给你说说欧美好的铣刀品牌吧，
德国FRANKEN法兰肯：一家有80多年历史的在螺纹加工、铣削加工、领域提供尖端技术的集团公司；
德国GUHRING钴领：成立于1898年，全球第三大旋转刀具制造商；
德国HAM汉姆：拥有50多年的生产设计与制造经验，以高质量、超精密的特点被广泛应用于汽车、航天等领域；
德国Schnell施耐尔：一个享誉全球的德国品牌，在高速铣的精密加工领域，是一颗耀眼的超级名星；
德国prototyp普瑞特：全球领先的铣削工具供应商，创立于1919年，1992年加入瑞典SANDVIK集团，并由此在切削刀具市场中建立了问题终结者的形象，尤其是对不锈钢、钛基镍基合金等难加工材料特别有心得。
瑞士ALESA阿莉萨：专业生产高精密切削刀具；
瑞士fraisa佛雷萨：世界著名刀具生产厂商之一，其高速切削铣刀能为客户提高切削效率，解决切削难题，优化切削方案，降低加工成本；
意大利DELFER戴尔福：主要生产模具加工用铣削刀具；
西班牙Hellon赫龙：创立于1952年，专注致力于整体硬质合金刀具的研发和制造，是欧洲顶级整体硬质合金刀具制造商之；
奥地利WEDCO威德高：主要生产石墨加工用刀具；
荷兰JABRO嘉伯乐：高端整体式铣刀品牌，成立于1976年，2001年纳入山高旗下，专注于生产高质量的整体硬质合；
荷兰VAN HOORN范霍恩：创立于1990年,主要生产高速加工用整体硬质合金立铣刀，倡导高速加工、高效率加工、高切割量加工，1999年生产出第一支石墨加工专用立铣刀。
以色列HANITA赫尼塔：威迪亚旗下品牌，在航空航天行业和医疗器械行业、能源行业占有优势；
美国FULLERTON富而顿：成立于1942年，专注于硬质合金刀具生产设计的厂家，主要应用于航天、汽车工业、工程机械、医疗器械、半导体等行业中；
美国GARR TOOL盖尔：成立于1944年，是美国制造工艺最先进，自动化设备最多的生产整体硬质合金刀具的公司，一直致力于制造最高品质的整体硬质合金切削工具，不仅提供极具竞争力的价格，还提供优质的客户服务，近年来专注于航空制造领域，推出了一系列在航空加工领域的明星产品。
美国MAFORD美福：创立于1919年，整体硬质合金刀具在设计与制造上居于世界领导地位，其卓越的长期稳定性能得到全球航空制造业，国防工业与零件制造商们的首肯；
美国menlo猛龙：1962年开始制造硬质合金刀具，特别是在欧美广泛的用在航空、汽车、模具等行业,2000年被IMCO收购。
当然欧美还有很多独具特色的铣削刀具制造商，此处举出几个。。。
日韩和台湾的不说了，打字累。。。。 还有其他人请别复制我的，我看我在百度的发言网上到处转载。。。
从多晶硅到单晶硅棒再到切(硅)片这一段是用不到金刚石砂轮的!我们公司就是从事光伏产品的制造! 从多晶硅-单晶硅-切片都做的!目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。
目前国内主要采用CZ法
CZ法主要设备：CZ生长炉
CZ法生长炉的组成元件可分成四部分
（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁
（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件
（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀
（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统
加工工艺：
加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长
（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。
（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
（4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。
（5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。
（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。
单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片
加工流程：
单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片
倒角→研磨 腐蚀--抛光→清洗→包装
切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。
切断的设备：内园切割机或外园切割机
切断用主要进口材料：刀片
外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。
外径滚磨的设备：磨床
平边或V型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。
处理的设备：磨床及X－RAY绕射仪。
切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。
切片的设备：内园切割机或线切割机
倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。
倒角的主要设备：倒角机
研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。
研磨的设备：研磨机（双面研磨）
主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。
腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。
腐蚀的方式：（A）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（HNO3），氢氟酸（HF），及一些缓冲酸（CH3COCH，H3PO4）组成。
（B）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。
抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。
抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。
抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um；
精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下
主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。
清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。
清洗的方式：主要是传统的RCA湿式化学洗净技术。
主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL
（3）损耗产生的原因
A.多晶硅--单晶硅棒
多晶硅加工成单晶硅棒过程中：如产生损耗是重掺埚底料、头尾料则无法再利用，只能当成冶金行业如炼铁、炼铝等用作添加剂；如产生损耗是非重掺埚底料、头尾料可利用制成低档次的硅产品，此部分应按边角料征税。
重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质（种类有硼，磷，锑，砷。杂质的种类依电阻的N或P型）放入石英坩埚内溶化而成的料。
重掺料主要用于生产低电阻率（电阻率＜0.011欧姆／厘米）的硅片。
损耗：单晶拉制完毕后的埚底料约15％。
单晶硅棒整形过程中的头尾料约20％。
单晶整形过程中（外径磨削工序）由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径磨削可以获得较为精确的直径。损耗约10％-13％。
希望能对你有帮助!
加工半导体氧化铝陶瓷可以使用陶瓷雕铣机，陶瓷雕铣机是现下最主流的特种工业陶瓷加工机床，它具有很高的抑振性，能够保证陶瓷磨头以最小的振动和最高的精度加工。陶瓷雕铣机最大的优势就是加工效果好，同时性价比高。陶瓷雕铣机相比普通的雕铣机具有更好地机床刚性，同时机床的防护也做的非常出色。加工陶瓷建议选择专用的陶瓷雕铣机。欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表（0条）