谁能告诉下太阳能电池制造中扩散的原理及工艺过程，最好把工艺的原理及目的说的详细些？

扩散的目的：太阳能电池的基本就够就是一个PN结，而扩散就是为了形成PN结。

扩散的原理：太阳能电池一般选用的是P型掺杂的单晶硅片或者是多晶硅片，我们就需要通过扩散在上面形成一个N型的扩散层，从而形成PN结。现在一般采用的都是磷扩散。扩散源是三氯氧磷（pocl3），在900℃的高温下，它与硅片反应，生成二氧化硅和磷。具体的反应过程如下：

太阳能电池片加工中的掺杂与扩散原理的原理：

半导体的掺杂扩散，主要是依靠了离子从高浓度像低浓度区域扩散的原理。在太阳能的硅片中，把杂质原子的气相源靠近硅片，加热后，使其慢慢扩散，杂质原子会慢慢的深入硅片中，浓度从硅片边缘到内部是逐渐降低的。

半导体中的掺杂是指在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。

半导体扩散电流的本质是载流子会从高浓度区向低浓度区扩散。根据查询相关资料显示半导体中载流子浓度分布不均匀时，载流子会从高浓度区向低浓度区扩散。扩散电流是PN结中由载流子扩散运动形成的电流。扩散运动则是载流子顺浓度梯度，由浓度高的区域向浓度低的区域运动的现象。在不受外加电压影响的PN结中，P区的多子空穴向N区扩散，N区的多子自由电子向P区扩散。当载流子通过两种半导体的交界面后，在交界面附近的区域里，P区扩散到N区的空穴与N区的自由电子复合，N区扩散到P区的自由电子与P区的空穴复合。电流方向指向空穴移动方向（或自由电子移动的反方向），扩散电流由P区指向N区。

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