半导体市场前景分析

中国大陆半导体（积体电路）产业优惠政策法律分析

富兰德林事业群

法律四部主管/中国执业律师 丁德应

一、中国大陆半导体产业发展现状

（一）高速发展的中国大陆半导体产业

中国大陆由於PC、手机及数位消费电子等整机产品的制造向中国大陆地区转移，带动了上游晶片市场需求的增加，半导体市场规模首次突破人民币2000亿元，总销售额达到人民币2074.1亿元，增长率高达41％。其中，PC首次成为中国大陆半导体市场最大的应用领域，对高阶晶片的需求量也大幅增长。

从2001年开始，全球半导体业的平均资本支出每年萎缩了30％，而中国大陆半导体业的资本支出年增长率却高达50％。目前中国大陆地区有中芯国际、上海先进、华虹NEC、和舰和宏力五个主要晶圆代工厂，光是8英寸晶圆厂就达8个，总月产能达到15.5万片，较2003年单月的8.4万片大幅增长83％。

在未来几年，受到中国大陆经济高速增长的拉动、政策的扶持、2008北京奥运会以及2010上海世博会等众多因素的影响，中国大陆半导体需求将持续高速增长，预计2004年中国大陆半导体市场销售额将达到人民币2800亿元，到2008年市场规模将达到人民币6000亿元以上。

（二）不断追赶高端技术

虽然中国大陆的半导体制造制程整体上落后於台湾，但由於近年来的迅猛发展，中芯国际、宏力、苏州和舰等晶圆代工厂陆续进入了0.18mm制程的量产阶段，中国大陆各主要晶圆代工厂都有计划在今年年底前导入0.13mm的制程。而且，为了能与晶圆代工业巨头台积电、联电相抗衡，中国大陆晶圆代工报价普遍低於台湾，正不断蚕食台、联两家的市场份额。

从2004起，中国大陆前4大晶圆代工厂相继导入0.18mm制程，直到产品的量产，相关的制程技术已经达到了成熟阶段，且中国大陆晶圆代工厂在技术上也在快速追赶台湾晶圆厂。

对於半导体设计业，整机生产的下游客户大多集中在中国大陆地区，中国大陆晶圆厂又有能力提供越来越先进的制程，部分台湾半导体设计业者甚至计画将主力产品转移至中国大陆代工厂。

因此，在市场规模迅速扩大的同时，中国大陆半导体的制造工艺与国际先进水准将日益缩小，0.13mm的晶片制造将规模化，0.09mm的工艺也将走向市场，系统晶片（SoC）将成为发展的主 要方向。

（三）中国大陆半导体产业的地区分布

从地域上来看，中国大陆半导体产业主要分布在长江三角洲、京津环渤海湾和珠江三角洲地区，三个地区的产值占全中国大陆半导体行业产值的95%以上。

在三大经济区域中，由於长三角地区近几年的高速发展，成为中国大陆地区半导体最主要的开发和生产基地，在中国大陆半导体产业中占有重要地位。在半导体设计方面，长三角地区的半导体设计业销售额占中国大陆地区的45%左右。晶圆制造约占中国大陆的70%左右，2003年近80%的封装测试企业和近65%的封装测试量都集中在长三角地区。目前，长三角地区已形成半导体设计、制造、封装、测试及设备、材料等配套齐全、较为完整的半导体产业链。在半导体产业链下游整机部分，长三角地区的笔记型电脑产量占中国大陆的80％，DVD产量占50％以上。目前，长三角地区已经有上海张江开发区、苏州工业园、无锡等众多电子园区和上海、杭州、无锡三个半导体设计产业化基地，还有常州高新技术开发区和常州新区。中芯国际、宏力半导体、先进和华虹NEC都落户在上海张江开发区；台积电落户在了上海松江开发区；和舰落户在苏州工业园。这些晶圆生产企业带动了集群效应，初步形成了长三角地区半导体设计、晶圆制造、封测、设备材料企业以及下游整机生产完整的半导体产业链。

在京津环渤海区域，有北京、天津、山东、河北、辽宁行政区域，其中北京、天津的资讯产业在中国大陆占有重要地位。中国大陆第一座12英寸晶圆厂，中芯国际四厂正是设在北京经济技术开发区；现被中芯国际收购的原摩托罗拉8英寸晶圆厂位於天津。晶圆生产业是高耗水工业，而且对水质和空气的品质要求非常高。但北京地区面临缺水的环境以及沙尘暴气候，这无疑增加晶圆生产的成本，不过，北京在发展环境、市场条件、技术基础和人才资源上的优势大大抵消了环境上的影响。

珠江三角洲地区是中国大陆地区电子产品的重要制造地，集中了大量的下游整机制造商，对进口半导体产品的依赖程度极高，消费量占中国大陆进口总量的80%以上。

二、中国大陆半导体的优惠扶持政策

半导体业在中国大陆的迅速发展，尽管有中国大陆中央政府和地方政府在土地、环境、手续等方面的大力支持，也有中国大陆市场的巨大需求和运作成本较低等因素的存在，但不可否认的是，目前中国大陆政府所颁布的各种优惠政策和给予的各种优惠措施也同样功不可没。其中，首当其冲的是国务院在2000年颁布和实施的《鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策》，即业界所称的“18号文件”。其次，中国大陆财政部、税务总局、海关总署和各地政府还分别在自己的责任范围内为鼓励半导体行业制定了优惠政策的实施细则，如关於《鼓励软体产业和积体电路产业发展有关税收政策问题》的通知（财税[2000]25号）、《财政部、国家税务总局关於进一步鼓励软体产业和积体电路产业发展税收政策的通知》（财税〔2002〕70号）、上海市《关於本市鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策规定》、《江苏省鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策》等。这些政策的颁布为半导体产业链上游的半导体设计、中游的晶圆生产、下游的封装测试环节给予了优惠，进一步推动半导体产业在中国大陆的发展。

（一）在半导体设计企业方面

“18号档”将半导体设计企业视同於软体企业，享受与软体企业同等优惠。而依据18号档和其他相关档可知，半导体企业优惠政策主要为：

1、 所得税方面，可以享受自获利年度开始“两免三减半”的优惠政策；

2、 增值税方面，在销售自行设计的半导体产品时，可以享受“2010年前按17％的法定税率徵收增值税，对实际税负超过3％的部分即徵即退”的优惠；

3、 对经认定的半导体设计企业引进半导体技术和成套生产设备，单项进口的半导体专用设备与仪器，除国务院规定的《外商投资专案不予免税的进口商品目录》和《国内投资项目不予免税的进口商品目录》所列商品外，免徵关税和进口环节增值税；

