Nikon相机怎么用？

1、风光摄影（含暗光摄影）中把握成像锐利尺度的窍门

尼康相机以锐利著称，但锐利的尺度不好把握，尤其拍摄风景时（或拍摄光线较暗对象时），过于锐利反而不太自然。窍门是采用raw拍摄的同时，将优化校准的锐度设为最大值，然后用实时取景拍摄，如拍摄对象中包含大量需要细节的对象（如树叶、草地等风光摄影中常见对象），非常有利于对细节的控制，如整体画面最后在电脑中查看时发现不自然，还可在raw中将锐度降下来。

2、快速设置菜单的技巧

可充分利用“我的菜单”功能，将播放菜单、拍摄菜单、个人用户菜单中的常用选项（一级或二级选项）一次性放入“我的菜单”，最多可放20个，而且先后顺序可任意调整。由于尼康已将大量常用功能设置了快捷键，所以最常设置的是D-Lighting、优化校准和个人用户菜单中的拍摄菜单库。

3、快速确定白平衡的窍门

在场景光源较复杂的情况下，短时间内调出最适合的白平衡并不是一件易事，这时常会使用白平衡包围，通过设定黄色（A）和蓝色（B）的调整级数、设定补偿级数（白平衡修正幅度）、设定拍摄张数，在最短时间内选择最符合当时环境气氛的白平衡。需要注意的是，符合气氛的白平衡并不一定是严格的18度中灰，同时，这点也是采用raw格式无法解决的（理论上可在后期任意调整raw中的白平衡设置）。实际使用中，到底是采用白平衡包围、raw后期调整，要看个人习惯和条件。在复杂光源下通常的设置：

首先将FUNC按钮指定为白平衡包围按钮，其次大致选择一个相机内自带的白平衡（这个需根据现场临时设置，大致准确即可，不严格要求，主要是作为后面白平衡包围的基准），然后将白平衡调整级数设置为5，拍摄张数设置为5。设置完毕，只需按一次快门，相机就会自动拍摄5张不同级数的白平衡照片（包围曝光需按下多次快门），从中选择一张最能表达主题和现场气氛的照片，之后将相机白平衡修改为“手动预设”，在“选择影像”时将刚才最能表达主题和现场气氛的照片白平衡设定存为自定值，这样就可轻松采用相同的白平衡来拍摄同样场景的其他照片了。

4、设定优化校准的若干技巧

（1）如希望强调物体的边缘（如拍摄以枫叶为主体的对象时），应当提高锐化程度，同时提升对比度，这样颜色比较鲜明，同时视觉冲击力也会比较强。需指出的是，如同时提高亮度，那么亮度的提升会部分抵消提升对比度和锐化的效果。如拿捏不准，请设置为A（在设置条的最左侧），机器会根据现场情况自动设置锐度，这样效果往往也不错。

（2）照片发灰时（如阳光强烈时用远焦镜头拍摄带有雾气的山体），往往需提高对比度，且提高对比度，也有利于用黑白灰表现另外一种影调。如拿捏不准，请设置为A（在设置条的最左侧），机器会根据现场情况自动设置对比度，这样效果往往也不错。

（3）提高亮度，可部分抑制画面中的噪点；降低亮度，可部分抑制死白出现的概率。

（4）饱和度不要一次提升很多，要慢慢提，然后放大确认是否仍能保留细节，特别是拍摄红色鲜花时，更要留心由于过度饱和导致红色花朵失去脉络、褶皱等细节。如拿捏不准，请设置为A（在设置条的最左侧），机器会根据现场情况自动设置饱和度，这样效果往往也不错。

（5）色相设置为负数，会增加黄色调，设置为正数，会增加红色调。拍摄人像时，可适当正向调整，这样设置，如白平衡设置准确的话，很容易得到模特白里透红的效果。

（6）对比度和亮度无法调整时，请关闭D-Lighting即可。

（7）单色滤镜中，画面对比强度从R（红色）、O（橘黄）、Y（黄色）依顺序递减，G（绿色）是很好的拍摄单色人像的滤镜，大家不妨一试。

5、自动曝光（对焦）锁定技巧

设置AE-L（锁定自动曝光）是相机中很重要的功能。尼康相机设置技巧：

（1）仅锁定自动曝光：只有按住AE-L/AF-L按钮时，曝光才会被锁定，松开按钮时，相机继续自动测光。由于个人不习惯构图时，总是需要很紧张地按住AE-L/AF-L按钮，所以最好不设置“仅锁定自动曝光”。

