量。当硼原子引入的空位被填满时，其他价电子的位置将变空。可以把出来的位置想象成半导体材料中的空穴。空位的不断被填充，不断有新的空位产生，我们可以看出空位在移动，因此多子为空穴。您提到的负离子即填充空位的负离子，仅能使价带电子跃迁到某一能级Ea而非跃迁到导带的电子。整个过程就是这样的，在价带产生了空穴，而不再导带产生电子。 N型半导体之所以电子为多子的原因是：施主杂质原子增加导带电子，但并不产生价带空穴。（N表示带负电的电子）

（1）氮、镓、碳、硅四种元素原子半径最小的是N，位于第二周期第ⅤA主族；

C原子序数最小，原子核外有2个电子层，最外层电子数为4，原子结构示意图为，

故答案为：第二周期第ⅤA主族；；

（2）设镓的另一核素质量数为x，则69×60.1%+x×（1-60.1%）=69.72，解得x=71，的质子数=13+18=31，故该同位素符号为3171Ga，

故答案为：3171Ga；

（3）①氢氧化镓与氢氧化铝的性质相似，氢氧化镓的电离方程式为：H++H2O+GaO2-?Ga（OH）3?Ga3++3OH-，

故答案为：H++H2O+GaO2-?Ga（OH）3?Ga3++3OH-；

②所得的溶液中存在平衡：H++H2O+GaO2-?Ga（OH）3，H++H2O+AlO2-?Al（OH）3，Al（OH）3的电离平衡常数更小，故溶液中通入二氧化碳，先析出Al（OH）3沉淀，

故答案为：Al（OH）3．

（1）CO（2）HF（3）2H 2 +O 2 =2H 2 O（4）2F 2 +2H 2 O=4HF+O 2 。

本题主要考查元素化合物的性质，是一道常规的框图推断题。要求学生能全面系统地掌握元素及化合物性质的基础上，善于抓住某些元素的特殊性质为解题的突破口和切入点。由题中所叙述的条件，单质E为半导体材料，化合物F为不成盐氧化物，结合框图中的反应①可推知E和F分别为Si和CO。反应①为：SiO 2 +2C==Si+2CO。氧化物A是SiO 2 ，它除了跟氢氟酸反应以外不跟任何酸反应，由此可判断化合物I为HF。 由“氧化物C+单质D    HF+单质H”可推知该反应为：2F 2 +2H 2 O=4HF+O 2 。至此即可突破全题。

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