4、 半导体设计企业设计的半导体，如在境内确实无法生产，可在国外生产晶片，其加工合同(包括规格、数量)经行业主管部门认定后，进口时按优惠暂定税率徵收关税；

5、 半导体设计企业的工资和培训费用，可按实际发生额在计算应纳税所得额时扣除；

6、 企业对购进半导体产品，凡购置成本达到固定资产标准或构成无形资产，可以按照固定资产或无形资产进行核算。投资额在3000万美元以上的外商投资企业，报由税务总局批准；投资额在3000万美元以下的外商投资企业，经主管税务机关核准，其折旧或摊销年限可以适当缩短，最短可为2年。

不过要提醒注意的是，要享受这样的优惠条件，半导体设计企业应按照《积体电路设计企业及产品认定管理办法》之规定获得资讯产业部和税务总局的认定，并取得《积体电路设计企业认定证书》和《积体电路产品认定证书》。

（二）关於半导体生产企业方面

按照目前半导体企业的分类可知，除了半导体设计企业之外，其他制造、封装测试等企业都属於半导体生产企业，根据“18号档”和其他相关规定可知，目前中国大陆对於半导体生产企业的优惠政策主要有：

1、所得税方面：作为生产性企业，可以依照《外商投资企业和外国企业所得税法》等规定，享受“两免三减半”之税收优惠。

2、增值税方面：

半导体生产企业销售自己生产的半导体产品（含单晶矽片），2010年前按17%法定税率徵收增值税，对实际税负超过3%的部分即徵即退；对投资超过80亿人民币或半导体线宽小於0.25微米的，企业所得税为“五免五减半”。

3、对经认定的半导体生产企业引进半导体技术和成套生产设备，单项进口的半导体专用设备与仪器，除国务院规定的《外商投资专案不予免税的进口商品目录》和《国内投资项目不予免税的进口商品目录》所列商品外，免徵关税和进口环节增值税。

4、投资额超过80亿元人民币或半导体线宽小於0.25微米的半导体生产企业，除了享受所得税“五免五减半”之外，对於其进口自用生产性原材料、消耗品，免徵关税和进口环节增值税。

5、对於半导体生产企业的生产性设备，投资额在3000万美元以上的外商投资企业，报由税务总局批准；投资额在3000万美元以下的外商投资企业，经主管税务机关核准，其折旧年限可以适当缩短，最短可为3年。

此外，半导体产业相对集中的地方政府也制定了配套的优惠政策，如上海市颁布了《上海市鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策》，其中：（1）对新建的半导体制造及相关专案，经有关科技和税务部门认定，属於技术先进、市场前景良好，可以享受鼓励外商对能源、交通投资的税收优惠政策，即“五免五减半”；（2）将新建的半导体晶片生产线专案，列为市政府重大工程项目，对其建设期内固定资产投资贷款人民币部分，提供1个百分点的贷款贴息；（3）对新建的半导体晶片生产项目，自认定之日起3年内，免收购置生产经营用房的交易手续费和产权登记费；免收该专案所需的自来水增容费、煤气增容费和供配电贴费；（4）境外企业向中国大陆企业转让半导体设计技术等使用权或所有权，其中技术先进，经同级财税部门核准，免徵预提所得税。

其实，正是在这些优惠政策的扶持下，中国大陆的半导体从2000年开始突飞猛进，形成了目前中国大陆半导体产业链的布局。

三、中国大陆半导体产业的政策尴尬

在政府的中国大陆扶持和种种优惠政策下，境外资金纷纷投资中国大陆半导体业，但后来发现实际并没有想像的那麼特别美好，主要原因在於“18号档”与中国大陆出口导向型的税收政策、严格的外汇管理制度之间存在一定的落差，这种政策上的弊病，已使半导体产业链感到尴尬。

（一）增值税退税政策的难以享受

在增值税退税上，相关文件规定了实际税负超过3％的部分退税，但是对於半导体产业链中关键的封装测试企业来说并没有享受到什麼优惠，因为封测企业接受委托加工半导体产品不能视为销售自产产品，故虽然其实际税负高於3％，却不能享受增值税退税的优惠。此外，由於在成品出口的情况下，采用进料加工和来料加工装配的贸易方式进口的原材料或原器件不徵收进口环节增值税，对出口成品增值税允许退税。在这样的条件下，封测企业将产品出口才可以享受增值税退税，然后下游的整机生产企业也用同样的方式先进口再出口。

对於晶圆生产企业也同样如此，生产型企业出口可以退还17％的增值税（2004年初降为13％），而内销则只退还超过实际税负3％的部分，企业都尽可能将产品出口到境外以获得退税的优惠，再由下游封测企业当作原材料进口。这样即使一墙之隔的晶圆厂与封测企业，产品在产业链中流转都要先出口再进口，无疑增加了企业的成本。

此外，因为企业的实际税负要超过3％的部分才能即徵即退，所以，从财税角度计算，如果企业要享受实际税负超过3%而享受增值税退还的优惠，至少要把70－80％的产品内销，且毛利率要在30％以上，而从目前情况来看，考虑到出口退税的优惠、毛利率、境外客户及外汇方面等原因，很少企业能够达到如此高的内销比例和毛利率。

（二）“原材料和成品关税不同”的政策影响了中国半导体企业的国际竞争力。目前半导体优惠政策虽对於半导体技术和成套生产设备、单项进口的半导体专用设备与仪器免徵关税和增值税，但对於某些必须进口的材料和设备如用於制造半导体的专用材料（塑胶、导电橡胶等）进口时还要徵收近10％的平均关税，这其实大大加大了半导体行业的生产成本，与此同时，中国大陆政府对於进口半导体产品的进口关税税率却为零，这使得很多企业从成本角度考虑出发，宁愿直接从国外进口产品，也不愿意从中国大陆半导体加工厂购买产品，而且半导体设计公司委托中国大陆国内的封装测试厂加工产品时，因有些中国大陆厂商受到“原材料和成品关税不同”的政策影响，也不愿意购买相应的技术设备进行加工，这其实客观上削弱了中国大陆半导体企业在国际上的竞争力，且不利於外国企业对中国大陆进行投资。

（三）外汇平衡政策也导致很多企业无法内销。以封装企业为例，因为目前中国大陆对於半导体企业没有专门的外汇政策，这样使得企业如果将半导体产品直接出售给本地整机制造商，则只能以人民币结算，而封装企业所用的原材料大部分需要进口的，这需要大笔外汇。同时，半导体作为国际性产业，封装企业一般由下订单的国外半导体设计企业支付加工费，而不是整机制造商，但中国大陆实行“谁出口谁收汇”的外汇管理体制，卖给本地企业的产品被视为内销，封装企业无法收汇。