（2）仅锁定自动对焦：只有按住AE-L/AF-L按钮时，对焦才会被锁定，松开按钮时，相机继续自动对焦，这个功能挺有用，特别在光线较暗时，好不容易对准焦后，按住它可重新构图，不用担心拉风箱现象发生。需要指出的是，如镜头上带有锁定对焦功能（如小竹炮），则没有必要设置“仅锁定自动对焦”。

（3）AE/AF锁定（释放快门时重设）：按下AE-L/AF-L按钮后就将曝光和焦点进行锁定（放开按钮后锁定依然有效），直到按下快门或相机的测光关闭后才解除。常用这个设定，挺方便的。

（4）AE锁定（保持）：按下AE-L/AF-L按钮后就将曝光和焦点进行锁定（放开按钮后锁定依然有效），按下快门后仍旧保持，适合曝光锁定后的连续拍摄。只有在拍摄光源稳定的体育场景等需要大量连拍时进行这项设定。

6、最佳测光模式的快速选择

将默认测光模式设置为矩阵测光，这样可先对整体曝光值有个大概的判断，多数情况下，矩阵曝光还是比较准确的。同时，在F控制选项中，选择“指定FUNC按钮”，将Fn按钮设定为点测光，将预览按钮设为中央重点测光，这样，当主体占据画面中央大部分范围时（如人像摄影时的特写），按一下预览按钮，就快速切换到中央重点测光；当主体占据整个画面的范围不大，背景环境与主体光比相差较大的时候（如拍摄逆光环境人像），按一下Fn按钮，就切换到点测光（当然是对主体测光），非常方便。至于中央重点区域的大小，用户可以在b测光/曝光设置中的“中央重点区域”里面进行设置。我平时半身特写时主要用8mm，如面部特写则用6mm，如全身特写则用10mm效果比较好。

7、模拟闪光如何使用？

模拟闪光，就是预先闪光让摄影者提前看到拍摄主体在闪光灯开启后的阴影位置，从而便于确认闪光灯的输出强弱和方向。在e包围/闪光选项中，将模拟闪光设置为开启，然后在打开闪光灯的情况下（无论内闪还是外闪），按下“景深预览”键，闪光灯就会随着预览按键而激发闪光。应当说，这个功能在户外多灯拍摄时，还是蛮有用的。

8、自动FP在什么场合下使用？

一般中高端闪光灯的同步速度大概为1/250秒，如快门速度超过闪光灯的最大同步速度时（如1/400秒、F2，使用闪光灯的同时又使用大光圈时经常会发生这种情况），快门前帘还未完全开启，快门后帘就落下，往往会造成局部画面“半黑”。在这种场合下，就需开启自动FP。开启自动FP后，快门速度可突破闪光灯同步速度极限（1/250秒，达到1/2500秒甚至1/4000秒）。实际使用中，在艳阳高照的情况下，逆光大光圈拍摄人像或花卉时，往往需用闪光灯进行局部补光以突出质感，同时虚化背景，这时开启自动FP是唯一办法，否则几乎百分百会拍出一片死白（快门太慢的缘故）。所以在使用闪光灯时，一般都会启动“自动FP”。补充一下，内置闪光灯不能使用FP高速同步快门。

9、对焦控制速成

说到对焦，一定要搞明白AF对焦模式和AF区域模式，前者控制清晰合焦的方法，后者控制对焦点的设定。对初学者，最佳设定是AF-A+3D追踪。AF-A可自动判断对焦模式，如主体静止，系统自动采用AF-S，一旦主体没有固定在对焦点上，系统会自动切换到AF-C。只所以推荐3D追踪，因为选择的对焦点对焦后，即使拍摄主体从对焦点移开，系统也会根据色彩与对比，自动切换到对焦点持续对焦。这种推荐的方式，速度和精度稍有影响，不过简便易行。如追求更快速度和精度，还是好好研究其他AF对焦模式和AF区域模式。

