半导体本征浓度怎么计算

半导体本征浓度怎么计算,第1张

一定的电荷转移我们可以用以下公式对本征半导体中的自由电子的浓度进行计算:

ni(T)=AT3/2e-EG/2kT式中,

EG——电子挣脱共价键束缚所需要的能量,单位是eV(电子伏),又被称为禁带宽度;

T——温度;

A——系数;

k——波耳兹曼常数(1.38×10-23J/K);

e——自然对数的底。

硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为:

多数载流子(电子)n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3

少数载流子(空穴)p=ni^2/n=0.45cm-3


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址:https://54852.com/dianzi/8924285.html

(0)
打赏 微信扫一扫微信扫一扫 支付宝扫一扫支付宝扫一扫
上一篇 2023-04-23
下一篇2023-04-23

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

    保存