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电介质作为芯片必备的一种材料,除了低k值外,电介质材料至少应具备以下三个方面的特性:绝缘性能好、导热性好、便于制造。进入90nm工艺后,low-k电介质的开发和应用是芯片厂商面临的难题。 由于low-k材料的抗热性、化学性、机械延展性以及材料稳定性等问题都还没有得到完全解决,给芯片的制造和质量控制带来很多困难。采用low-k材料后,多家芯片大厂的产品都出现过不同程度的问题。 与SiO2相比,low-k材料密度较低,这样带来两个问题,一是热传导性能较差,不利于芯片内热量的散发,由此导致芯片热稳定性变坏;二是铜更容易扩散进入绝缘层材料的孔隙中,不仅影响了互连的可靠性,如果不采取适当防扩散工艺措施,情况严重时会因电介质中铜含量过高而带来漏电和功耗升高问题。虽然电流泄露途径主要是“栅泄漏(Gate leakage)”,但“电介质泄漏(Dielectric leakage)”问题也同样不可忽视。在制造工艺上,由于low-k材料的松软结构和易渗透性,使得CMP(化学机械研磨)和清洁工序变得更为艰难,并导致成品率下降和生产成本的提高。
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