10、动态AF区域选择的心得

首先要说明的是，选择动态AF区域时，并非使用的点数越多越好，应根据拍摄对象和题材，有针对性的设置，效率才会最高。

（1）9个对焦点：适用拍摄主体在画面中占据的比例较小、需要交待环境的场合，比如拍摄蜜蜂、蝴蝶在花丛中翻飞，这时候不需刻意强调细节（不需要拍出复眼、绒毛），蜜蜂和蝴蝶在整个画面中只是起到点睛作用，是表现环境的一个要素，此时只需将拍摄对象（蜜蜂、蝴蝶）涵盖进对焦范围内，配合其运动方式小幅度改变相机角度，就能持续对焦。

（2）21个对焦点：适用拍摄主体在画面中占据的比例较大、不需刻意交待环境，比如拍摄蜜蜂和蝴蝶，需要刻意强调复眼、绒毛等细节，照片的主题不是强调主体和环境的关系，而是为了表现主体中最出彩的部分，此刻设置21个对焦点更加合适。

（3）51个对焦点：完全无法预测主体运动轨迹，如拍摄急飞打架的鸟类，这时与其自己劳心费神地对焦，不如完全交由相机自动判断，你只是需要不停地连拍即可。

（4）51个对焦点（3D追踪）：与51个对焦点类似，区别在于画面中的环境比较杂乱（杂乱的环境中蕴藏着大量空间信息，便于3D追踪），拍摄主体和拍摄背景在色彩上有较大差异，对比比较强烈，拍摄主体在画面中不停地上下左右移动，空间感比较强烈。

11、锁定跟踪对焦的正确理解

这个功能主要用于设定当拍摄主体的对焦距离突然发生变化时，AF调焦的等待时间。当主体变化迅速时（滑冰、赛车等运动题材），选择关闭，可使相机随着拍摄主体的动作迅速对焦。设置为长时会出现什么结果呢？正在拍摄过程中，突然一个人从相机前走过，干扰了主体，如设置为长，相机仍会咬住主体进行对焦。实际上，这是尼康菜单命名的问题，如“锁定跟踪对焦”变为“跟踪对焦时长”，里面的设置修改为“长、短、自动、锁定”，这样更容易理解。特别是原菜单中的“标准”修改为“自动”，可加速用户对尼康相机的了解。

12、对焦点的控制技巧

如使用51个对焦点，数量固然多了，但选择也多了，这意味着 *** 控速度会大幅度下降。尼康提供了两种提高 *** 控速度的技巧。

（1）启动对焦点循环：对焦点循环方式设置为循环后，当选择的对焦点位于最左侧，按下多重选择器的左侧按钮，选择的对焦点会自动切换到画面的最右侧，同理，对焦点在画面边缘的其他位置时，多重选择器的四向按钮都会帮助用户加快对焦点移动的 *** 控感觉。

（2）多重选择器中央按钮：建议将ok按钮设置为“选择中央对焦点”，这样无论焦点在哪里，无论横拍还是竖拍，只要按下多重选择器中间的ok按钮，对焦点立刻回到中央。

13、AF-ON要充分使用

建议喜欢全时手动对焦的用户将半按快门对焦取消，将对焦赋予AF-ON按钮，不仅拍摄微距有大用，且拍摄飞鸟也有妙用。具体设置如下：

（1）对于有AF-ON按钮的机器（D300以上），在a自动对焦中的a5（触发自动对焦）中，机器默认设置为“快门/AF-ON按钮”，将其修改为“仅AF-ON按钮”即可。

（2）对于没有AF-ON按钮的机器（D90以下），在f控制中的f4（设定AE-L/AF-L按钮）中将AE-L/AF-L按钮设定为AF-ON即可。

在拍摄飞鸟时，一般对焦方式会设置为AF-C，这时通过上述设置，按下按钮可持续追踪拍摄对象，一旦放开按钮，AF会自动停止（锁焦了），一直按着按钮的时候采用连拍，由于快门按钮不再具备对焦功能，因此反应速度大大加快，当设置51个对焦点时，取景器中的对焦点随着飞鸟自动移动。

14、曝光延迟模式在风光摄影和微距摄影中的应用

反光板d起时引起的细微震动会导致图片模糊，尽管很轻微，但对于严谨的风光和微距摄影来说，一点抖动都是不允许的。最好的解决办法是，在个人设定菜单中将“曝光延迟模式”设置为“开启”，这样按下快门后，反光镜先d起，约1秒后快门才关上，在这1秒内，反光镜d起带来的抖动基本就停止了，可保证图片的清晰度。当然，那些需要掌握拍摄瞬间的题材（扫街抓拍、运动题材）不适合应用这个技巧。