（四）“18号文件”规定，投资额超过80亿元人民币或半导体线宽小於0.25微米的半导体生产企业进口自用生产原材料、消耗品，免徵关税和进口环节增值税，而中国大陆本地企业采购本地材料和设备要缴纳17％的增值税，这样促使很多企业不愿意从中国大陆本地企业购买材料和设备，从而使得材料和设备受制於境外市场，且材料和设备如果都靠进口，其实也使得外国投资者因为无法购买本地相对便宜的材料，而造成成本增加，从而影响了投资的兴趣，也限制了作为支撑中国大陆半导体发展的本地半导体材料企业的发展。

（五）从2004年1月1日开始，包括半导体产品在内的多种产品出口退税比例由原来的17％降到13％，这无疑又加重了半导体企业的税负。

另外，目前中美之间有关半导体增值税退税的争端，即美国认为中国大陆对於进口半导体产品要徵17％的增值税，而对於本地企业销售半导体产品却能享受实际税负超过3％部分的退税，这是一种歧视性的税收政策，与中国大陆加入世界贸易组织时所做出的“国民待遇” 承诺不相符合，并为此向WTO提出指控。尽管目前没有最终定论，但不可否认的是，这也间接影响了目前中国半导体企业优惠政策稳定性。

半导体市场发展前景 亚洲推动平稳增长

参加Semicon新加坡2006年研讨会的分析家和行业代表认为，全球半导体工业有望盼来一段时期的

稳定增长，其中很大一部分受到亚洲新兴经济的推动。

国际半导体设备及材料(SEMI)总裁兼CEO Stanley Myers表示，SEMI预计市场总体上今年将上升

10%，主要受到诸如手机和数字音频播放机等消费产品需求不断增长的推动。全球IC设备市场今年将

大约增长31.2亿美元达到361.2亿美元。芯片材料的市场预计将由313.8亿美元增至345.1亿美元。其

中，亚洲将成为领头羊，增长超过全球平均水平。而中国的半导体材料和设备市场预计增长率将超

过20%。

Gartner公司半导体研究副总裁Philip Koh称，该公司预计半导体行业未来5年内的年复合增长率为

7.9%，对3G手机和存储设备的需求激增，将弥补PC市场“饱和”所带来的损失。作为全球最主要的

芯片市场，中国市场将持续增长，到2010年市场份额将接近60%。而更多发达市场如台湾和新加坡的

发展将保持相对“平缓”。除了将制造业务转向中国之外，越来越多的台湾大公司也将研发活动转

向大陆。

尽管“中国的IC和系统设计行业仍然存在问题，”但Gartner预计中国的电子制造商仍将继续积极

在中国投资，同时也更加努力开发自有的标准和技术。

STATS ChipPAC首席战略官Scott Jewler指出，已经连续第5年增长的全球半导体行业，似乎已经摆

脱以往繁荣-低谷循环往复的阴影。在技术和财务上均可以投资得起300mm晶圆厂或前沿封装解决方

案的公司越来越少，这将使产能被“重复预订”的情况减少，同时“非理性资本投资也减少”。但

Jewler也表示，更先进的消费设备和技术整合也将带来挑战。

“企业的选择很少，只能互相合作，因为很少有公司拥有制造如手机等设备所需要的知识产权。此

外，集成设计制造(IDM)工艺日益复杂。”他说。规模较小，专注于利基市场的企业，在资本密集市

场上的生存能力也受到质疑，而在历史上他们却是许多行业创新的源泉。

IP版权保护和行业标准将成为“未来3到5年内的较突出问题，”尤其是随着制造向中国等地区转移

。到2015年，随着小于45nm的IC出现及采用诸如纳米线和碳纳米管等材料，纳米技术将主宰半导体

市场。他还预测将出现450mm晶圆厂，尽管这种厂房耗资高达100亿美元。同时，他还建议要留意中

国背景的IDM，一些中国IDM已经“在前沿参与竞争，”中国也正试图用“本土的设计来替换进口芯

片。”

国外半导体元器件生产厂家名称

http://www.ic-assess.net/facturer/facname/mcaps.html

抄录部分如下：

A V G Semiconductor

AAK Corp

ABB Drives

ABB Hafo A B

ABB Semiconductor

ABB Semiconductors Ag

Aborn Electronics

AC Interface Inc

Acculin Inc

Accutek Microcircuit Corp

Acer Laboratories Inc

Acopian

Acrian Inc

Actel Corp

Action Tungsram Inc

Acumos Inc

Adams-Russell Electronics

Adaptec Inc

Adaptive Logic Inc

Advanced Detector Corp

Advanced Electronic Packaging

Advanced Hardware Architectures Inc

Advanced Linear Devices Inc

Advanced Memory Systems Inc

Advanced Micro Systems Inc

Advanced Microelectronic Products Inc

Advanced Milliwave Laboratories Inc

Advanced Optoelectronics (Applied Solar)

