半导体和绝缘体禁带宽度范围

半导体和绝缘体禁带宽度范围,第1张

绝缘体的禁带宽度:绝缘体的禁带宽度比较大(6~7ev),而半导体的禁带宽度通常在1ev左右,例如300K下,Si的Eg 1.12ev,Ge 0.67ev,GaAs 1.43ev,当外界条件变化的时候,里面的电子会获得能量,获得能量之后,满带中少量电子,跃迁到上一个空带的底部附近,所以满带中的电子和原先空带中的少量电子都参与导电,所以常温下具有一定的导电能力,通常把满带中,少量电子跃迁后,剩余的大量电子对电流的贡献,用少量的带正电的准粒子加以等效描述,称为空穴。

ZnS是一种直接带隙的半导体材料,具有闪锌矿和纤锌矿两种结构,禁带宽度为3.6~3.8eV,它具有良好的光电性能,广泛应用于各种光学和光电器件中,如薄膜电致发光显示器件、发光二极管、紫外光探测器件、太阳能电池等。传统的化合物薄膜太阳能电池,一般采用化学浴法制备的CdS薄膜作为缓冲层材料,并且已经获得了较高的电池转换效率。后来人们逐渐意识到CdS是一种对环境和人体有害的材料,要研究制备无污染的太阳能电池就该寻找新的材料作为替代。在以后的研究中人们慢慢发现ZnS是替代CdS的良好的材料。首先,ZnS不含任何有毒元素,满足了人们环保的要求;其次,ZnS(3.6~3.8eV)的禁带宽度比CdS(2.4eV)大得多,用它作缓冲层材料可以使更多的短波区的光照射到吸收层上,有利于获得蓝光区的光谱响应,提高太阳能电池的转换效率。Cu(InGa)Se2/ZnS结构电池转换效率已经达到18.6%,而CuInS2/ZnS结构电池转换效率也已达到了10.7%。(CuInS2是I-III-vI)族化合物中最理想的吸收层材料,其理论光电转换效率为27%--32%)希望你能满意!

固体材料的能带结构由多条能带组成,能带分为传导带(简称导带)、价电带(简称价带)和禁带等,导带和价带间的空隙称为能隙。

能带结构可以解释固体中导体、半导体、绝缘体三大类区别的由来。材料的导电性是由“传导带”中含有的电子数量决定。当电子从“价带”获得能量而跳跃至“传导带”时,电子就可以在带间任意移动而导电。

一般常见的金属材料,因为其传导带与价带之间的“能隙”非常小,在室温下 电子很容易获得能量而跳跃至传导带而导电,而绝缘材料则因为能隙很大(通常大于9电子伏特),电子很难跳跃至传导带,所以无法导电。一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特,介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发,或是改变其能隙之间距,此材料就能导电。 所有固体物质都是由原子组成的,而原子则由原子核和电子组成。原子核外的电子在以原子核为中心的圆形轨道上运动,距离原子核越远的轨道其能级(电位能的级别)越高,电子也就越容易脱离原子的束缚,变成可以运动的自由电子。这有点像手上的风筝,放得越高,其运动能量越大,挣脱线的束缚的可能性越大。所以,最外层的电子最活跃,决定了与其他原子结合的方式(化学键),决定了该元素的化学性质,也就决定了该原子的价值,因此被称作为“价电子”。以硅原子为例,其原子核外有14个电子,以“2、8、4”的数量分布在三个轨道上,里面2和8个电子是稳定的,而外部的4个电子状态容易发生变化,因此其物理、化学特性就与它的4个价电子强相关。原子的电子状态决定了物质的导电特性,而能带就是在半导体物理中用来表征电子状态的一个概念。在固体电子学中有一套能带理论,便于研究固体(包括半导体)物质内部微观世界的规律。

当原子处于孤立状态时,其电子能级可以用一根线来表示;当若干原子相互靠近时,能级组成一束线;当大量原子共存于内部结构规律的晶体中时,密集的能级就变成了带状,即能带。能带中的电子按能量从低到高的顺序依次占据能级。下面是绝缘体、半导体和金属导体的能带结构示意图。最下面的是价带,是在存在电子的能带中,能量最高的带;最上面是导带,一般是空着的;价带与导带之间不存在能级的能量范围就叫做禁带,禁带的宽度叫做带隙(能隙)。绝缘体的带隙很宽,电子很难跃迁到导带形成电流,因此绝缘体不导电。金属导体只是价带的下部能级被电子填满,上部可能未满,或者跟导带有一定的重叠区域,电子可以自由运动,即使没有重叠,其带隙也是非常窄的,因此很容易导电。而半导体的带隙宽度介于绝缘体和导体之间,其价带是填满的,导带是空的,如果受热或受到光线、电子射线的照射获得能量,就很容易跃迁到导带中,这就是半导体导电并且其导电性能可被改变的原理。

由于半导体的带隙窄,电子容易发生跃迁,因而导电性能容易发生大的变化;电子状态的变化还可能带来其他效应,比如从高能级到低能级跃迁过程中多余的能量以光子的形式释放,则产生“发光”现象。独特的能带结构,正是半导体具有百变魔力之源。


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