15、即时取景的窍门

即时取景中有两种不同的对焦方式，手持模式下，取景模式通过半按快门来对焦，此时反光镜落下，液晶屏暂时漆黑，仅能从取景器中确认对焦位置。三脚架模式下，取景模式通过AF-ON按钮来对焦。建议大家采用三脚架模式，采用即时取景后，对焦速度会比较慢，为提高对焦速度，可将对焦点减少到11个甚至更少（如有更少的选择），因为即时取景模式下的对焦，往往需要手动精细调整，机器内的对焦点没有多大用处。如用户经常使用即时取景功能，不妨将其指定为快捷按钮，方法是在“f控制”选项中，选择“指定FUNC按钮”，然后将其设置为即时取景即可。即时取景模式下，放大查看是拍摄微距时常用到的功能，可更加精确地对焦。

拓展内容：

尼康（Nikon），是日本的一家著名相机制造商，成立于1917年，当时名为日本光学工业株式会社。1988年该公司依托其照相机品牌，更名为尼康株式会社。

“尼康（Nikon）”的名称，从1946年开始使用，是“日本光学”日文读音（Nippon Kogaku）的罗马字母缩写，并且融合了德文中蔡司照相机ZeissIkon中kon的写法。尼康其众多的相机产品中，最主要的有尼克尔（Nikkor）相机镜头、尼康水下照相机（Nikonos）、尼康F系列的135胶卷单反相机、还有尼康D系列的数码单反相机，消费性数码相机Coolpix系列。尼康也是分步重复半导体生产设备（分档器）的制造商。公司还生产护目镜，眼科检查设备，双筒望远镜，显微镜，勘测器材。

2017年10月30日，尼康中国正式对外宣布，该公司将停止位于无锡市的子公司尼康光学仪器(中国)有限公司的经营活动。与此同时，负责生产尼康数码相机以及数码相机配件的工厂也将停产。

半导体具有特性有：可掺杂性、热敏性、光敏性、负电阻率温度、可整流性。

半导体材料除了用于制造大规模集成电路之外，还可以用于功率器件、光电器件、压力传感器、热电制冷等用途；利用微电子的超微细加工技术，还可以制成MEMS（微机械电子系统），应用在电子、医疗领域。

半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。通过掺入杂质来改变其导电性能，人为控制它导电或者不导电以及导电的容易程度。

扩展资料

半导体的四种分类方法

1、按化学成分：分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物、氧化物，以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

2、按制造技术：分为集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。

3、按应用领域、设计方法分类：按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。

4、按所处理的信号：可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

参考资料来源：百度百科—半导体

简介

半导体器件(semiconductor device)通常，利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极体，晶体二极体的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各种电晶体(又称晶体三极体)。电晶体又可以分为双极型电晶体和场效应电晶体两 类。根据用途的不同，电晶体可分为功率电晶体微波电晶体和低噪声电晶体。除了作为放大、振荡、开关用的 一般电晶体外，还有一些特殊用途的电晶体，如光电晶体、磁敏电晶体，场效应感测器等。这些器件既能把一些 环境因素的信息转换为电信号，又有一般电晶体的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结电晶体可用于产生锯齿波，可控矽可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存 储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波 通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体 器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的套用 。

分类 晶体二极体

晶体二极体的基本结构是由一块 P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个 PN结。在PN结的交界面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。当PN结的P端(P型半导体那边)接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。如果把电源的方向反过来接，则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN结的偶极层还起一个电容的作用，这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时，偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。利用PN结的这些特性在各种套用领域内制成的二极体有:整流二极体、检波二极体、变频二极体、变容二极体、开关二极体、稳压二极体(曾讷二极体)、崩越二极体(碰撞雪崩渡越二极体)和俘越二极体(俘获电浆雪崩渡越时间二极体)等。此外，还有利用PN结特殊效应的隧道二极体，以及没有PN结的肖脱基二极体和耿氏二极体等。