Advanced Power Technology

Advanced Research Associates

Advanced Semiconductor Inc

Advanced Technology Corp

Aeroflex Laboratories Inc

Aeroflex Laboratories, Comstron Div

Agilent Technologies

Airpax Corp, Frederick Division

Alan Industries Inc

Alden Scientific Inc

Aleph International Corp

Allegro Microsystems Inc

Allen Avionics Inc

Allen Bradley Co

Alliance Semiconductor

Allied Electronic &Semiconductor Technology Inc

Allied Electronics Gmbh

Allied Signal Aerospace Company

Alpha Industries Inc, Components and Subsystems Div

Alpha Industries Inc, Semiconductor Div

Alpha Products Inc

Alpha Semiconductor

Altair Corp

Altera Corp

Amax Applied Technology Inc

AMD Inc

American Electronic Laboratories

American Microsemiconductor Inc

American Microsystems

American Power Devices Inc

American Semiconductor Corp

Amex Electronics Inc

AMF Inc

Amperex Electronic Corp

Ampex Data Systems Group

Amplifonix Inc

Amptek Inc

Anadigics Inc

Anaheim Automation

Analog Devices Inc

Analog Solutions

Analog Systems

Analogic Corp

Analytic Instruments Corp

AND

Anders Electronics

Andersen Laboratories Inc

Anodeon Semiconductor Div

Ansaldo S P A - Div Electronica

Antel Optronics Inc

Apex Microtechnology Corp

API Electronics Inc

Appian Technology Inc

Applied Micro Circuits Corp

Aptek Williams Inc

Aptos Semiconductor

Argo Transdata Corp

Aristo-Craft/ L M P Inc

Aromat Corp

Array Microsystems Inc

Artesyn Technologies

Arts Island Products Co LTD

Asahi Kasei Microsystems Co LTD

ASEA Brown Boveri A G

Ashley-Butler Inc

Asiliant Technologies

Askjeselskapet Mikro-Electronik

Associated Electronics Industries

Astec America Inc

Astec Standard Power

Atmel Corp

Aucera Technology Corp

Auctor Corp

Augat Inc

Aurora Semiconductor

Austek Microsystems

Austin Semiconductor Inc

Austria Mikro System Intl

Automatic Coil

Avantek Inc

Avasem

Avens Signal Equipment Corp

Avnet Inc

AVX Corp

AVX Corporation

Aydin Corp

B I Technologies Corp

Babcock Display Products Group

Barnes Engineering Co

Base Two (2) Systems

Basic Electronics Inc

Bedford Opto Technology LTD

Bel Hybrids &Magnetics Inc

Bel Fuse Inc

Benchmarq Microelectronics Inc

Bendix Semicon Products

Bharat Electronics LTD

Big-Sun Electronics Co LTD

Bipolar Integrated Technology Inc

BKC Semiconductors Inc

Black &Decker Corp

Boeing Electronics Co

Bogue Electric Manufacturing Co

Boston Technical Inc

Bourns Inc

Bowmar Inc

Bradley Semiconductor Sorp

Bright Led Electronics Corp

British Thomson-Houston Export Co Ltd

Brooktree

Brown Boveri &Aktiengesellschaft

Bull Micral Of America Inc

Burns &Towne Inc

Burr-Brown Corp

Burroughs Corp

C T S Reeves

C&D Technologies

C-Cube Microsystems

Caddock Electronics Inc

Cal Crystal Labs Inc

Calex Manufacturing Co Inc

California Devices Inc

California Eastern Laboratories Inc

California Micro Devices Corp

Calmos Systems Inc

Calogic Corp

Canadian General Electric Co Ltd

Cantec Electronic Co Ltd

Capar Components Corp

Capar

Capital Equipment Corp

Cardon Corp

Carlo Gavazzi Inc

Carter Semiconductor Inc

Carter Transistor Corp

Catalyst Research Corp

Catalyst Semiconductor Inc

CBS Electronics

Celduc

Celeritek

Central Semiconductor Corp

Centralab Semiconductor (Globe Union)

Centronic Inc, E-O Div

Centronic Ltd

Cermetek Microelectronics Inc

CGEE Alsthom Service SCP

Champion Technologies Inc

Cherry Corp

Cherry Semiconductor Corp

Chicago Miniature Lamp Inc

China Semiconductor Corp

Chip Supply, Micro Devices

Chrontel

Circuit Technology Inc

Cirrus Logic Inc

Citizen Electronics Co LTD

Clairex Technologies Inc

Clare (C P) Division

Clare (C P), Solid State Products

Clear Logic

Coco Research Inc

CODI Semiconductor Inc

Coherent Component Corp

Collins Electronics Corp

Collmer Semiconductor Inc

Comlinear Corporation

Commodore Semiconductor

Communications &Power Industries

Compagnia Italiana Westinghouse

Compagnia Semiconductori Italia SPA

Compagnie Des Dispositifs Semiconductor, Westinghouse

Compagnie General D'Electricita

Compensated Devices Inc

Components Inc

Computer Conversions Corp

Computer Management &Development Service

Comset Semiconductors, SPRL

Comstron Corp

Concurrent Logic

Conditioning Semiconductor Devices Corp

Conexant Systems Inc

Connor-Winfield Corp

Consumer Microcircuits Ltd

Continental Device India Ltd

Control Sciences Inc

Cooper Laser Sonics

Coors Components Inc

Cornes &Company Ltd

Corporation Soneet

Cougar Components

CP Technology Inc

Creation Technologies Inc

Cree Research Inc

Crimson Semiconductor Inc

Crosspoint Solutions Inc

Crouzet Corp

Crydom Co

Crystal Semiconductor Corp

Crystaloid Electronics Co

Crystek Corp

CSR Industries Inc

CTS Corp

CTS Electronics, Knights Div

Curtis Electromusic Specialties Inc

Custom Array Corp

Custom Components Inc

Custom Micro Systems Inc

Cybernetic Micro Systems

Cypress Semiconductor Corp

Cyrix Corp

D C P Research Corp

Dai Nippon Printing Co

Daico Industries Inc

Dale Electronics Inc

Dale Electronics

Dallas Semiconductor Corp

Dalsa Inc

Danaher Corp

Danari International

DAQ Electronics Inc

Data Delay Devices Inc

Data Display Products

Data General Corp

Data Technology Corp

Data Translation Inc

Datalinear

Datalogic Inc

Datalogic Optic Electronics Inc

Datatronics

Datel Inc

Dawn Electronics Inc

Defense Supply Center Columbus (Mil Specs)

Defense Supply Center Columbus (SMD's)

