请问，N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗？它们的剖面图和工艺版图是怎样的。求帮助

MOS依照其“通道”的极性不同，可分为'N"沟与‘p“沟的MOSFET结构。

如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la），在其面上扩散了两个N型区（图lb），再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c），最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图1d所示。

平面N沟道增强型MOSFET从图中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。

一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。

扩展资料：

mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。

P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。

最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

参考资料来源：百度百科-双极-CMOS集成电路

版图设计是体力活，不过因为IC设计公司很多，两三年后跳槽能选择的也比较多。版图设计和电路设计等接触很多，能有机会转成电路设计或者是数字电路的自动布局布线等。这两个职位的薪水会比版图设计高出很多。

制造工艺的话，可能能选择的公司不是很多，基本就是一些制造厂吧。但几年后出国工作的机会还是不少的。

其实只要你自己努力，在工作中多学习，无论哪个选择都会有很多机会的。

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