双极型电晶体

它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。接在基区上的电极称为基极。在套用时，发射结处于正向偏置，集电极处于反向偏置。通过发射结的电流使大量的少数载流子注入到基区里，这些少数载流子靠扩散迁移到集电结而形成集电极电流，只有极少量的少数载流子在基区内复合而形成基极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数?。在共发射极电路中，微小的基极电流变化可以控制很大的集电极电流变化，这就是双极型电晶体的电流放大效应。双极型电晶体可分为NPN型和PNP型两类。

场效应电晶体

它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应)，使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。

根据栅的结构,场效应电晶体可以分为三种:

①结型场效应管(用PN结构成栅极)

②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体系统)

③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极)其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模积体电路的发展中,MOS大规模积体电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波电晶体上。

在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等配上光电二极体列阵，可用作摄像管。

命名方法

中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、雷射器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:

第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极体、3-三极体

第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极体时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型矽材料、D-P型矽材料。表示三极体时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型矽材料、D-NPN型矽材料。

第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-雷射器件。

第四部分:用数字表示序号

第五部分:用汉语拼音字母表示规格号

例如:3DG18表示NPN型矽材料高频三极体

日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下:

第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极体三极体及上述器件的组合管、1-二极体、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控矽、G-N控制极可控矽、H-N基极单结电晶体、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控矽。

第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从"11"开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号数字越大，越是产品。

第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

美国半导体分立器件型号命名方法

美国电晶体或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:

第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。

第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极体、2=三极体、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP矽高频小功率开关三极体，JAN-军级、2-三极体、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

国际电子联合会半导体器件型号命名方法

德国、法国、义大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下:

第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁频宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如矽、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极体、B-变容二极体、C-低频小功率三极体、D-低频大功率三极体、E-隧道二极体、F-高频小功率三极体、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极体、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极体、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极体、Y-整流二极体、Z-稳压二极体。

第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:

1、稳压二极体型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极体后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如:BDX51-表示NPN矽低频大功率三极体，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极体。

积体电路

把晶体二极体、三极体以及电阻电容都制作在同一块矽晶片上，称为积体电路。一块矽晶片上集成的元件数小于 100个的称为小规模积体电路，从 100个元件到1000 个元件的称为中规模积体电路，从1000 个元件到100000 个元件的称为大规模积体电路，100000 个元件以上的称为超大规模积体电路。积体电路是当前发展计算机所必需的基础电子器件。许多工业先进国家都十分重视积体电路工业的发展。积体电路的集成度以每年增加一倍的速度在增长。每个晶片上集成256千位的MOS随机存储器已研制成功，正在向1兆位 MOS随机存储器探索。

光电器件 光电探测器

光电探测器的功能是把微弱的光信号转换成电信号，然后经过放大器将电信号放大，从而达到检测光信号的目的。光敏电阻是最早发展的一种光电探测器。它利用了半导体受光照后电阻变小的效应。此外，光电二极体、光电池都可以用作光电探测元件。十分微弱的光信号，可以用雪崩光电二极体来探测。它是把一个PN结偏置在接近雪崩的偏压下，微弱光信号所激发的少量载流子通过接近雪崩的强场区，由于碰撞电离而数量倍增，因而得到一个较大的电信号。除了光电探测器外，还有与它类似的用半导体制成的粒子探测器。

半导体发光二极体

半导体发光二极体的结构是一个PN结，它正向通电流时，注入的少数载流子靠复合而发光。它可以发出绿光、黄光、红光和红外线等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。

半导体雷射器

如果使高效率的半导体发光管的发光区处在一个光学谐振腔内，则可以得到雷射输出。这种器件称为半导体雷射器或注入式雷射器。最早的半导体雷射器所用的PN结是同质结，以后采用双异质结结构。双异质结雷射器的优点在于它可以使注入的少数载流子被限制在很薄的一层有源区内复合发光，同时由双异质结结构组成的光导管又可以使产生的光子也被限制在这层有源区内。因此双异质结雷射器有较低的阈值电流密度，可以在室温下连续工作。

光电池

当光线投射到一个PN结上时，由光激发的电子空穴对受到PN结附近的内在电场的作用而向相反方向分离，因此在PN结两端产生一个电动势，这就成为一个光电池。把日光转换成电能的日光电池很受人们重视。最先套用的日光电池都是用矽单晶制造的，成本太高，不能大量推广使用。国际上都在寻找成本低的日光电池，用的材料有多晶矽和无定形矽等。