Deico Electronics Inc

Delco Electronics

Delsa Toshiba S A

Delta Electronic Ind Co LTD

Delta Products Corp

Dense-pac Microsystems Inc

Densitron Corp

Denyo Europa Gmbh

Devar Inc

Dexter Research Center Inc

Dialight Corp

Dickson Electronics Corp

Digital Components Corp

Digital Equipment Corp

Digital RF Solutions Corp

Digitron Electronic Corp

Dino Olivetti SPA

Diodes Inc

Dionics Inc

Diotec Electronics Corp

Diotec Elektronische Bauelemente GMBH

Directed Energy Inc

Discon Industries Inc

Display Engineering Services

Displays Inc

Don's Enterprise Co Ltd

Douglas Randall Inc

Dr Ing Rudolph ROST

DSP Group Inc

Dymec Inc

DynaChip Corp

E-SAN Electronic Co Ltd

Eagle-Picher Technologies LLC

Eastron Corp

Eaton Corp, Microwave Products Div

Ebauches S A

Echanges Techniques Internationaux

ECI Semiconductor

ECS Inc International

Ectiva

Edal Industries Inc

EDO Corp

Edsun Laboratories Inc

EE Tech Inc

EG&G Inc, Photon Devices Div

EG&G Inc, Washington Analytical Services Center Inc

EG&G Judson

EG&G Optoelectronics Canada

EG&G Reticon

EG&G Vactec

EIC Semiconductor Inc

Elantec Inc

Elcoma

Eldec Corp

Elec-Trol Inc

Electech Electronics

Electro Corp

Electro-Films Inc, Semi-Films Div

Electro-Films Inc

Electro-optical Systems Inc

Electron Research Inc

Electron Tubes Inc

Electronic Arrays Inc

Electronic Designs Inc

Electronic Devices Inc

Electronic Research Co

Electronic Technology Corp

Electronic Transistors Corp

Electronica Nacional Braileria

Elite Microelectronics

Elite Semiconductor

Elmec Corp Of America

Elmo Semiconductor Corp, Elpaq Division

Elmo Semiconductor Corp

Elpac Power Systems

Eltec Instruments Inc

EM Microelectronics

Emerson Electric Co

Emihus Microcomponents

Energy Electronic Products Corp

Engineered Components Co

English Electric Valve Co Ltd

Enhanced Memory Systems Inc

Envir Communications Inc

Epitaxx Inc

Epitek International Inc

Ercona Corp

Ericsson Components AB

Ericsson Components Inc

ESC Electronics Corp

Espey Mfg &Electronics Corp

ESS Technology Inc

ETEQ Microsystems Inc

Eupec

Eurodia G E S M B H Components

Eurosil Electronics Ltd

Eurotechnique

Everlight Electronics Co Ltd

Exar Corp

Excel Technology International Corp

Exel Microelectronics

Exxon Enterprises Inc

Facon

Fagor Electronic Components Inc

Fairchild Semiconductor Corp

Fallon Industries

Fanon Transistor Corp

Faraday Electronics Inc

FCP Inc

FDK Corp

FEI Microwave Inc

FEM A Electronics Corp

Fema Electronics Corp

Fenwal Electronics

Ferranti Electric Inc

Ferranti Industrial Electronics LTD

Ferrotran Electronics Co

Film Microelectronics Inc

Fine Products Microelectronics Corp

Finlux Inc

First Components

Fischer &Porter Co

FMC Corp

Ford Aerospace &Communications Corp

Fox Electronics

Foxboro I C T Inc

Foxboro I C T

FR Electronics

Franel Corp

French Thomson-Houston Semiconductor

Frequency Devices Inc

Frequency Sources

Frontier Electronics Co LTD

Fuji Electric Co Ltd

Fuji Electric Co

Fujikura America Inc

Fujitsu Kiden Ltd

Fujitsu Ltd

Fujitsu Microelectronics Inc

Fullywell Semiconductor Co Ltd

Futaba Electric Co Ltd

Future Domain Corp

G H Z Technology Inc

G-TWO Inc

Galil Motion Control Inc

Galileo Corp

Galileo Technology

Gazelle Microcircuits Inc

Gch-Sun Systems Co Ltd

GD Rectifiers Ltd

GEC Marconi Materials Technologies Ltd

GEC Plessey Semiconductors

GEC Semiconductors Ltd

Gem Asia Enterprise Co Ltd

General Diode Corp

General Electric Co, Custom Integrated Circuits

General Electric Co, Electro Optics

General Electric Solid State

General Instrument Optoelectronics

General Magnetics Inc

General Micro-Electronics Inc

General Microcircuits Corp

General Semiconductor Inc

General Semiconductor Industries Inc

General Sensors Inc

General Transistor Corp

Genisco Electronics

Gennum Corp

Gentron Corp

Gespac Inc

Giddings &Lewis Advanced Circuitry Systems

Giga

Gigabit Logic Inc

Gilway Technical Lamp

Glorious Sources Co Ltd

Glow-Lite Corp

GMT Microelectronics Corp

Goldentech Discrete Semiconductor Inc

Gould Inc, Microwave Products

GPD Optoelectronic Devices

Graseby Infrared

Grayhill Inc

Great American Electronics

Great Eastern Mfg Co

Greenray Industries Inc

Greenwich Instruments Ltd

GS Technology

GSI Technology

GTE Microcircuits

......

内存方面的东西，自己看吧

AGP(Accelerated Graphics Port) －图形加速接口

Intel开发的用于提高图形处理速度的接口。它可以让图形的数据流直接在显卡主控芯片和内存之间通信，不必经过显存。

Access Time－存取时间

RAM 完成一次数据存取所用的平均时间（以纳秒为单位）。存取时间等于地址设置时间加延迟时间（初始化数据请求的时间和访问准备时间）。

Address-地址

就是内存每个字节的编号。目的是按照该编号准确地到该编号的内存去存取数据。

ANSI (American National Standards Institute)

美国国家标准协会 - 一个专门开发非官方标准的非赢利机构，其目的在于提高美国工业企业的生产率和国际竞争力。

ASCII （American Standard Code for Information Interchange）

美国信息互换标准代码--将文本编码为二进制数的一种方法。 ASCII 编码体系采用了8位二进制数的256种组合，来映射键盘的所有按键。用于数据处理系统，数据通讯系统及相应设备中进行信息交换。ASCII字符集由控制字符和图形字符组成。

Async SRAM-异步静态内存

一种较为陈旧的SRAM，通常用来做电脑上的Level 2 Cache。

BSB (Backside Bus)

后端总线- CPU 和 L2 cache 之间的数据通道。

Bandwidth－带宽

1、 传输数据信息的能力。信息交换的形式多种多样，可以通过但根电线，也可以通过总线或信道的并行线。一言以蔽之，就是单位时间内数据的移动量，通常用位/ 秒、字节/秒或赫兹（周/秒）表示。

2、 内存的数据带宽：一般指内存一次能处理的数据宽度，也就是一次能处理若干位的数据。30线内存条的数据带宽是8位，72线为32位，168线可达到64位。

Bank （参照memory bank）－内存库

在内存行业里，Bank至少有三种意思，所以一定要注意。

1、 在SDRAM内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。（等同于"行"/Row）

2、 Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。（现在通常是4个bank）。

3、 它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK，电脑才可以正常开机。举个例子，奔腾系列的主板上，1个168线槽为一个BANK，而2个72线槽才能构成一个BANK，所以72线内存必须成对上。原因是，168线内存的数据宽度是64位，而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽。

Bank Schema －存储体规划

一种图解内存配置的方法。存储体规划由若干用来表示电脑主板上的内存插槽的行或列组成。行表示独立的插槽；列代表bank数。

Base Rambus －初级的Rambus内存

第一代的Rambus内存技术，1995年面市。

Baud －波特

1、 表示通讯速率的一种单位，等于每秒传输一个码元。

2、 在异步传输中，表示调制速率的一种单位，相当于每秒一个单位间隔。

BGA (Ball Grid Array)－球状引脚栅格阵列封装技术

这是最近几年开始流行的高密度表面装配封装技术。在封装的底部，引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案，由此命名为BGA。目前的主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。

Binary －二进制

把数字或信息表示为若干bit的一种编码规则。二进制（也叫base 2）中，所有数字都是由1和0这两个数字的组合来表示。

BIOS (Basic Input-Output System) －基本输入/输出系统

启动时自动加载的例行程序，用来为计算机的各种 *** 作做准备。

Bit－位、比特

计算机所能处理信息的最小单位。因为是二进制，所以一个bit的值不是1就是0。

BLP－底部引出塑封技术

新一代内存芯片封装技术，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP封装规范。此类内存芯片不但高度和面积小，而且电气特性也得到了提高。

