判断：由于P型半导体中的多数载流子是空穴,所以P型半导体带正电.（理由）

P型半导体整体显电中性

你的理解遗漏了很重要的东西,仔细想想P型半导体中多子空穴的产生过程,受主杂质原子 碰原子接受一个电子,然后它周围产生了空穴,常温下,这些空穴都是电离的（即这些空穴脱离了碰原子的束缚,成为能够在整个半导体内移动的空穴）

好了, 您光想到了这些带正电的空穴, 那您就忘了与这些空穴对应的受主杂质原子吗? 它们都接受了一个电子,就成为了固定在晶格中不可移动的带负电的负离子.（这一点很关键）

1. 半导体内的正电荷是空穴,有两部分来源：受主杂质产生的（占绝大多数）和本征激发产生的（占少数）；

2. 负电荷 则是受主负杂质离子（数量很大,等于上面所述的第一部分空穴的数量）和电子（来源于本征激发,只占少数）

正电荷总数（多子空穴）=负电荷总数（少子电子+受主负离子）

半导体整体是电中性的

同样的道理,N型半导体也是如此,里面有大量的不可移动的带正电的施主正离子,负电荷总数（多子电子）=正电荷总数（少子空穴+施主正离子）

整体是电中性的

是由于半导体和掺入的微量元素都是电中性的，而掺杂过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷，只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴，并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。

P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

扩展资料：

一、特点

半导体中有两种载流子：导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，则该类型的半导体就称为P型半导体。

“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。

因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。

二、形成原理

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子。

氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu₂O、NiO、VO₂等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。

参考资料来源：百度百科-P型半导体

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