西安电力电子技术研究所

西安电力电子技术研究所

【研究内容】

研究范围：电力半导体器件和装置的研究。

推广技术与项目：4英寸超大功率快速晶闸管；5英寸大功率晶闸管。

学科分类： 电子、通信与自动控制技术 ； 动力与电气工程

【科研能力】

职工人数：740 (人)

技术人员： 375 (人)

机构类别： 省市系统

上级主管单位： 省科技厅

成立年代： 1966

主要研究人员：

内部机构名称： 第一研究室，第二研究室，第三研究室，第四研究室，国家工程研究中心，国家质量检测中心，行业标准室，

下属机构名称： 西安千岛实业有限责任公司，西安屹立电力电子有限责任公司，西安爱帕克电力电子有限公司，西安西普电力电子有限公司

出版刊物： 电力电子技术 季刊

生产产品： KS双向晶闸管 ； 超大功率晶闸管 ； 大功率晶闸管 ； 大功率GTO组件 ； 大功率整流管 ； 高压电子束轰击炉电源 ； 快恢复二极管 ； 快开通晶闸管 ； 脉冲电镀电源 ； KK快速晶闸管 ； 高压等离子风洞整流电源

科研成果： LGBT模块封装技术研究 ； 绝缘栅双极晶体管IGBT模块 ； 小光控晶闸管DV/DT测试台 ； MJ-Ⅱ/50型半自动磨角机技术工艺设备研究 ； GTR模块结构及封闭工艺 ； GTO应用共性基础技术研究 ； 晶闸管综合特性测试台 ； GTR模块测试技术和设备 ； 地铁动车斩波调压系统 ； KK2000A/1600V超大功率快速晶闸管 ； 12KV1500A高压晶闸管组件 ； 功率器件用中子嬗变掺杂直拉硅及其应用 ； Φ77MM系列大功率低损耗晶闸管 ； 直径100MM特大功率晶闸管 ； 城市轨道交通车用大功率GTO组件 ； KHS型大电流整流装置 ； 阳极短路型可关断晶闸管研究 ； 光控晶闸管能发源 ； Φ100MM3000A/5500V特大功率晶闸管 ； IGBT测试技术研究 ； KDH-Ⅱ型3000KW电力回收装置 ； 600A、1000～1800V大功率GTO晶闸管 ； Φ125MM三峡直流输电用超大功率晶闸管 ； 大容量高频率IGBT模块 ； IGBT器件封闭技术 ； GTO元件及组件开关时间测试台 ； GTR模块、GTO组件及应用模块测试技术和设备 ； 300MW汽轮发电机旋转励磁整流组件 ； 非对称晶闸管ASCR500A/2000V研究 ； 大功率GTO组件 ； 中板可逆轧机主传动晶闸管微机控制 ； 高压大电流快速晶闸管KK1000A/2000V的研究 ； 高频晶闸管的研制 ； KHS、ZHS电冶、电化学用整流电源 ； 高电压大电流高可靠性晶闸管研究 ； ±100KV舟山直流输电成套设备 ； 晶闸管稳态热阻及瞬态热阻抗测试方法研究和测试设备研制

拥有专利： 制造快速晶闸管的扩金新工艺 ； 桥臂组件结构的密封励磁功率柜

获奖情况： 部委级奖 ； 省级奖 ； 国家级奖 ； 部委级奖 ； 省级奖 ； 国家级奖

【研究成果】（共71项，以下显示其中10项）

￠77mm晶闸管元件

超高压大功率晶闸管的国产化 (中国机械工业科学技术奖三等奖)

4in超大功率快速晶闸管 (中国机械工业科学技术奖二等奖)

大功率电解整流电源

GTO GTR应用电路模块

GTO GTR应用共性基础技术

IGBT器件的制造和工艺技术

MCT计算机辅助设计制造技术和测试技术

绝缘栅双极晶体管IGBT模块

KHS、ZHS电冶、电化学用整流电源

更多……

【申请专利】（共3项 ，以下显示其中10项）

桥臂组件结构的密封励磁功率柜 (申请号:97239564.4)

钼片回收新方法 (申请号:88103038.4)

制造快速晶闸管的扩金新工艺 (申请号:86102417)

更多……

【发表期刊论文】（共41篇 ，以下显示其中10篇）

阀组件在电力系统中的应用前景 楼晓峰 (电力设备 2006(7) )

ZK1150/4500快恢复二极管的研制 郭永忠 (电力电子技术 2006(5) )

60 t进口直流电弧炉电源的改造 王保荣 (工业加热 2006(1) )

Ф100快速晶闸管的研制 高山城 (电力电子技术 2005(5) )

X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响 马颖 (液晶与显示 2005(4) )

高压变频器散热系统的设计 王丹 (电力电子技术 2005(2) )

有关交流拖动系统的IEC及国内标准动态 金东海 (电力电子技术 2005(2) )

直流输电用超大功率晶闸管少子寿命在线控制 李建华 (电力电子技术 2005(1) )

电弧炉与电网 张殿军 (工业加热 2004(5) )