Buffer－缓冲区

一个用于存储速度不同步的设备或优先级不同的设备之间传输数据的区域。通过缓冲区，可以使进程之间的相互等待变少，从而使从速度慢的设备读入数据时，速度快的设备的 *** 作进程不发生间断。

Buffered Memory－带缓冲的内存

带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片，而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构，决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。

BEDO (Burst EDO RAM) －突发模式EDO随机存储器

BEDO内存能在一个脉冲下处理四个内存地址。形象地说，它一次可以传输一批数据。总线的速度范围从50MHz 到 66MHz (与此相比，EDO内存速度是33MHz，FPM内存的速度是25MHz)。

Burst Mode－突发模式

当处理器向一个独立的地址发出数据请求时，引发的数据区块（连续的一系列地址）高速传输现象

Bus－总线

计算机的数据通道，由各种各样的并行电线组成。CPU、内存、各种输入输出设备都是通过总线连接的。

Bus Cycle－总线周期

主存和CPU之间的一次数据交流。

Byte－字节

信息量的单位，每八位构成一个字节。字节是一个用于衡量电脑处理信息量的常用的基本单位；几乎电脑性能和技术规格的各个方面都用字节数或其若干倍数来衡量（例如KB，MB）。

Cacheability－高速缓存能力

主板芯片组的高速缓存能力，是指主存能够被L2 Cache所高速缓存的最大值。比方说，TX芯片组的主板由于L2 Cache对主存的映射（Mapping）的上限是64MB，所以当CPU读取64MB之后的内存时无法使用高速缓存，系统性能就无法提高了。

Cache Memory－高速缓存存储器

也叫cache RAM，在CPU旁边或附带在CPU上的一小块高速内存(一般少于 1M联系着CPU和系统内存。Cache memory 为处理器提供最常用的数据和指令。Level 1 cache也叫主高速缓存 (primary cache)， 是离CPU最近的高速缓存，容量只有8KB~6KB，但速度相当快。Level 2 cache 也叫次高速缓存(secondary cache)，是离CPU第二近的高速缓存，通常焊接在主板上，容量一般为64KB~1MB，速度稍慢。

CAS (Column Address Strobe)－列地址选通脉冲

在内存的寻址中，锁定数据地址需要提供行地址和列地址，行地址的选通由RAS控制，列地址的选通由CAS决定。

CL（CAS Latency ）－列地址选通脉冲时间延迟

CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。

CDRAM （Cache DRAM）－快取动态随机存储器

同EDRAM（Enhanced DRAM）

Checksum－检验和，校验和

在数据处理和数据通信领域中，用于校验目的的一组数据项的和。这些数据项可以是数字或在计算检验和过程中看作数字的其它字符串。

参考Parity（校验）

Chipset－芯片组

把主存、AGP插槽、PCI插槽、ISA插槽连接到CPU的外部控制逻辑电路，通常是两个或两个以上的微芯片，故称做芯片组。芯片组通常由几个控制器构成，这些控制器能够控制信息流在处理器和其他构件之间的流动方式。

Chip-Scale Package (CSP)－芯片级封装

薄芯片封装，其电路连接通常是采用BGA（球状引脚格状阵列）。这种封装形式一般用于RDRAM（总线式动态内存）和 flash memory（闪存）。

Compact Flash－紧凑式闪存

一种结构轻小的存储器，用于可拆卸的存储卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作电压低，掉电后数据不丢失。应用范围包括：数码相机、移动电话、打印机、掌上电脑、寻呼机，以及录音设备。

Concurrent Rambus－并发式总线式内存

Rambus内存的第二代技术产品。Concurrent Rambus内存一般用于图形工作站、数码电视、视频游戏机。

Continuity RIMM (C-RIMM)－连续性总线式内存模组

一种不带内存芯片的直接总线式内存模组（Direct Rambus）。C-RIMM 为信号提供了一个连续的通道。在直接总线式内存系统中，开放的连接器必须安装C-RIMM。

CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semicomductor）－互补金属氧化物半导体

用于晶体管的一种半导体技术，结合了N型与P型晶体管的优势，现在主要用于电脑芯片，如存储器、 处理器等。

CPU (Central Processing Unit)－中央处理单元

计算机芯片的一种，其主要职能是解释命令和运行程序。CPU也叫处理器（processor）或微处理器（microprocessor）。

Credit Card Memory －xyk内存

主要用于膝上型电脑和笔记本电脑的一种内存。其外型尺寸犹如一个xyk，因此而得名。

CSRAM

同Pentium II Xeron匹配的一种高速缓存，容量为512KB。

DDR(Double Data Rate SDRAM)－ 双数据输出同步动态存储器。

DDR SDRAM 从理论上来讲，可以把RAM的速度提升一倍，它在时钟的上升沿和下降沿都可以读出数据。

Desktop－台式机，桌上型电脑

Die－模子，芯片颗粒

DIME （Direct Memory Execution）

直接内存执行功能

DIMM（Dual-In line Memory Module）－双边接触内存模组

形象的说：内存条正反两面金手指是不导通的，如常见的有100线、168线、200线内存（long Dimm）和72线、144线（SO-Dimm）。DIMM一般有64位带宽，并且正反面相同位置的引脚不同；而SIMM一般只有32位带宽，需要两条两条同时使用，一般通过72线金手指与主板相连。

Direct Rambus－直接总线式随机存储器

Rambus 技术的第三代产品，它为高性能的PC机提供了一种全新的DRAM 结构。现在的SDRAM在64-bit的宽带总线上速度只有100MHz；与此相对照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其数据传输速度可高达800MHz 。

DIP (Dual In-line Package)－双列直插式封装，双入线封装

DRAM 的一种元件封装形式。DIP封装的芯片可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷电路板的小孔上。在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。 DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高6六倍。

Direct RDRAM－直接总线式动态随机存储器

该设备的控制线和数据线分开，带有16位接口、带宽高达800 MHz，效率大于90% 。一条Direct RDRAM 使用两个8-bit 通道、工作电压2.5V ，数据传输率可达到1.6 GBps 。 它采用一个分离的8位总线（用于地址和控制信号），并拓宽了8到16位或9到18位数据通道，时钟达到400 MHz ，从而在每个针（pin）800Mbps的情况下（共计1.6 GBS）使可用数据带宽最大化。

DMA （Direct Memory Access）－直接内存存取

通常情况下，硬盘光驱等设备和内存之间的数据传输是由CPU来控制的。但在DMA模式下，CPU只须向DMA控制器下达指令，让DMA控制器来处理数的传送，数据传送完毕再把信息反馈给CPU。这样，CPU的负担减轻了，数据传输的效率也有所提高。

