多晶硅和单晶硅的具体解释和图片

【多晶硅】是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。利用价值：从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

       多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金属光泽，密度2.32~2.34g/cm3。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。

【单晶硅】硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

     单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。

     单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。

     在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。

我们使用单向晶闸管，通常称为普通晶闸管。它由具有三个PN结和三个外部电极的四层半导体材料组成[图2（a）]：第一层P型半导体引出的电极称为阳极A。，它是从第三层引出的电极层。 P型半导体的电极称为控制电极G，从N型半导体第四层引出的电极称为阴极K。从晶闸管电路符号来看，是二极管等单向导电器件。重要的是添加G门。这使得栅极 G 具有与二极管完全不同的工作特性。

P1N1P2N2 一种基于硅单晶的4层3端器件，因其特性与真空晶闸管相似，在国际上通常被称为硅晶闸管，称为晶闸管T。最初，从静态整流的角度来看，它也被称为可控硅整流元件，简称SCR。

在性能方面，晶闸管不仅单向导电，而且比硅换向器元件（俗称“死硅”）更可控。只有两种状态，开和关。

晶闸管可以控制具有毫安电流的大功率机电设备。如果功率超过这个功率，元件的开关损耗会显着增加，可以通过的平均电流会降低。此时，标称电流应减小。

晶闸管有很多优点，包括：用小功率控制大功率时，功率放大倍数可达几十万倍。响应非常快，在微秒内打开和关闭。非接触式 *** 作，无火花，无噪音。效率高、成本低等。

晶闸管的缺点：静态和动态过载能力低。很容易被干扰误解。

晶闸管主要分为螺栓型、扁平型和平底型。

晶闸管元件的结构

不管晶闸管的形状如何，管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见照片 1。 PN结有3个（J1、J2、J3），阳极A从J1结构的P1层引出，阴极K从N2层引出，控制电极G是P2层，所以是4层3端半导体器件

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