
一个简单举例说明:
R1中,其中R代表电阻器,1-1号电阻器。
R11中,其中R-电阻器,11-11号电阻器。
R111中,其中R-电阻器,1-功能模块,11表示在这个功能模块上同类元器件的序列号。
一、一般而言,电子电路元器件的读取原则和顺序。
例:R118~主板电路上第18个电阻器。
1,第一个英文字母或者组合表示元器件名称,是元器件的代码。
2,第一个数字代表的是电路板上不同的模块。
一般而言:1-主板电路,2-电源电路,3-反馈电路等等,这些都可以是设计者自主决定。
3,之后的数字代表的是在这个功能模块上的同类元器件的序列号。即:第18个电阻器等等。
二、一般常见的电子电路元器件代码。
R—电阻器。
VR—可调电阻。
C—电容器。
D—二极管。
ZD—稳压二极管。
Q—三极管或者场效应管。e-发射极,b-基极,c-集电集。
LED—发光二极管。
T—变压器。
SW—开关。
L—电感。
K—继电器。
GND—公共接地端。
LS—蜂鸣器。
FS—保险管。
RTH—热敏电阻。
MEMS压力传感器的结构与工作原理及应用技术 MEMS是指集微型压力传感器、执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的微型机电系统。 MEMS压力传感器可以用类似集成电路(IC)设计技术和制造工艺,进行高精度、低成本的大批量生产,从而为消费电子和工业过程控制产品用低廉的成本大量使用MEMS传感器打开方便之门,使压力控制变得简单易用和智能化。MEMS压力传感器原理:
目前的MEMS压力传感器有硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器,两者都是在硅片上生成的微机械电子传感器。硅压阻式压力传感器是采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的,具有较高的测量精度、较低的功耗,极低的成本。惠斯顿电桥的压阻式传感器,如无压力变化,其输出为零,几乎不耗电。
MEMS硅压阻式压力传感器采用周边固定的圆形的应力杯硅薄膜内壁,采用MEMS技术直接将四个高精密半导体应变片刻制在其表面应力最大处,组成惠斯顿测量电桥,作为力电变换测量电路,将压力这个物理量直接变换成电量,其测量精度能达0.01%~0.03%FS。硅压阻式压力传感器结构如图3所示,上下二层是玻璃体,中间是硅片,硅片中部做成一应力杯,其应力硅薄膜上部有一真空腔,使之成为一个典型的绝压压力传感器。应力硅薄膜与真空腔接触这一面经光刻生成如图2的电阻应变片电桥电路。当外面的压力经引压腔进入传感器应力杯中,应力硅薄膜会因受外力作用而微微向上鼓起,发生d性变形,四个电阻应变片因此而发生电阻变化,破坏原先的惠斯顿电桥电路平衡,电桥输出与压力成正比的电压信号。
传统的机械量压力传感器是基于金属d性体受力变形,由机械量d性变形到电量转换输出,因此它不可能如MEMS压力传感器那样做得像IC那么微小,成本也远远高于MEMS压力传感器。相对于传统的机械量传感器,MEMS压力传感器的尺寸更小,最大的不超过1cm,使性价比相对于传统“机械”制造技术大幅度提高。
BD8656FS 是液晶电源芯片,芯片实际上是半导体元件产品的统称,属于集成电路的一种。制造芯片还需要一种重要的材料就是金属,芯片主要由半导体材料、固态电子器件、硅等材料经过多重负责的程序加工出来的,电源芯片就是电脑的心脏,完成运算,处理任务。芯片其实就是一块高度集成的电路板也可以叫IC。比如说电脑的CPU其实也是一块芯片,不同的IC有不同的作用,比如说视频编码、解码IC及是专门用来处理视频数据的,音频编码、解码IC则是用来处理声音的。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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