DRAM (Dynamic Random-Access Memory)－动态随机存储器

最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。

Dual Independent Bus (DI－双重独立总线

英特尔开发的一种总线结构，因为它通过两个分开的总线（前端总线和后端总线）访问处理器，所以DIB能提供更大的带宽。奔腾II电脑就有DIB总线。

ECC（Error Correcting Code）－错误更正码，纠错码

ECC是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。ECC在设计上比parity更精巧，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。通常ECC每个字节使用3个Bit来纠错，而parity只使用一个Bit。

ECC另有一种解释是Error Checking &Correction ,既错误检查与更正。

带ECC的内存比普通SDRAM内存多1、2个芯片，价格很昂贵，一般用在工作站或服务器上。

EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)－扩展数据输出动态存储器

有的也叫Hyper Page Mode DRAM。 EDO的读取方式取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，从而提高了工作效率（约比传统的DRAM快15~30%）。

EDO内存一般为72线（SIMM），也有168线（DIMM），后者多用于苹果公司的Macintosh电脑上。

EDRAM (Enhanced DRAM)－增强型动态随机存储器

动态随机存储器的一种，内部集成2 或 8 Kbit静态随机存储器（SRAM，Static Random Access Memmory），用于缓存读取过的信息。如果下次读取的数据在SRAM内，则直接输出以加快读取速度，否则再到DRAM内寻找。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)

电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用（Plug &Play）接口卡中，用来存放硬件设置数据；防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面也能找到它。

EISA (Extended ISA)－扩展工业标准结构

将附加卡（例如视频卡、内置式MODEM等）连接到PC机主板的一种总线标准。EISA有一个32位的数据通道，使用能够接受ISA卡的连接器。不过，EISA卡只能与EISA系统匹配。EISA总线的 *** 作频率比ISA高得多，并且能够提供比ISA快得多的数据吞吐率。

EMI （Electron-Magnetic Interference）－电磁干扰

任何产生电磁场的电子设备都会或多或少地产生噪声场，干扰其附近的电子设备，这种现象就叫做电磁干扰。

EMS（Expanded Memory Specification）－扩充内存规范

这是由AST、Intel、微软公司共同开发的一种能让DOS突破640KB寻址范围的规范，可以让DOS对640KB甚至1M之间的地址进行页面式的访问。需要有专用的驱动管理程序支持，如EMM386.EXE

EOS (ECC on SIMM)

IBM公司的一种数据完整性检测技术，它的一个明显特征就是在SIMM（单边接触内存模组）上带有检测数据完整性的ECC（自动检错码）芯片。

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)－可擦可编程只读存储器

一种可以重复利用的可编程芯片。其内容始终不丢失，除非您用紫外线擦除它。一般给EPROM 编程或擦除内容时，需要用专用的设备。

ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增强型同步动态内存

Enhanced Memory Systems, Inc 公司开发的一种SDRAM，带有一个小型的静态存储器。在嵌入式系统中， ESDRAM代替了昂贵的SRAM （静态随机存储器），其速度与SRAM相当，但成本和耗电量却比后者低得多。

Even Parity－偶校验

一种来检测数据完整性的方法。与奇校验相反，8个数据位与校验位加起来有偶数个1。具体参考Odd Parity奇校验。

FCRAM (Fast-Cycle RAM)－快速周期随机存储器

东芝（Toshiba）和富士通（Fujitsu）公司正在开发的一种内存技术。开发FCRAM 的目的不是用来做PC机的主存，而是用在某些特殊的设备：例如一些高端服务器、打印机，还有一些远程通讯的交换系统。

Fast-Page Mode－快速翻页模式

一种比较老的DRAM。与比它还早的页面模式内存技术相比，它的优势是在访问同一行的数据时速度比较快。

Firmware－固件，韧件

简单地说，就是含有程序的存储器，负责管理所附装置的底层数据和资源。

Flash Memory－闪烁存储器，闪存

闪烁存储器在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，但是数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。区块大小一般由256K到20MB。FLASH这个词最初由东芝因为该芯片的瞬间清除能力而提出。源于EPROM，闪存芯片价格不高，存储容量大。闪存正在成为EPROM的替代品，因为它们很容易被升级。闪存被用于PCMCIA卡，PCMCIA闪存盘，其它形式硬盘，嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果闪存或其它相关的衍生技术能够在一定的时间内清除一个字节，那将导致永久性的（不易失）RAM的到来。

Form Factor－形态特征

用来描述硬件的一些技术规格，例如尺寸、配置等。比方说，内存的形态特征有：SIMM（单边）, DIMM（双边）, RIMM（总线式）, 30线, 72线, and 168线。

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)－快速翻页动态存储器

一种改良型的DRAM，一般为30线或72线内存。

若CPU所需的地址在同一行内，在送出行地址后，就可以连续送出列地址，而不必再输出行地址。一般来讲，程序或数据在内存中排列的地址是连续的，那么输出行地址后连续输出列地址，就可以得到所需数据。这和以前DRAM存取方式相比要先进一些（必须送出行地址、列地址才可读写数据）。

FSB (Frontside Bus)-前端总线

在CPU和内存之间的数据通道。

Gigabyte /GB－吉(咖)字节

约为10亿字节，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) 字节。

Gigabit /Gb－吉(咖)比特，吉位

约为10亿位，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) bit。

Heat Spreader－散热片

覆盖在电子设备上的用于散热的外壳，多为铝制品。

Heat Sink－散热片

CPU上常用的散热部件，一般为锌合金制造。

HY （Hyundai）－韩国现代电子公司

Hyper Page Mode DRAM

同EDO DRAM

IC (Integrated Circuit)－集成电路

半导体芯片上的电路（有时也被称为芯片或微芯片）由成千上万个微小电阻、电容、晶体管组成。半导体芯片通常封装在塑料或者陶瓷的外壳中，导线引脚露在外面。

特殊的IC 根据其作用可以分为线性芯片和数字芯片。

主要的内存IC厂商代号：

代 号

厂商英文名

厂商中文名

代 号

厂商英文名

厂商中文名

KM

SamSung

三星

TC

Toshiba

东芝

LH

Sharp

夏普

MN

Panasonic

松下

HM

Hitachi

日立

HY

Hyundai

现代

M5M

Mitsubishi

三菱

GM

LG_Semicon

金星

MCM

Motorola

摩托罗拉

MSM

OKI

冲电子

MT

Micron

迈克龙

MB

Fujitsu

富士通

TMS

TI

德州仪器

AAA

NMB

1

uPD

NEC

日电

2

3

4

Interleaving －交叉存取技术

加快内存速度的一种技术。举例来说，将存储体的奇数地址和偶数地址部分分开，这样当前字节被刷新时，可以不影响下一个字节的访问。

IT (Information Technology)－信息技术

IT行业，指与计算机、网络和通信相关的技术。

JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council）

电子元件工业联合会。JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。

Kilobit －千位

约为一千位，准确数值是 210 (1,024) 位。

Kilobyte－千字节

约为一千字节，准确数值是 210 (1,024) 字节。

KingHorse－香港骏一电子公司

香港骏一电子集团有限公司始创于一九九四年一月，公司草创初期主要从事电脑机箱、电源、显示器、键盘、主机板等电脑配件在大陆的销售业务。经过几年的整合，香港骏一以Kinghorse为品牌，专业从事台式计算机、笔记本、服务器、工作站以及计算机外围设备特种内存产品的研发、生产、销售，在香港及大陆均设有OEM厂家，并致力于中国信息产业的发展而努力。

