杭州的集成电路设计公司

◇ 杭州士兰微电子股份有限公司

◇ 杭州友旺微电子有限公司

◇ 杭州国芯科技有限公司

◇ 三星半导体（中国）研究开发有限公司集成电路研究开发分公司

◇ 杭州士腾科技有限公司

◇ 威睿电通（杭州）有限公司

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◇ 杭州晶图微芯技术有限公司

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◇ 诶比控股集团杭州南广科技有限公司

◇ 杭州硅星科技有限公司

◇ 杭州高特信息技术有限公司

◇ 科希（杭州）微电子技术开发有限公司

◇ 杭州广立微电子有限公司

◇ 杭州旗捷科技有限公司

◇ 杭州国宇电子技术有限公司

随着台积电等晶圆厂龙头开启新一轮扩产周期、技术升级、晶圆产能向大陆转移以及国内政策的大力支持，我国半导体设备及材料市场将迎来新一轮上升周期。国内5大半导体龙头，有望充分受益。

总市值：80亿

华特气体成立于1999年，主营气体及气体设备的研发和生产，产品广泛覆盖工业气体、电子工业用气体及医用气体等十几个领域，其中，电子特气已覆盖国内80%的半导体客户。业务覆盖全球50多个国家和地区，是国内最大的特种气体及相关设备供应商之一。

得益于公司近二十年的技术深耕，华特气体目前不仅已获得授权专利87项，参与制定国家标准28项，更凭借过硬的技术实力打入包括中芯、德州仪器、海力士等国内外半导体巨头。率先打破了尖端领域气体材料进口制约，实现了国产替代。

正因此，华特气体得以在2020年取得净利同比提升45.3%，毛利率连续第六年高于行业平均的骄人成绩。而 随着公司持续对欧洲、日本等发达经济体业务的拓展，以及对新型材料的研发投入的加大，华特气体未来发展可期。

总市值：117亿

至纯 科技 成立于2000年，主要业务为高纯工艺系统与高纯工艺设备的设计、加工制造、安装以及配套工程、检测、厂务托管、标定和维护保养等增值服务，是国内清洗设备龙头。

目前，至纯已经实现中高端单片和槽式清洗设备的研发。其中，自主研发的8寸和12寸湿法设备已相继获得中芯、万国、德州仪器、燕东、华润等行业龙头的青睐。而受益于晶圆厂建厂潮以及半导体工艺的更新迭代所带动的新增需求， 相关机构预计，至纯 科技 未来3年业务增速有望达到48%。

总市值：138亿

安集 科技 成立于2007年，主营关键半导体材料的研发和产业化，核心为CMP抛光液和光刻胶去除剂，广泛应用于集成电路制造和先进封装领域，全球市占率约2.4%。是国内CMP抛光液龙头。

那么何为CMP抛光液？CMP抛光液广泛应用于半导体领域。由于其具有很高的技术门槛，曾长期被美国和日本企业垄断。

而为了打破国外垄断，安集 科技 从一开始便投入到抛光液的研发中，截止2018年，公司不仅获得发明专利190项，更成为国内唯一一家能够提供12英寸IC抛光液的供应商，实现了进口替代，使中国在该领域拥有了自主供应能力。

综合来看，公司CMP抛光液技术处于国际领先水平，光刻胶去除技术整体处于国内领先水平。而 随着公司与中芯国际、台积电、华润微等5大巨头客户合作的深化，业绩有望进一步增厚。

总市值：139亿

南大光电成立于2000年12月，是全球主要的MO源生产商。2014年，南大光电MO全球市占率达到28.1%，一举超越陶氏化学和默克集团等化工巨头，成为全球第一MO源生产商。

能取得这个成绩，可谓意义重大。由于MO源在化合物半导体和航天领域具有重要战略意义，因此多年被西方国家实施严厉出口限制。而得益于南大光电在此项研究上取得的突破，不仅相继获得了中芯国际、京东方等龙头企业的青睐，更使得中国成为除美国、欧洲、日本外，全球第四个拥有MO源生产能力的国家。

而随着自主研发的ArF光刻胶产品在2020年底通过市场认证，使得南大光电在半导体前段材料领域的业务拼图得到进一步完善。 而在国产替代大潮来袭的背景下，八哥认为南大光电有望在未来几年实现年产25吨193nm光刻胶产品的生产规模。

