半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定型二氧化硅是对还是错

对，二氧化硅膜silicon dioxide Film }i02一种无定形玻璃 状结构的电解质膜，为近程有序网状结构、禁带宽度8.1}}V- 密度2 . 2glcm3。介电系数3.9}折射率1.}iS一1.47。电阻率 llha一1U 5,17.-m:熔点170U}。采用在硅片上热氧化、阳极氧 化、化学气相沉积法制备，是半导体硅器件的优良的表面保护 膜和表f}l钝化膜。

半导体器件的生产，除需要超净的环境外，有些工序还必须在真空中进行。

每一半导体器件都包含着许多层各种各样的材料，如果在这些不同的材料层之间混入气体分子，就会破坏器件的电学或光学性能。

比如，当希望在晶体层上再生长一层晶体时(称为外延），底层晶体表面吸附的气体分子，会阻碍上面的原子按照晶格结构进行有序排列，结果在外延层中引入大量缺陷，严重时，甚至长不出晶体，而只能得到原子排列杂乱无章的多晶或非晶体。

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