Kingmax－胜创公司

成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国台湾省前200强的生产企业（Commonwealth Magazine，May 2000），同时也是内存模组的引领生产厂商。除台湾省内的机构之外，胜创科技在全球四大洲拥有9个办事处，公司在美国、中国、澳大利亚和荷兰拥有超过390名员工。

Kingston－金仕顿科技公司

金仕顿科技公司是一家设计和生产用于PC机、服务器、工作站、笔记本、路由器、打印机、和其他一些电子设备内存、处理器的公司。该公司于1987年由杜纪川和孙大卫先生创立，现在已经发展成产品超过2000种、年销售额超过16亿美圆的公司。

Latch－锁存（数据）

锁存器：电子学中的一种电路,可维持所承担的位置或状态,直到由外部手段将其复位到它前一种状态。SRAM就是用锁存器制作的。

L1 (Level 1 Cache) －一级高速缓存

也叫 primary cache，L1 Cache是在处理器上或离处理器最近的一小块高速存储器。 L1 Cache 为处理器提供最常用的数据和指令。

L2(Level 2 Cache)－二级高速缓存

也叫 secondary cache，L2 Cache 是离处理器较近（通常在主板上）的一小块高速存储器。L2 Cache为处理器提供最常用的数据和指令。在主板上的Level 2 cache 可以刷新、升级。

LGS （Goldstar）－金星

主要内存生产厂家

Logic Board－主板

同 Motherboard。

Mask ROM

生产固件时，先制造一颗含有原始数据的ROM作为模板，然后大批生产内容完全相同的ROM。这种方法大批量生产的ROM就叫做Mask ROM

MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK动态内存

MDRAM是MoSys公司开发的一种VRAM（视频内存），它把内存划分为32KB的一个个BANK（存储库），这些BANK可以单独访问，每个储存库之间以高于外部的数据速度相互连接。其最大特色是具有"高性能、低价位"特性，最大传输率高达666MB/S，一般用于高速显卡。

Megabit －兆位

约为一百万位，准确数值是1,0242 (1,048,576)位。

Megabyte－兆字节

约为一百万字节，准确数值是1,0242 (1,048,576)字节。

Memory －存储器，记忆体，内存

一般指电脑的RAM（random access memory）随机存储器，其主要用途是读取程序和临时保存数据；最为常见的内存芯片是DRAM。这一术语有时也用来指所有的用来存储数据的电子设备。

Memory Bank－存储体，〔记忆库〕

由一些地址相邻的存储单元组成的一种存储块，其大小由所在的计算机决定。比方说，32位的CPU必须使用一次能提供32位信息的memory bank。一个bank可能由一个或多个内存模组构成。

Memory Bus－内存总线

从CPU到内存扩展槽的数据总线。

Memory Controller Hub (MCH)－内存控制中心

Intel 8xx（例如820或840）芯片组中用于控制AGP、CPU、内存（RDRAM）等组件工作的芯片。

Memory Translator Hub (MTH)－内存转译中心

一种内存接口，通过它可以使Intel 820芯片组的主板的Direct Rambus 信道支持SDRAM内存。

Micro BGA (μBGA)－缩微型球状引脚栅格阵列封装

Tessera, Inc. 公司开发的的一种BGA 芯片封装技术，主要用于高频工作的RDRAM。这种技术能把芯片尺寸做得更小，提高了散热性，使内存条的数据密度增大了。

MIT （Mitsubishi）－日本三菱公司

Motherboard－主板

也叫logic board、main board或 computer board，是计算机系统的主体部分。电脑的CPU、内存、输入输出接口和扩展槽等大部分硬件都安装在主板上面。

Ms (millisecond) －毫秒

千分之一秒。

Multi-Way Interleaved

多重交错式内存存取结构，巫毒卡2代所采取的一种技术。

Nanosecond (ns)－纳秒,〔末秒,毫微秒〕

十亿分之一（10-9）秒。 内存的数据存取时间以纳秒为单位。

Nibble －半字节, 四位字节

Non-Composite

苹果电脑的内存术语，表示一种采用了新技术的内存条。该内存条上的芯片颗粒很少，但数据密度却非常高。Non-composite 内存条比 composite 内存条工作更可靠，但价格也相对很高。

Odd Parity－奇校验

校核数据完整性的一种方法，一个字节的8个数据位与校验位（parity bit ）加起来之和有奇数个1。校验线路在收到数后，通过发生器在校验位填上0或1，以保证和是奇数个1。因此，校验位是0时，数据位中应该有奇数个1；而校验位是1时，数据位应该有偶数个1。如果读取数据时发现与此规则不符，CPU会下令重新传输数据。

Page mode－页面模式

现在该技术已经被淘汰。在页面模式下，每次访问DRAM的同一行的每一列时，都会十分迅速。（参考FPM）

Parity：（Even / Odd）－奇偶校验

也叫Parity Check，在每个字节（Byte）上加一个数据位（Data Bit）对数据进行检查的一种冗余校验法。它是根据二进制字节中的"0"或"1"的数目是奇数还是偶数来进行校验的。在二进制字节中增加了一个附加位，用来表示该字节中的"0"或"1"的数目是奇数还是偶数。经过传输或存储后，再计算一次校验和（Checksum），如果与附加位一致，证明传输或存储中没有错误。

奇偶校验位主要用来检查其它8位（1 Byte）上的错误，但是它不象ECC（Error Correcting Code错误更正码），parity只能检查出错误而不能更正错误。奇偶校验的致命弱点是检查出错误后无法断定错在哪一位，容易死机，所以现在很少用了。取而代之的是ECC。

PB-SRAM （Pipelined Burst SRAM）－管道突发式静态内存

属于Level 2 Cache，多用于486后期及Pentium以上的主板。

PC100

JEDEC 和Intel制定的一种SDRA

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