总市值：328亿

雅克 科技 成立于1997年，主营电子半导体材料、深冷复合材料以及塑料助剂材料的研发和生产。不仅是为战略新兴产业进行配套、解决国内战略新兴材料卡脖子的平台型公司。更是国内半导体材料巨头。

得益于其在深冷复合材料以及塑料助剂材料两大领域全球领先的技术实力，雅克 科技 不仅先后打入以航空、航天和航海为代表的高端装备制备市场。更在2018年通过外延并购，成功切入半导体封装材料领域。目前在半导体材料业务的盈利能力已明显高于原有主业。最近3年的毛利率始终高于行业平均。

整体来看，八哥认为雅克 科技 的赛道、技术、客户优势尽显、产业护城河持续拓宽，将在国内半导体产业、显示产业持续成长的大背景下，乘国产替代之风崛起。

随着市场对半导体性能的要求不断提高，第三代半导体等新型化合物材料凭借其性能优势开始崭露头角，成为行业未来重要增长点。

相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄，由于性能不同，二者的应用领域也不相同。

氮化镓、高电流密度等优势，可显著减少电力损耗和散热负载，迅速应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域，是未来最具增长潜质的化合物半导体。

与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。

随着行业大规模商用，GaN生产成本有望迅速下降，进一步刺激GaN器件渗透，有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。

GaN主要应用于生产功率器件，目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域。

在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。氮化镓基站PA的功放效率较其他材料更高，因而能节省大量电能，且其可以几乎覆盖无线通讯的所有频段，功率密度大，能够减少基站体积和质量。

氮化镓在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。随着5G高频通信的商业化，GaN将在电信宏基站、真空管在雷达和航空电子应用中占有更多份额。

根据Yole估计，大多数Sub 6GHz的蜂窝网络都将采用氮化镓器件，因为LDMOS无法承受如此之高的频率，而砷化镓对于高功率应用又非理想之选。

同时，由于较高的频率会降低每个基站的覆盖范围，需要安装更多的晶体管，因此市场规模将迅速扩大。

Yole预测，GaN器件收入目前占整个市场20%左右，到2025年将占到50%以上，氮化镓功率器件规模有望达到4.5亿美元。

从产业链方面来看，氮化镓分为衬底、外延片和器件环节。

尽管碳化硅被更多地作为衬底材料（相较于氮化镓），国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等。

从事氮化镓外延片的国内厂商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等。

从事氮化镓器件的厂商主要有三安光电、闻泰 科技 、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。

GaN技术的难点在于晶圆制备工艺，欧美日在此方面优势明显。由于将GaN晶体熔融所需气压极高，须采用外延技术生长GaN晶体来制备晶圆。

其中日本住友电工是全球最大GaN晶圆生产商，占据了90%以上的市场份额。GaN全球产能集中于IDM厂商，逐渐向垂直分工合作模式转变。美国Qorvo、日本住友电工、中国苏州能讯等均以IDM模式运营。

近年来随着产品和市场的多样化，开始呈现设计业与制造业分工的合作模式。

尤其在GaN电力电子器件市场，由于中国台湾地区的台积电公司和世界先进公司开放了代工产能，美国Transphorm、EPC、Navitas、加拿大GaN Systems等设计企业开始涌现。

在射频器件领域，目前LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）、GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）三者占比相差不大，但据Yoledevelopment预测，至2025年，砷化镓市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。

GaAs芯片已广泛应用于手机/WiFi等消费品电子领域，GaN PA具有最高功率、增益和效率，但成本相对较高、工艺成熟度略低，目前在近距离信号传输和军工电子方面应用较多。

经过多年的发展，国内拥有昂瑞微、华为海思、紫光展锐、卓胜微、唯捷创芯等20多家射频有源器件供应商。

根据2019年底昂瑞微董事长发表的题为《全球5G射频前端发展趋势和中国公司的应对之策》的报告显示，截至报告日，国内厂家在2G/3G市场占有率高达95%；在4G方面有30%的占有率，产品以中低端为主，销售额占比仅有10%。

目前我国半导体领域为中美 科技 等领域摩擦中的卡脖子方向，是中国 科技 崛起不可回避的环节，产业链高自主、高可控仍是未来的重点方向。第三代半导体相对硅基半导体偏低投入、较小差距有望得到重点支持，并具备弯道超车的可能。

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