导体、半导体和绝缘体的电阻随温度的变化如何变化？

多数导体的电阻随温度的升高电阻增大，

绝缘体

的电阻极高，对温度的变化不明显。半导体的电阻对温度变化很敏感，因此常用于

热敏电阻

的制造，热敏电阻根据材料不同可以是正

温度系数

，也可以是

负温度系数

。

用一定的

直流电压

对被测材料加压时，被测材料上的电流不是瞬时达到稳定值的，而是有一衰减过程。

在加压的同时，流过较大的充电电流，接着是比较长时间缓慢减小的吸收电流，最后达到比较平稳的

电导电流

。被测电阻值越高，达到平衡的时间则越长。

扩展资料：

测量时为了正确读取被测电阻值，应在稳定后读取数值。在

通信电缆

绝缘电阻测试

方法中规定，在充电1分钟后读数，即为电缆的绝缘实测值。

但是在实际上，此方法有些不妥，因为直流电压对被测材料加压时，被测材料上的电流是

电容电流

，既然是电容电流，就与电缆的电容大小有关。

电容大需要充电的时间就长，特别是

油膏

填充电缆，就需要的时间要长一些。所以同一类型的电缆，由于长度不一样，及电容大小不一样，

充电时间

为一分钟时读数显然是不科学，还需进一步研究和探讨。

拿其电阻率来说，电阻率主要决定于载流子的浓度和迁移率，两者均与杂质浓度和温度有关系。讨论纯半导体材料是，电阻率主要取决于本证载流子浓度ni，ni随温度升高会急剧增加，室温左右时，每8℃，硅的ni会增加大约一倍，而迁移率只是稍有下降，所以可以认为起电阻率相应的降低了一半左右。对于锗，每增加12℃，ni增加一倍，电阻率下降一半。本征半导体的电阻率随温度增加单调下降。对于杂质半导体：温度很低时，本征激发忽略，主要由杂质电离提供载流子，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高增大，所以电阻率下降。温度继续升高，杂质全部电离，本征激发还不显著时，载流子基本不变，晶格振动是主要影响因素，迁移率随温度升高而降低，所以电阻率随温度升高而增大。继续升高到本征激发很快增加时，本征激发称为主要影响因素，表现出同本证半导体相同的特征。

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