请问掺Be的半导体是n型还是p型

Be的核外电子排布为2,2.根据半导体晶体的结构,掺杂原子将与周围4个半导体原子（如Si）形成四个共价键,但因缺少两个价电子而形成两个空穴.因而空穴成为该半导体的多数载流子,简称多子.形成的掺杂半导体即是空穴型半导体,也就是P型半导体.

BE节电压可不是恒值，硅管，这个电压在0.5-0.8V间处于放大状态，低于0.5V三极管不工作，也就是截止，高于0.8V三极管饱和，也就是CE间相当于闭合的开关。放大状态时，通常设计Vbe直流为0.7V或0.65V，留一个波动范围，便于加载几十毫伏峰值以下的交流信号，比如交流信号峰值为50毫伏，则Ube就在0.65-0.75或0.6-0.7V之间变化，则基极电流就是变化的，当然集电极电流也就是变化的了，在集电极回路中的负载上就有变化电压，这个变化电压的频率跟基极信号频率相同，只要不失真，其波形也相同。若Ube设计不合理或基极信号电压幅值过大，就会产生失真。

大功率三极管be节电容大小是3pf。根据相关公开资料查询了解到，二极管be节电容是2pf，三极管be节的电容比二极管的大1pf，所以三极管be节电容大小是3pf。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

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