采用谐振极软开关逆变器的异步电机直接转矩控制仿真研究 黄晓东 (西安理工大学学报 2004(3) )

更多……

【发表学术会议论文】（共19篇 ，以下显示其中10篇）

国内外电力电子器件发展现状 (2004年全国电力网无功/电压技术研讨会 (2004-10-1))

晶闸管智能模块 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

热管结构的10kV晶闸管阀组件 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

PRC电路中负载变化对逆变器开关状态的影响 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

三峡工程与高压直流输电 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

电力电子集成技术的现状及发展方向 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

4万t/a离子膜整流装置的运行总结 (第20届全国氯碱行业技术年会 (2002-9-1))

基于空间电压矢量的永磁同步电机控制系统仿真 (第七届中国电力电子与传动控制学术会议 (2001-7-1))

采用热管散热和φ100mm晶闸管的巨型励磁功率柜 (CSEE中国电机工程学会大电机专业委员会2001年度励磁学术讨论会 (2001-5))

更多……

更多……

【起草标准】（共61项 ，以下显示其中10项）

半导体器件 分立器件第6部分:晶闸管第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 (标准编号:GB/T 13151-2005)

半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 (标准编号:GB/T 13150-2005)

电力半导体器件用接插件 (标准编号:JB/T 5843-2005)

电力半导体器件用门极组合件 (标准编号:JB/T 5835-2005)

电力半导体器件用管芯定位环 (标准编号:JB/T 5842-2005)

电力半导体器件用管壳瓷件 (标准编号:JB/T 10501-2005)

低压直流电源设备的性能特性 (标准编号:GB/T 17478-2004)

半导体变流器 包括直接直流变流器的半导体自换相变流器 (标准编号:GB/T 3859.4-2004)

电工术语 电力电子技术 (标准编号:GB/T 2900.33-2004)

电力半导体器件用散热器 第1部分:铸造类系列 (标准编号:GB/T 8446.1-2004)

更多……

【媒体新闻】（共6篇 ，以下显示其中10项）

直流设备全面国产化之路能走多远 (2006-9-13)

大型清洁高效发电装备被列入重点发展对象 (2006-6-21)

曾培炎：振兴装备制造业关系现代化建设的全局 (2006-6-20)

国务院振兴装备制造业工作会议举行 (2006-6-20)

电力电子行业修改生产许可证实施细则 (2003-4-16)

西安电力电子技术研究所勇攀科技高峰 (2003-4-9)

更多……

【联系信息】

机构名称： 西安电力电子技术研究所

曾 用 名： 机械工业部西安整流器研究所

负 责 人： 陆剑秋 职务： 所长 职称： 高级工程师，教授

地 址： 陕西省西安市朱雀大街94号 (710061)

电 话： (029) 85271717（办），85271888，85271829（科）

传 真： (029) 85261691

电子邮件： peri@chinaperi.com ； xwangi@pop3.irf.com

网 址： http://www.chinaperi.com

半导体（ semiconductor）指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。

超导体（英文名：superconductor），又称为超导材料，指在某一温度下，电阻为零的导体。在实验中，若导体电阻的测量值低于一个极小值，可以认为电阻为零。

半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。

人类最初发现超导体是在1911年，这一年荷兰科学家海克·卡末林·昂内斯（Heike Kamerlingh Onnes）等人发现，汞在极低的温度下，其电阻消失，呈超导状态。此后超导体的研究日趋深入，一方面，多种具有实用潜力的超导材料被发现，另一方面，对超导机理的研究也有一定进展。

扩展资料：

超导体基本特性：

一、完全导电性

完全导电性又称零电阻效应，指温度降低至某一温度以下，电阻突然消失的现象。完全导电性适用于直流电，超导体在处于交变电流或交变磁场的情况下，会出现交流损耗，且频率越高，损耗越大。

二、完全抗磁性

完全抗磁性又称迈斯纳效应，“抗磁性”指在磁场强度低于临界值的情况下，磁力线无法穿过超导体，超导体内部磁场为零的现象，“完全”指降低温度达到超导态、施加磁场两项 *** 作的顺序可以颠倒。

三、通量量子化

通量量子化又称约瑟夫森效应，指当两层超导体之间的绝缘层薄至原子尺寸时，电子对可以穿过绝缘层产生隧道电流的现象，即在超导体（superconductor）—绝缘体（insulator）—超导体（superconductor）结构可以产生超导电流。

参考资料来源：

百度百科—超导体

百度百科—半导体

电流在导体内流动时，由于导体本身分子的不规则热运动而产生损耗，使得导体的导电能力下降。

温度降低会减小电阻，但一般金属和合金不会因温度的继续降低而使电阻变为零。而某些合金的电阻则可随着温度的下降而不断地减小，当温度降到一定值（临界温度）以下时，它的电阻突然变为零，我们把这种现象称为超导现象，具有超导现象的导体称为超导体。

超导体技术的应用前景极为广阔。目前有关它的理论和实际应用还处于研究阶段，我国在超导研究方面已处于世界先进水平。

---