半导体制冷片 TES和TEC 系列的区别

TEC系列每个元件的面积大于1mm；

TES系列每个元件的面积小于1mm；

在这里我们只讨论正方形的制冷片：同样尺寸同样产冷（或者产热）功率下，TES的元件数量要比TEC多。半导体制冷片的内部是N型和P型半导体的串联然后再并联，故在前面的条件下，TES的电压比TEC大，TEC的电流比TES小。

为了进一步完善全球经营战略，TEL集团于2002年4月在中国上海设立了分公司，成为最早进入中国市场的半导体制造设备供应商之一。目前在中国从事200mm芯片制造的企业，如上海华虹，中芯国际，宏力半导体等大公司内，TEL的设备都有很大份额。TES也正在积极致力于中国300mm芯片生产线的建造，在中芯国际北京上海及华力微电子,无锡海力士都留下了TES人努力奋进的身影。目前，TEL在中国注册有两家法人公司，东电半导体设备（上海）有限公司和东电电子（上海）有限公司，分别作为TEL在中国的物流中心和服务培训中心。东电电子的新办公大楼位于张江高科技园区内，占地19000m2。并分别在北京，天津，苏州，无锡开设了分公司。

TES1－01810TT激光二极管用高可靠温差电致冷组件是一种高温微型组件，主要用于激光二极管和大规模集成电路等电子元器件的致冷

由于激光二极管与温差电致冷组件焊接时独特的焊接工艺要求，在焊接过程中，常温微型组件损坏较多，影响了温差电致冷组件的电性能和焊接成功率

并且组件用于军事工程时，包括耐高温、高低温冲击及冲击、振动等可靠性要求将大大研制耐高温的高可靠温差电致冷组件已成为市场的迫切需要

通过研制TES1－01810TT激光二极管用高可靠温差电致冷组件，不仅仅是得到了一种各项技术指标都处于国际领先水平的高可靠的激光二极管用温差电致冷组件，更重要的是攻克了材料片镀镍和高温焊料的选择这两大技术关键，将温差电致冷组件的使用温度从80℃提高到155℃，进一步改进焊料的配比，还可提高到200℃，达到了国际先进水平

将这两项技术应用于常规组件的生产当中，在成本变化很小的情况下，将大大提高产品的档次，获得极大的经济效益

主要技术指标：环境温度为25℃，热面温度Th＝30℃时：组件最大温差：△Tmax≥64℃，组件最大温差电流：I〈，max〉＝1．2A，组件最大致冷功率：Q〈，cmax〉≥1．5W

组件两外侧浸挂低温焊料

组件可在热面温度155℃的条件下长时间工作

组件短时间安装可耐180℃的高温

组件具有高于一般军用组件的抗冲击、振动、温度变化要求的性能

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