其它

利用半导体的其他特性做成的器件还有热敏电阻、霍耳器件、压敏元件、气敏电晶体和表面波器件等。

未来发展

今年是摩尔法则(Moore'slaw)问世50周年，这一法则的诞生是半导体技术发展史上的一个里程碑。

这50年里，摩尔法则成为了信息技术发展的指路明灯。计算机从神秘不可近的庞然大物变成多数人都不可或缺的工具，信息技术由实验室进入无数个普通家庭，网际网路将全世界联系起来，多媒体视听设备丰富著每个人的生活。这一法则决定了信息技术的变化在加速，产品的变化也越来越快。人们已看到，技术与产品的创新大致按照它的节奏，超前者多数成为先锋，而落后者容易被淘汰。

这一切背后的动力都是半导体晶片。如果按照旧有方式将电晶体、电阻和电容分别安装在电路板上，那么不仅个人电脑和移动通信不会出现，连基因组研究、计算机辅助设计和制造等新科技更不可能问世。有关专家指出,摩尔法则已不仅仅是针对晶片技术的法则不久的将来，它有可能扩展到无线技术、光学技术、感测器技术等领域，成为人们在未知领域探索和创新的指导思想。

毫无疑问，摩尔法则对整个世界意义深远。不过，随着电晶体电路逐渐接近性能极限，这一法则将会走到尽头。摩尔法则何时失效?专家们对此众说纷纭。早在1995年在芝加哥举行信息技术国际研讨会上，美国科学家和工程师杰克·基尔比表示，5纳米处理器的出现或将终结摩尔法则。中国科学家和未来学家周海中在此次研讨会上预言，由于纳米技术的快速发展，30年后摩尔法则很可能就会失效。2012年，日裔美籍理论物理学家加来道雄在接受智囊网站采访时称，"在10年左右的时间内，我们将看到摩尔法则崩溃。"前不久，摩尔本人认为这一法则到2020年的时候就会黯然失色。一些专家指出，即使摩尔法则寿终正寝，信息技术前进的步伐也不会变慢。

图书信息

书 名: 半导体器件

作 者:布伦南高建军刘新宇

出版社:机械工业出版社

出版时间: 2010年05月

ISBN: 9787111298366

定价: 36元

内容简介

《半导体器件:计算和电信中的套用》从半导体基础开始，介绍了电信和计算产业中半导体器件的发展现状，在器件方面为电子工程提供了坚实的基础。内容涵盖未来计算硬体和射频功率放大器的实现方法，阐述了计算和电信的发展趋势和系统要求对半导体器件的选择、设计及工作特性的影响。

《半导体器件:计算和电信中的套用》首先讨论了半导体的基本特性接着介绍了基本的场效应器件MODFET和M0SFET，以及器件尺寸不断缩小所带来的短沟道效应和面临的挑战最后讨论了光波和无线电信系统中半导体器件的结构、特性及其工作条件。

作者简介

Kevin F Brennan曾获得美国国家科学基金会的青年科学家奖。2002年被乔治亚理工大学ECE学院任命为杰出教授，同年还获得特别贡献奖，以表彰他对研究生教育所作出的贡献。2003年，他获得乔治亚理工大学教职会员最高荣誉--杰出教授奖。他还是IEEE电子器件学会杰出讲师。

图书目录

译者序

前言

第1章 半导体基础

1.1 半导体的定义

1.2 平衡载流子浓度与本征材料

1.3 杂质半导体材料

思考题

第2章 载流子的运动

2.1 载流子的漂移运动与扩散运动

2.2 产生-复合

2.3 连续性方程及其解

思考题

第3章 结

3.1 处于平衡状态的pn结

3.2 不同偏压下的同质pn结

3.3 理想二极体行为的偏离

3.4 载流子的注入、拉出、电荷控制分析及电容

3.5 肖特基势垒

思考题

第4章 双极结型电晶体

4.1 BJT工作原理

4.2 BJT的二阶效应

4.2.1 基区漂移

4.2.2 基区宽度调制/Early效应

4.2.3 雪崩击穿

4.3 BJT的高频特性

思考题

第5章结型场效应电晶体和金属半导体场效应电晶体

5.1 JFE

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